Menu

Filtros : "SEMICONDUTIVIDADE" "IF-FMT" Removido: "Institute of Semiconductor Physics and Novosibirsk State University, Novosibirsk 630090, Russia." Limpar

Filtros

Refine with date range

1 - 20 (23 records)

  • Artigo de periodico

    Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer (2020)

    Santos, Tiago G.; Vieira, Gustavo S.; Delfino, Cristian A.; Tanaka, Roberto Y.; Abe, Nancy M.; Passaro, Angelo; Fernandes, Fernando M.; Quivy, Alain A.

    Source: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF

    Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, SEMICONDUTIVIDADE, FÍSICA MODERNA, FOTODETECTORES, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, POÇOS QUÂNTICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, Tiago G. et al. Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer. Sensors and Actuators A: Physical, v. 301, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2019.111725. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Santos, T. G., Vieira, G. S., Delfino, C. A., Tanaka, R. Y., Abe, N. M., Passaro, A., et al. (2020). Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer. Sensors and Actuators A: Physical, 301. doi:10.1016/j.sna.2019.111725

    • NLM

      Santos TG, Vieira GS, Delfino CA, Tanaka RY, Abe NM, Passaro A, Fernandes FM, Quivy AA. Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 301[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2019.111725

    • Vancouver

      Santos TG, Vieira GS, Delfino CA, Tanaka RY, Abe NM, Passaro A, Fernandes FM, Quivy AA. Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 301[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2019.111725

  • Artigo de periodico

    Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors (2020)

    Claro, M. S.; Stroppa, D. G.; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Quivy, Alain André

    Source: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA MODERNA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, SEMICONDUTIVIDADE

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CLARO, M. S. et al. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 315, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Claro, M. S., Stroppa, D. G., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2020). Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 315. doi:10.1016/j.sna.2020.112262

    • NLM

      Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262

    • Vancouver

      Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262

  • Trabalho de evento-anais periodico

    Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector (2019)

    Al Zeidan, Ahmad ; Cantalice, Tiago F. de; Garcia, Ailton J.; Deneke, Christoph F.; Quivy, Alain André

    Source: IEEE. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF

    Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, FOTODETECTORES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, ELETRÔNICA QUÂNTICA, FILMES FINOS, SEMICONDUTIVIDADE

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      AL ZEIDAN, Ahmad et al. Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919349. Acesso em: 07 jul. 2024. , 2019

    • APA

      Al Zeidan, A., Cantalice, T. F. de, Garcia, A. J., Deneke, C. F., & Quivy, A. A. (2019). Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919349

    • NLM

      Al Zeidan A, Cantalice TF de, Garcia AJ, Deneke CF, Quivy AA. Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919349

    • Vancouver

      Al Zeidan A, Cantalice TF de, Garcia AJ, Deneke CF, Quivy AA. Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919349

  • Artigo de periodico

    Effect of temperature on the selection of semiconducting single walled carbon nanotubes using Poly(3-dodecylthiophene-2,5-diyl) (2015)

    Gomulya, Widianta; Rios, Jorge Mario Salazar; Derenskyi, Vladimir; Bisri, Satria Zulkarnaen; Loi, Maria Antonietta; Jung, Stefan; Fritsch, Martin; Allard, Sybille; Scherf, Ullrich; Santos, Maria Cristina dos

    Source: CARBON. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GOMULYA, Widianta et al. Effect of temperature on the selection of semiconducting single walled carbon nanotubes using Poly(3-dodecylthiophene-2,5-diyl). CARBON, v. 84, p. 66-73, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.carbon.2014.11.037. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Gomulya, W., Rios, J. M. S., Derenskyi, V., Bisri, S. Z., Loi, M. A., Jung, S., et al. (2015). Effect of temperature on the selection of semiconducting single walled carbon nanotubes using Poly(3-dodecylthiophene-2,5-diyl). CARBON, 84, 66-73. doi:10.1016/j.carbon.2014.11.037

    • NLM

      Gomulya W, Rios JMS, Derenskyi V, Bisri SZ, Loi MA, Jung S, Fritsch M, Allard S, Scherf U, Santos MC dos. Effect of temperature on the selection of semiconducting single walled carbon nanotubes using Poly(3-dodecylthiophene-2,5-diyl) [Internet]. CARBON. 2015 ; 84 66-73.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.carbon.2014.11.037

    • Vancouver

      Gomulya W, Rios JMS, Derenskyi V, Bisri SZ, Loi MA, Jung S, Fritsch M, Allard S, Scherf U, Santos MC dos. Effect of temperature on the selection of semiconducting single walled carbon nanotubes using Poly(3-dodecylthiophene-2,5-diyl) [Internet]. CARBON. 2015 ; 84 66-73.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.carbon.2014.11.037

  • Trabalho de evento-resumo

    Ab initio simulation of double-wall carbon nanotubes with crosslink defects: applications in electromechanical devices (2011)

    Amorim, Rodrigo Garcia; Silva, Antônio J.R. da; Fazzio, Adalberto; Rocha, Alexandre Reily

    Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTIVIDADE

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      AMORIM, Rodrigo Garcia et al. Ab initio simulation of double-wall carbon nanotubes with crosslink defects: applications in electromechanical devices. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0612-2.pdf. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Amorim, R. G., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Rocha, A. R. (2011). Ab initio simulation of double-wall carbon nanotubes with crosslink defects: applications in electromechanical devices. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0612-2.pdf

    • NLM

      Amorim RG, Silva AJR da, Fazzio A, Rocha AR. Ab initio simulation of double-wall carbon nanotubes with crosslink defects: applications in electromechanical devices [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0612-2.pdf

    • Vancouver

      Amorim RG, Silva AJR da, Fazzio A, Rocha AR. Ab initio simulation of double-wall carbon nanotubes with crosslink defects: applications in electromechanical devices [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0612-2.pdf

  • Artigo de periodico

    Designing all-graphene nanojunctions by covalent functionalization (2011)

    Cocchi, Caterina; Ruini, Alice ; Prezzi, Deborah ; Caldas, Marilia J ; Molinari, Elisa

    Source: The Journal of Physical Chemistry C. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTIVIDADE

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      COCCHI, Caterina et al. Designing all-graphene nanojunctions by covalent functionalization. The Journal of Physical Chemistry C, v. fe2011, p. 2969-2973, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/jp109909s. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Cocchi, C., Ruini, A., Prezzi, D., Caldas, M. J., & Molinari, E. (2011). Designing all-graphene nanojunctions by covalent functionalization. The Journal of Physical Chemistry C, fe2011, 2969-2973. doi:10.1021/jp109909s

    • NLM

      Cocchi C, Ruini A, Prezzi D, Caldas MJ, Molinari E. Designing all-graphene nanojunctions by covalent functionalization [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2011 ; fe2011 2969-2973.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp109909s

    • Vancouver

      Cocchi C, Ruini A, Prezzi D, Caldas MJ, Molinari E. Designing all-graphene nanojunctions by covalent functionalization [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2011 ; fe2011 2969-2973.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp109909s

  • Artigo de periodico

    Magnetic-field-induced transition in a wide parabolic well superimposed with a superlattice (2010)

    Gusev, Guennadii Michailovich; Pusep, Yuri A.; Bakarov, A. K.; Toropov, A. I.; Portal, J. C.

    Source: Physical Review B. Unidades: IF, IFSC

    Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, EFEITO HALL, ELÉTRONS (EXPERIMENTOS), POÇOS QUÂNTICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Magnetic-field-induced transition in a wide parabolic well superimposed with a superlattice. Physical Review B, v. 81, n. 16, p. 165302-1-165302-5, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.165302. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Gusev, G. M., Pusep, Y. A., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., & Portal, J. C. (2010). Magnetic-field-induced transition in a wide parabolic well superimposed with a superlattice. Physical Review B, 81( 16), 165302-1-165302-5. doi:10.1103/PhysRevB.81.165302

    • NLM

      Gusev GM, Pusep YA, Bakarov AK, Toropov AI, Portal JC. Magnetic-field-induced transition in a wide parabolic well superimposed with a superlattice [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 16): 165302-1-165302-5.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.165302

    • Vancouver

      Gusev GM, Pusep YA, Bakarov AK, Toropov AI, Portal JC. Magnetic-field-induced transition in a wide parabolic well superimposed with a superlattice [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 16): 165302-1-165302-5.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.165302

  • Trabalho de evento

    Física das baixas temperaturas: supercondutividade e magnetismo (2009)

    Freitas, Rafael Sá de

    Source: Palestra. Conference titles: Física para todos. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA, SEMICONDUTIVIDADE, MAGNETISMO

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FREITAS, Rafael Sá de. Física das baixas temperaturas: supercondutividade e magnetismo. 2009, Anais.. São Paulo: IFUSP, 2009. . Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Freitas, R. S. de. (2009). Física das baixas temperaturas: supercondutividade e magnetismo. In Palestra. São Paulo: IFUSP.

    • NLM

      Freitas RS de. Física das baixas temperaturas: supercondutividade e magnetismo. Palestra. 2009 ;[citado 2024 jul. 07 ]

    • Vancouver

      Freitas RS de. Física das baixas temperaturas: supercondutividade e magnetismo. Palestra. 2009 ;[citado 2024 jul. 07 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Magnetic resonance on the Zn$_{1-x}$Mn$_{x}$In$_{2}$Se$_{4}$ diluted magnetic semiconductor system (2005)

    Mantilla, J.; Gamarra, Lionel Fernel ; Bindilatti, V.; Salvador, V L; Couto, S G; Costa Filho, Antônio José da; Pontuschka, W. M.; Brito, Giancarlo Esposito de Souza

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, IFSC

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MANTILLA, J. et al. Magnetic resonance on the Zn$_{1-x}$Mn$_{x}$In$_{2}$Se$_{4}$ diluted magnetic semiconductor system. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0433-1.pdf. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Mantilla, J., Gamarra, L. F., Bindilatti, V., Salvador, V. L., Couto, S. G., Costa Filho, A. J. da, et al. (2005). Magnetic resonance on the Zn$_{1-x}$Mn$_{x}$In$_{2}$Se$_{4}$ diluted magnetic semiconductor system. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0433-1.pdf

    • NLM

      Mantilla J, Gamarra LF, Bindilatti V, Salvador VL, Couto SG, Costa Filho AJ da, Pontuschka WM, Brito GE de S. Magnetic resonance on the Zn$_{1-x}$Mn$_{x}$In$_{2}$Se$_{4}$ diluted magnetic semiconductor system [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0433-1.pdf

    • Vancouver

      Mantilla J, Gamarra LF, Bindilatti V, Salvador VL, Couto SG, Costa Filho AJ da, Pontuschka WM, Brito GE de S. Magnetic resonance on the Zn$_{1-x}$Mn$_{x}$In$_{2}$Se$_{4}$ diluted magnetic semiconductor system [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0433-1.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    On the stability and the electronic confinement of free-standing InP nanowires (2005)

    Schmidt, Tomé; Miwa, Roberto; Venezuela, Pedro; Fazzio, Adalberto

    Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Brasileiro de Química Teórica. Unidade: IF

    Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, SEMICONDUTIVIDADE, DENSIDADE DOS SÓLIDOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SCHMIDT, Tomé et al. On the stability and the electronic confinement of free-standing InP nanowires. 2005, Anais.. São Pedro: SBQT, 2005. Disponível em: http://www.sbqt.net/XIII-SBQT/SIMPOSIO/RESUMOS/R0349-1.doc. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Schmidt, T., Miwa, R., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2005). On the stability and the electronic confinement of free-standing InP nanowires. In Resumos. São Pedro: SBQT. Recuperado de http://www.sbqt.net/XIII-SBQT/SIMPOSIO/RESUMOS/R0349-1.doc

    • NLM

      Schmidt T, Miwa R, Venezuela P, Fazzio A. On the stability and the electronic confinement of free-standing InP nanowires [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sbqt.net/XIII-SBQT/SIMPOSIO/RESUMOS/R0349-1.doc

    • Vancouver

      Schmidt T, Miwa R, Venezuela P, Fazzio A. On the stability and the electronic confinement of free-standing InP nanowires [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sbqt.net/XIII-SBQT/SIMPOSIO/RESUMOS/R0349-1.doc

  • Trabalho de evento-resumo

    Memory effects in transport of two-dimensional electrons constrained to move in random topographies (2005)

    Choque, Nilo Mauricio Sotomayor; Rocha Neto, José Francisco da; Gusev, Guennadii Michailovich

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CHOQUE, Nilo Mauricio Sotomayor e ROCHA NETO, José Francisco da e GUSEV, Guennadii Michailovich. Memory effects in transport of two-dimensional electrons constrained to move in random topographies. 2005, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0412-1.pdf. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Choque, N. M. S., Rocha Neto, J. F. da, & Gusev, G. M. (2005). Memory effects in transport of two-dimensional electrons constrained to move in random topographies. In Resumos. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0412-1.pdf

    • NLM

      Choque NMS, Rocha Neto JF da, Gusev GM. Memory effects in transport of two-dimensional electrons constrained to move in random topographies [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0412-1.pdf

    • Vancouver

      Choque NMS, Rocha Neto JF da, Gusev GM. Memory effects in transport of two-dimensional electrons constrained to move in random topographies [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0412-1.pdf

  • Artigo de periodico

    Magnetic resonance in the 'Zn IND. 1-x' 'Mn IND. x' 'In IND. 2' 'Se IND. 4' dilute magnetic semiconductor system (2005)

    Mantilla, J C; Pontuschka, W. M.; Gamarra, Lionel Fernel ; Salvador, V L; Couto, S G; Costa Filho, Antonio José da; Brito, Giancarlo Esposito de Souza; Sagredo, V; Bindilatti, V.

    Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidades: IF, IFSC

    Subjects: CRISTALOGRAFIA FÍSICA, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN, SEMICONDUTIVIDADE

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MANTILLA, J C et al. Magnetic resonance in the 'Zn IND. 1-x' 'Mn IND. x' 'In IND. 2' 'Se IND. 4' dilute magnetic semiconductor system. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 17, n. 17, p. 2755-2762, 2005Tradução . . Disponível em: http://ej.iop.org/links/q12/6i60SiAsfhn0,+GP+ZoMFA/cm5_17_025.pdf. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Mantilla, J. C., Pontuschka, W. M., Gamarra, L. F., Salvador, V. L., Couto, S. G., Costa Filho, A. J. da, et al. (2005). Magnetic resonance in the 'Zn IND. 1-x' 'Mn IND. x' 'In IND. 2' 'Se IND. 4' dilute magnetic semiconductor system. Journal of Physics: Condensed Matter, 17( 17), 2755-2762. Recuperado de http://ej.iop.org/links/q12/6i60SiAsfhn0,+GP+ZoMFA/cm5_17_025.pdf

    • NLM

      Mantilla JC, Pontuschka WM, Gamarra LF, Salvador VL, Couto SG, Costa Filho AJ da, Brito GE de S, Sagredo V, Bindilatti V. Magnetic resonance in the 'Zn IND. 1-x' 'Mn IND. x' 'In IND. 2' 'Se IND. 4' dilute magnetic semiconductor system [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2005 ; 17( 17): 2755-2762.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://ej.iop.org/links/q12/6i60SiAsfhn0,+GP+ZoMFA/cm5_17_025.pdf

    • Vancouver

      Mantilla JC, Pontuschka WM, Gamarra LF, Salvador VL, Couto SG, Costa Filho AJ da, Brito GE de S, Sagredo V, Bindilatti V. Magnetic resonance in the 'Zn IND. 1-x' 'Mn IND. x' 'In IND. 2' 'Se IND. 4' dilute magnetic semiconductor system [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2005 ; 17( 17): 2755-2762.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://ej.iop.org/links/q12/6i60SiAsfhn0,+GP+ZoMFA/cm5_17_025.pdf

  • Artigo de periodico

    Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers (2004)

    Ruini, Alice; Ferretti, Andrea; Bussi, Giovanni; Molinari, Elisa; Caldas, Marília Junqueira

    Source: Semicondutor Science and Technology. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTIVIDADE, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RUINI, Alice et al. Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers. Semicondutor Science and Technology, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/4/119. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Ruini, A., Ferretti, A., Bussi, G., Molinari, E., & Caldas, M. J. (2004). Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers. Semicondutor Science and Technology. doi:10.1088/0268-1242/19/4/119

    • NLM

      Ruini A, Ferretti A, Bussi G, Molinari E, Caldas MJ. Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers [Internet]. Semicondutor Science and Technology. 2004 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/4/119

    • Vancouver

      Ruini A, Ferretti A, Bussi G, Molinari E, Caldas MJ. Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers [Internet]. Semicondutor Science and Technology. 2004 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/4/119

  • Trabalho de evento-resumo

    Estudo da vacância induzida em nanotubo (2004)

    Rossato, Jussane; Mota, Ronaldo; Baierle, Rogério José; Fazzio, Adalberto

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTIVIDADE, NANOTECNOLOGIA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ROSSATO, Jussane et al. Estudo da vacância induzida em nanotubo. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0791-1.pdf. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Rossato, J., Mota, R., Baierle, R. J., & Fazzio, A. (2004). Estudo da vacância induzida em nanotubo. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0791-1.pdf

    • NLM

      Rossato J, Mota R, Baierle RJ, Fazzio A. Estudo da vacância induzida em nanotubo [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0791-1.pdf

    • Vancouver

      Rossato J, Mota R, Baierle RJ, Fazzio A. Estudo da vacância induzida em nanotubo [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0791-1.pdf

  • Artigo de periodico

    Negative linear classical magnetoresistance in a corrugated two-dimensional electron gas (2004)

    Sotomayor, N M; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Bykov, A A

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: RESISTÊNCIA DOS MATERIAIS, SEMICONDUTIVIDADE, EFEITO HALL

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOTOMAYOR, N M et al. Negative linear classical magnetoresistance in a corrugated two-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 70, p. 235326/1-235326/6, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.235326. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Sotomayor, N. M., Gusev, G. M., Leite, J. R., & Bykov, A. A. (2004). Negative linear classical magnetoresistance in a corrugated two-dimensional electron gas. Physical Review B, 70, 235326/1-235326/6. doi:10.1103/physrevb.70.235326

    • NLM

      Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA. Negative linear classical magnetoresistance in a corrugated two-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70 235326/1-235326/6.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.235326

    • Vancouver

      Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA. Negative linear classical magnetoresistance in a corrugated two-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70 235326/1-235326/6.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.235326

  • Artigo de periodico

    Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well (2003)

    Sérgio, C. S.; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C

    Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SÉRGIO, C. S. et al. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 763-766, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Sérgio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 763-766. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

    • NLM

      Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 763-766.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

    • Vancouver

      Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 763-766.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

  • Artigo de periodico

    Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN (2002)

    Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.

    Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, ESPECTROSCOPIA RAMAN

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ALVES, H W Leite et al. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. 90-93, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), 90-93. doi:10.1016/s0921-5107(02)00036-3

    • NLM

      Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): 90-93.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3

    • Vancouver

      Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): 90-93.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3

  • Artigo de periodico

    Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers (2002)

    Teles, L. K.; Furthmüller, J; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Tabata, A; Leite, J. R.; Bechstedt, F; Frey, T; As, D J; Lischka, K

    Source: Physica E. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, TERMODINÂMICA, ESPECTROSCOPIA RAMAN, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TELES, L. K. et al. Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers. Physica E, v. 13, n. 2-4, p. 1086-1089, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00309-0. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Teles, L. K., Furthmüller, J., Scolfaro, L. M. R., Tabata, A., Leite, J. R., Bechstedt, F., et al. (2002). Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers. Physica E, 13( 2-4), 1086-1089. doi:10.1016/s1386-9477(02)00309-0

    • NLM

      Teles LK, Furthmüller J, Scolfaro LMR, Tabata A, Leite JR, Bechstedt F, Frey T, As DJ, Lischka K. Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1086-1089.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00309-0

    • Vancouver

      Teles LK, Furthmüller J, Scolfaro LMR, Tabata A, Leite JR, Bechstedt F, Frey T, As DJ, Lischka K. Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1086-1089.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00309-0

  • Artigo de periodico

    Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers (2002)

    Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Fernandez, J R L; Chitta, V A; Leite, J. R.; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K

    Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTIVIDADE

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers. Journal of Applied Physics, v. 91, n. 9, p. 6197-6199, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips. Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Fernandez, J. R. L., Chitta, V. A., Leite, J. R., Frey, T., et al. (2002). Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers. Journal of Applied Physics, 91( 9), 6197-6199. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips

    • NLM

      Pusep YA, Silva MTO, Fernandez JRL, Chitta VA, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 6197-6199.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Pusep YA, Silva MTO, Fernandez JRL, Chitta VA, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 6197-6199.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips

  • Trabalho de evento-resumo

    The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well (2001)

    Cavalheiro, Ademir; Takahashi, Eduardo Kojy; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; MENESES, Eliermes Arraes

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE, CONDUÇÃO

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAVALHEIRO, Ademir et al. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 07 jul. 2024.

    • APA

      Cavalheiro, A., Takahashi, E. K., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Leite, J. R., & MENESES, E. A. (2001). The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.

    • NLM

      Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 jul. 07 ]

    • Vancouver

      Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 jul. 07 ]

1 - 20 (23 records)

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2024