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Trabalho de evento-resumo
Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IFSC, IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Raman probing of spatial extended collective excitations (2002)
Pusep, Yuri A.; Sokolov, S. S.; Fortunato, W.; Galzerani, J. C.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman probing of spatial extended collective excitations. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Sokolov, S. S., Fortunato, W., Galzerani, J. C., & Leite, J. R. (2002). Raman probing of spatial extended collective excitations. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Pusep YA, Sokolov SS, Fortunato W, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of spatial extended collective excitations. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Pusep YA, Sokolov SS, Fortunato W, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of spatial extended collective excitations. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Tese (Doutorado)
Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos (2002)
Ramos, Luis Eugenio; Leite, J. R. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
RAMOS, Luis Eugenio. Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos. 2002. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Ramos, L. E. (2002). Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Ramos LE. Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Ramos LE. Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Artigo de periodico
Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Furthmuller, J; Bechstedt, F
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, MUDANÇA DE FASE, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
TELES, L. K. et al. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics, v. 92, n. 12, p. 7109-7113, 2002Tradução . . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmuller, J., & Bechstedt, F. (2002). Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics, 92( 12), 7109-7113.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller J, Bechstedt F. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics. 2002 ; 92( 12): 7109-7113.[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller J, Bechstedt F. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics. 2002 ; 92( 12): 7109-7113.[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Evolution of commensurability oscillations as a function of electric field in arrays antidots (2002)
Choque, Nilo Mauricio Sotomayor; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Bykov, A A; Ltvin, L V; Moshegov, N T; Toropov, A I; Estibals, O; Portal, J C
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
CHOQUE, Nilo Mauricio Sotomayor et al. Evolution of commensurability oscillations as a function of electric field in arrays antidots. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Choque, N. M. S., Gusev, G. M., Leite, J. R., Bykov, A. A., Ltvin, L. V., Moshegov, N. T., et al. (2002). Evolution of commensurability oscillations as a function of electric field in arrays antidots. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Choque NMS, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Ltvin LV, Moshegov NT, Toropov AI, Estibals O, Portal JC. Evolution of commensurability oscillations as a function of electric field in arrays antidots. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Choque NMS, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Ltvin LV, Moshegov NT, Toropov AI, Estibals O, Portal JC. Evolution of commensurability oscillations as a function of electric field in arrays antidots. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Artigo de periodico
Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides (2002)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 448-451, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 448-451. doi:10.1590/s0103-97332002000200059
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 448-451.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 448-451.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059
Artigo de periodico
Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface (2002)
Tutor-Sanchez, Joaquín; Hernandez-Calderon, Isaac; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
TUTOR-SANCHEZ, Joaquín e HERNANDEZ-CALDERON, Isaac e LEITE, J. R. Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 311, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Tutor-Sanchez, J., Hernandez-Calderon, I., & Leite, J. R. (2002). Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface. Microelectronics Journal, 33( 4), 311. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Tutor-Sanchez J, Hernandez-Calderon I, Leite JR. Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 311.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Tutor-Sanchez J, Hernandez-Calderon I, Leite JR. Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 311.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN (2002)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. 90-93, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), 90-93. doi:10.1016/s0921-5107(02)00036-3
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): 90-93.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): 90-93.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3
Artigo de periodico
Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures (2002)
Leite, J. R.
Source: Microeletronics Journal. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MUDANÇA DE FASE
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ABNT
LEITE, J. R. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures. Microeletronics Journal, v. 33, n. 4, p. 323-329, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Leite, J. R. (2002). Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures. Microeletronics Journal, 33( 4), 323-329. doi:10.1016/s0026-2692(01)00126-4
NLM
Leite JR. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33( 4): 323-329.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4
Vancouver
Leite JR. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33( 4): 323-329.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4
Artigo de periodico
Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates (2002)
Sales, F V de; Soler, M A G; Ugarte, D; Abramof, E; Quivy, A. A.; Silva, S W da; Martini, S; Moraes, P C; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates. Physica B, v. 311, n. 3-4, p. 285-291, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Sales, F. V. de, Soler, M. A. G., Ugarte, D., Abramof, E., Quivy, A. A., Silva, S. W. da, et al. (2002). Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates. Physica B, 311( 3-4), 285-291. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
NLM
Sales FV de, Soler MAG, Ugarte D, Abramof E, Quivy AA, Silva SW da, Martini S, Moraes PC, Leite JR. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica B. 2002 ; 311( 3-4): 285-291.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Vancouver
Sales FV de, Soler MAG, Ugarte D, Abramof E, Quivy AA, Silva SW da, Martini S, Moraes PC, Leite JR. Investigation of optical and structural properties of 'In IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica B. 2002 ; 311( 3-4): 285-291.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b
Dissertação (Mestrado)
Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados (2002)
Zevallos Marques, Angela Maria Ortiz de; Leite, J. R. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, EFEITO MOSSBAUER
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ABNT
ZEVALLOS MARQUES, Angela Maria Ortiz de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Zevallos Marques, A. M. O. de. (2002). Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Zevallos Marques AMO de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Zevallos Marques AMO de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Artigo de periodico
Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F; Leite, J. R.
Source: Physica Status Solidi B-Basic Research. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research, v. 234, n. 3, p. 956-960, 2002Tradução . . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Leite, J. R. (2002). Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research, 234( 3), 956-960.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Leite JR. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 3): 956-960.[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Leite JR. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 3): 956-960.[citado 2024 jun. 14 ]
Artigo de periodico
Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field (2002)
Bykov, A A; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Goran, A V; Kudryashev, V M; Toropov, A I
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BYKOV, A A et al. Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field. Physical Review B, v. 65, n. 3, p. 35302/1-35302/7, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.035302. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Bykov, A. A., Gusev, G. M., Leite, J. R., Bakarov, A. K., Goran, A. V., Kudryashev, V. M., & Toropov, A. I. (2002). Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field. Physical Review B, 65( 3), 35302/1-35302/7. doi:10.1103/physrevb.65.035302
NLM
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Bakarov AK, Goran AV, Kudryashev VM, Toropov AI. Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 3): 35302/1-35302/7.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.035302
Vancouver
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Bakarov AK, Goran AV, Kudryashev VM, Toropov AI. Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 3): 35302/1-35302/7.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.035302
Artigo de periodico
Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys (2002)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W L; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. p 2-5, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), p 2-5. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Trabalho de evento-resumo
Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods (2002)
Caetanos, E W S; Pereira, T; Freire, V N (Departmento de Física, Unversidade Federal do Ceará, Fortalexa, CE, Brasil); Farias, G A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Silva Junior, E. F
Source: Program e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAETANOS, E W S et al. Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Caetanos, E. W. S., Pereira, T., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Silva Junior, E. F. (2002). Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods. In Program e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Caetanos EWS, Pereira T, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF. Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods. Program e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Caetanos EWS, Pereira T, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF. Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods. Program e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
2D-3D transition in a parabolic quantum well (2002)
Nunes, O A C; Fonseca, A L A; Fanyao, Qu; Daud, Samir Prado; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FENÔMENO DE TRANSPORTE
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ABNT
NUNES, O A C et al. 2D-3D transition in a parabolic quantum well. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Nunes, O. A. C., Fonseca, A. L. A., Fanyao, Q., Daud, S. P., & Leite, J. R. (2002). 2D-3D transition in a parabolic quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Nunes OAC, Fonseca ALA, Fanyao Q, Daud SP, Leite JR. 2D-3D transition in a parabolic quantum well. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Nunes OAC, Fonseca ALA, Fanyao Q, Daud SP, Leite JR. 2D-3D transition in a parabolic quantum well. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Chaotic electron dynamics in a quase-three-dimensional billiard (2002)
Choque, Nilo Mauricio Sotomayor; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Olshanetsky, E B; Plotnikov, A V; Moshegov, N T; Toropov, A I
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, CAOS (SISTEMAS DINÂMICOS)
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ABNT
CHOQUE, Nilo Mauricio Sotomayor et al. Chaotic electron dynamics in a quase-three-dimensional billiard. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Choque, N. M. S., Gusev, G. M., Leite, J. R., Olshanetsky, E. B., Plotnikov, A. V., Moshegov, N. T., & Toropov, A. I. (2002). Chaotic electron dynamics in a quase-three-dimensional billiard. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Choque NMS, Gusev GM, Leite JR, Olshanetsky EB, Plotnikov AV, Moshegov NT, Toropov AI. Chaotic electron dynamics in a quase-three-dimensional billiard. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Choque NMS, Gusev GM, Leite JR, Olshanetsky EB, Plotnikov AV, Moshegov NT, Toropov AI. Chaotic electron dynamics in a quase-three-dimensional billiard. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Large skyrmions in parabolic AlGaAs quantum well with tunable 'g'-factor (2002)
Sérgio, C. S.; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
SÉRGIO, C. S. et al. Large skyrmions in parabolic AlGaAs quantum well with tunable 'g'-factor. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Sérgio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Leite, J. R. (2002). Large skyrmions in parabolic AlGaAs quantum well with tunable 'g'-factor. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Large skyrmions in parabolic AlGaAs quantum well with tunable 'g'-factor. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Large skyrmions in parabolic AlGaAs quantum well with tunable 'g'-factor. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN (2002)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S C P; Noriega, O C; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Frey, T; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Noriega, O. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., & Lischka, K. (2002). Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 14 ]

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