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Trabalho de evento-resumo
Studies on the dynamics of the 'CO' incorporation into a 'ZN''O' matrix and its magnetic properties (2014)
Rhodes, F. P.; Sabioni, A. C. S.; Andreeta, M. R. B.; Lima Jr., M. M. de; Cantarero, A.; Boselli, M. A.; Ferraz, W. B.; Mesquita, A.; Neves, P. P.; Doriguetto, A. C.; Carvalho, H. B de; Silva, R. T. da; Zevallos, A. O. de; Gratens, Xavier Pierre Marie; Chitta, Valmir Antonio
Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SPINTRÔNICA
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ABNT
RHODES, F. P. et al. Studies on the dynamics of the 'CO' incorporation into a 'ZN''O' matrix and its magnetic properties. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0301-1.pdf. Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Rhodes, F. P., Sabioni, A. C. S., Andreeta, M. R. B., Lima Jr., M. M. de, Cantarero, A., Boselli, M. A., et al. (2014). Studies on the dynamics of the 'CO' incorporation into a 'ZN''O' matrix and its magnetic properties. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0301-1.pdf
NLM
Rhodes FP, Sabioni ACS, Andreeta MRB, Lima Jr. MM de, Cantarero A, Boselli MA, Ferraz WB, Mesquita A, Neves PP, Doriguetto AC, Carvalho HB de, Silva RT da, Zevallos AO de, Gratens XPM, Chitta VA. Studies on the dynamics of the 'CO' incorporation into a 'ZN''O' matrix and its magnetic properties [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0301-1.pdf
Vancouver
Rhodes FP, Sabioni ACS, Andreeta MRB, Lima Jr. MM de, Cantarero A, Boselli MA, Ferraz WB, Mesquita A, Neves PP, Doriguetto AC, Carvalho HB de, Silva RT da, Zevallos AO de, Gratens XPM, Chitta VA. Studies on the dynamics of the 'CO' incorporation into a 'ZN''O' matrix and its magnetic properties [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0301-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation (2014)
Acosta, Carlos Augusto Mera; Lima, Matheus Paes; Miwa, Roberto Hiroki; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SPIN
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ABNT
ACOSTA, Carlos Augusto Mera et al. Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0242-1.pdf. Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Acosta, C. A. M., Lima, M. P., Miwa, R. H., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2014). Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0242-1.pdf
NLM
Acosta CAM, Lima MP, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0242-1.pdf
Vancouver
Acosta CAM, Lima MP, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0242-1.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry (2013)
Schmidt, Tome; Anversa, Jonas; Piquini, Paulo; Fazzio, Adalberto
Source: Abstracts. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SCHMIDT, Tome et al. Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry. Abstracts. Maryland,: APS. Disponível em: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-004508.pdf. Acesso em: 20 out. 2024. , 2013
APA
Schmidt, T., Anversa, J., Piquini, P., & Fazzio, A. (2013). Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry. Abstracts. Maryland,: APS. Recuperado de http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-004508.pdf
NLM
Schmidt T, Anversa J, Piquini P, Fazzio A. Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-004508.pdf
Vancouver
Schmidt T, Anversa J, Piquini P, Fazzio A. Electronic properties of HgTe/CdTe heterostructure under perturbations preserving time reversal symmetry [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-004508.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Topological States Ruled by Stacking Faults in `Bi IND.2´`Se IND.3´ and `Bi IND.2´`Te IND.3´ (2013)
Seixas, Leandro; Abdalla, Leonardo; Schmidt, Tomé; Fazzio, Adalberto; Miwa, Roberto
Source: Abstracts. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
SEIXAS, Leandro et al. Topological States Ruled by Stacking Faults in `Bi IND.2´`Se IND.3´ and `Bi IND.2´`Te IND.3´. Abstracts. Maryland,: APS. Disponível em: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-005791.pdf. Acesso em: 20 out. 2024. , 2013
APA
Seixas, L., Abdalla, L., Schmidt, T., Fazzio, A., & Miwa, R. (2013). Topological States Ruled by Stacking Faults in `Bi IND.2´`Se IND.3´ and `Bi IND.2´`Te IND.3´. Abstracts. Maryland,: APS. Recuperado de http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-005791.pdf
NLM
Seixas L, Abdalla L, Schmidt T, Fazzio A, Miwa R. Topological States Ruled by Stacking Faults in `Bi IND.2´`Se IND.3´ and `Bi IND.2´`Te IND.3´ [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-005791.pdf
Vancouver
Seixas L, Abdalla L, Schmidt T, Fazzio A, Miwa R. Topological States Ruled by Stacking Faults in `Bi IND.2´`Se IND.3´ and `Bi IND.2´`Te IND.3´ [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-005791.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Metallic states in Topological Insulators with Magnetic Impurities (2013)
Abdalla, Leonardo Batoni; Fazzio, Adalberto; Schmidt, Tomé; Miwa, Roberto
Source: Abstracts. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS MAGNÉTICOS
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ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni et al. Metallic states in Topological Insulators with Magnetic Impurities. Abstracts. Maryland,: APS. Disponível em: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-001143.pdf. Acesso em: 20 out. 2024. , 2013
APA
Abdalla, L. B., Fazzio, A., Schmidt, T., & Miwa, R. (2013). Metallic states in Topological Insulators with Magnetic Impurities. Abstracts. Maryland,: APS. Recuperado de http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-001143.pdf
NLM
Abdalla LB, Fazzio A, Schmidt T, Miwa R. Metallic states in Topological Insulators with Magnetic Impurities [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-001143.pdf
Vancouver
Abdalla LB, Fazzio A, Schmidt T, Miwa R. Metallic states in Topological Insulators with Magnetic Impurities [Internet]. Abstracts. 2013 ; 58( 1):[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://absimage.aps.org/image/MAR13/MWS_MAR13-2012-001143.pdf
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles (2006)
Schmidt, T M; Venezuela, P; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330. Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330
NLM
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2024 out. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2024 out. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Artigo de periodico
First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si (2006)
Schmidt, T M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 261-263, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf. Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 261-263. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
Artigo de periodico
Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations (2005)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M et al. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, v. 72, n. 19, p. 193404/1-193404/4, 2005Tradução . . Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2005). Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, 72( 19), 193404/1-193404/4.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2024 out. 20 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2024 out. 20 ]
Artigo de periodico
Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) (2005)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, v. 86, p. 213111, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1931027. Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, 86, 213111. doi:10.1063/1.1931027
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2024 out. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2024 out. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Artigo de periodico
Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces (2005)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Surface Science. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces. Applied Surface Science, v. 244, p. 124-128, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.09.165. Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces. Applied Surface Science, 244, 124-128. doi:10.1016/j.apsusc.2004.09.165
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces [Internet]. Applied Surface Science. 2005 ; 244 124-128.[citado 2024 out. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.09.165
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces [Internet]. Applied Surface Science. 2005 ; 244 124-128.[citado 2024 out. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.09.165
Artigo de periodico
Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) (2004)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, v. 566-568, p. 728-732, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006. Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, 566-568, 728-732. doi:10.1016/j.susc.2004.06.006
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2024 out. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2024 out. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Trabalho de evento-resumo
Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces (2004)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf. Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2004). Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation (2004)
Venezuela, P; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P e MIWA, Roberto Hiroki e FAZZIO, Adalberto. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf. Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Venezuela, P., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
NLM
Venezuela P, Miwa RH, Fazzio A. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
Vancouver
Venezuela P, Miwa RH, Fazzio A. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses (2004)
Nascimento, Márcio Luis Ferreira; Matsuoka, Masao; Watanabe, S.; Nascimento, Eduardo do; Pontuschka, W. M.; Dantas, Noélio Oliveira
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERCONDUTIVIDADE, VIDRO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NASCIMENTO, Márcio Luis Ferreira et al. Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0562-3.pdf. Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Nascimento, M. L. F., Matsuoka, M., Watanabe, S., Nascimento, E. do, Pontuschka, W. M., & Dantas, N. O. (2004). Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0562-3.pdf
NLM
Nascimento MLF, Matsuoka M, Watanabe S, Nascimento E do, Pontuschka WM, Dantas NO. Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0562-3.pdf
Vancouver
Nascimento MLF, Matsuoka M, Watanabe S, Nascimento E do, Pontuschka WM, Dantas NO. Anderson-Stuart model of ionic conductors in sodium silicate glasses [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 out. 20 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0562-3.pdf
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 out. 20 ]
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 out. 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Níveis de energia de poços quânticos parabólicos submetidos a campos magnéticos in-plane (2000)
Lino, Antonio Tadeu; Qu, Fanyao; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, Antonio Tadeu et al. Níveis de energia de poços quânticos parabólicos submetidos a campos magnéticos in-plane. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Lino, A. T., Qu, F., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2000). Níveis de energia de poços quânticos parabólicos submetidos a campos magnéticos in-plane. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Lino AT, Qu F, Leite JR, Scolfaro LMR. Níveis de energia de poços quânticos parabólicos submetidos a campos magnéticos in-plane. Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 20 ]
Vancouver
Lino AT, Qu F, Leite JR, Scolfaro LMR. Níveis de energia de poços quânticos parabólicos submetidos a campos magnéticos in-plane. Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 20 ]
Artigo de periodico
The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide (2000)
Schmidt, T M; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 12, n. 49, p. 10235-10239, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/323. Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2000). The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide. Journal of Physics-Condensed Matter, 12( 49), 10235-10239. doi:10.1088/0953-8984/12/49/323
NLM
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2000 ; 12( 49): 10235-10239.[citado 2024 out. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/323
Vancouver
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2000 ; 12( 49): 10235-10239.[citado 2024 out. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/323
Trabalho de evento-resumo
"P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties (1999)
Schmidt, T. M.; Miwa, Roberto Hiroki; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T. M. et al. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Mota, R., & Fazzio, A. (1999). "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Mota R, Fazzio A. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 20 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Mota R, Fazzio A. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais (1999)
Lino, Antonio Tadeu; Enders Neto, Bernhard; Moreira, Marcos Dionizio; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Beliaev, Dmitri
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, Antonio Tadeu et al. Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Lino, A. T., Enders Neto, B., Moreira, M. D., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Beliaev, D. (1999). Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Lino AT, Enders Neto B, Moreira MD, Leite JR, Scolfaro LMR, Beliaev D. Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 20 ]
Vancouver
Lino AT, Enders Neto B, Moreira MD, Leite JR, Scolfaro LMR, Beliaev D. Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study (1999)
Castineira, Jose Luis Petricelli; Leite, J. R.; Ramos, L. E.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTINEIRA, Jose Luis Petricelli et al. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 20 out. 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Ramos, L. E., & Scolfaro, L. M. R. (1999). Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 20 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 20 ]

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