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Trabalho de evento-resumo
Structural and magnetic characterization of c-'GA''N'/3 'C'-'SI''C' (2010)
Righetti, V A N; Chitta, V A; Schikora, D; As, D J; K. Lischka; Godoy, M P F
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RIGHETTI, V A N et al. Structural and magnetic characterization of c-'GA''N'/3 'C'-'SI''C'. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1222-1.pdf. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Righetti, V. A. N., Chitta, V. A., Schikora, D., As, D. J., K. Lischka,, & Godoy, M. P. F. (2010). Structural and magnetic characterization of c-'GA''N'/3 'C'-'SI''C'. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1222-1.pdf
NLM
Righetti VAN, Chitta VA, Schikora D, As DJ, K. Lischka, Godoy MPF. Structural and magnetic characterization of c-'GA''N'/3 'C'-'SI''C' [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1222-1.pdf
Vancouver
Righetti VAN, Chitta VA, Schikora D, As DJ, K. Lischka, Godoy MPF. Structural and magnetic characterization of c-'GA''N'/3 'C'-'SI''C' [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1222-1.pdf
Trabalho de evento
Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN (2004)
Duarte, C. A; Chitta, V. A; Coaquira, J. A. H; Fernandez, J. R. L; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D. J; Lischka, K; Abramof, E
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
DUARTE, C. A et al. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Duarte, C. A., Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf
NLM
Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf
Vancouver
Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2004)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Noriega, O. C., Leite, J. R., et al. (2004). Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00226-x
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Artigo de periodico
Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions (2004)
Chitta, Valmir Antonio; Coaquira, J A H; Fernandez, J R L; Duarte, C A; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D J; Lischka, K; Abramof, E
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
CHITTA, Valmir Antonio et al. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, v. 85, n. 17, p. 3777-3779, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1812590. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Duarte, C. A., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, 85( 17), 3777-3779. doi:10.1063/1.1812590
NLM
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Vancouver
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Trabalho de evento-resumo
Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN (2004)
Duarte, C. A; Chitta, V. A; Coaquira, J. A. H; Fernandez, J. R. L; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D. J; Lischka, K; Abramof, E
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
DUARTE, C. A et al. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0655-1.pdf. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Duarte, C. A., Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0655-1.pdf
NLM
Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0655-1.pdf
Vancouver
Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0655-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FILMES FINOS
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Brasil, M J S P; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Brasil, M. J. S. P., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates (2003)
Noriega, O C; Tabata, A; Soares, J A N T; Rodrigues, S C P; Leite, J. R.; Ribeiro, E; Fernandez, J R L; Meneses, E A; Cerdeira, F; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NORIEGA, O C et al. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, v. 252, n. 1-3, p. 208-212, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Leite, J. R., Ribeiro, E., et al. (2003). Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, 252( 1-3), 208-212. doi:10.1016/s0022-0248(02)02517-4
NLM
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, n. 3-4, p. 205-208, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, 125( 3-4), 205-208. doi:10.1016/s0038-1098(02)00768-8
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Artigo de periodico
Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys (2003)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Kharchenko, A; Husberg, O; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, v. 82, n. 24, p. 4274-4276, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Kharchenko, A., Husberg, O., et al. (2003). Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, 82( 24), 4274-4276. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Noriega, Odille Cue; Leite, Jose Roberto; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D; Lischka, K
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 190, n. 1, p. 121-127, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Noriega, O. C., Leite, J. R., Frey, T., et al. (2002). Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, 190( 1), 121-127. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain (2002)
Tabata, A; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Kharchenko, A; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K; Furthmüller, J; Bechstedt, F
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, v. 80, n. 5, p. 769-771, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1436270. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Kharchenko, A., Frey, T., et al. (2002). Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, 80( 5), 769-771. doi:10.1063/1.1436270
NLM
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270
Vancouver
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270
Artigo de periodico
Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers (2002)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Fernandez, J R L; Chitta, V A; Leite, J. R.; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers. Journal of Applied Physics, v. 91, n. 9, p. 6197-6199, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Fernandez, J. R. L., Chitta, V. A., Leite, J. R., Frey, T., et al. (2002). Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers. Journal of Applied Physics, 91( 9), 6197-6199. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Fernandez JRL, Chitta VA, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 6197-6199.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Fernandez JRL, Chitta VA, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 6197-6199.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure (2001)
Husberg, O; Khartchenko, A; As, D J; Vogelsang, H; Frey, T; Schikora, D; Noriega, O C; Tabata, A; Leite, J. R.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
HUSBERG, O et al. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure. Applied Physics Letters, v. 79, n. 9, p. 1243-1245, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1396314. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Husberg, O., Khartchenko, A., As, D. J., Vogelsang, H., Frey, T., Schikora, D., et al. (2001). Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure. Applied Physics Letters, 79( 9), 1243-1245. doi:10.1063/1.1396314
NLM
Husberg O, Khartchenko A, As DJ, Vogelsang H, Frey T, Schikora D, Noriega OC, Tabata A, Leite JR. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 9): 1243-1245.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1396314
Vancouver
Husberg O, Khartchenko A, As DJ, Vogelsang H, Frey T, Schikora D, Noriega OC, Tabata A, Leite JR. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 9): 1243-1245.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1396314
Trabalho de evento-resumo
CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy (2001)
Fernandez, Jose Rafael Leon; Silva, M T O; Pusep, Yuri A.; Chitta, Valmir Antonio; Tabata, Americo; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; Abramof, E; As, Donat Joseph; Schikora, D; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, EFEITO MOSSBAUER, ESPECTROSCOPIA RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, Jose Rafael Leon et al. CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Silva, M. T. O., Pusep, Y. A., Chitta, V. A., Tabata, A., Noriega, O. C., et al. (2001). CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fernandez JRL, Silva MTO, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Abramof E, As DJ, Schikora D, Lischka K. CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. Resumos. 2001 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Silva MTO, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Abramof E, As DJ, Schikora D, Lischka K. CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. Resumos. 2001 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells (2001)
Noriega, Odille Cue; Tabata, Americo; Chitta, V A; Sotomayor, N M; Fernandez, J R L; Leite, J. R.; Meneses, E A; Ribeiro, E; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NORIEGA, Odille Cue et al. Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Chitta, V. A., Sotomayor, N. M., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., et al. (2001). Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Noriega OC, Tabata A, Chitta VA, Sotomayor NM, Fernandez JRL, Leite JR, Meneses EA, Ribeiro E, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Chitta VA, Sotomayor NM, Fernandez JRL, Leite JR, Meneses EA, Ribeiro E, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain (2001)
Tabata, Americo; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Frey, T; Kharchenko, V; As, Donat Joseph; Schikora, D; Lischka, K; Bechstedt, F
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, EMISSÃO DA LUZ, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
TABATA, Americo et al. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., Kharchenko, V., et al. (2001). Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Kharchenko V, As DJ, Schikora D, Lischka K, Bechstedt F. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. Resumos. 2001 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Kharchenko V, As DJ, Schikora D, Lischka K, Bechstedt F. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. Resumos. 2001 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Artigo de periodico
Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems (2001)
Fernandez, J R L; Araujo, C Moyses; Silva, A Ferreira da; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E; Tabata, A; Abramog, E; Chitta, V A; Persson, C; Ahuja, R; Pepe, I; As, D J; Frey, T; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: DIELÉTRICOS, RESISTÊNCIA ELÉTRICA, MATERIAIS (ANÁLISE;TESTES), RESISTÊNCIA DOS MATERIAIS
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems. Journal of Crystal Growth, v. 231, n. 3, p. 420-427, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7. Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Araujo, C. M., Silva, A. F. da, Leite, J. R., Sernelius, B. E., Tabata, A., et al. (2001). Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems. Journal of Crystal Growth, 231( 3), 420-427. doi:10.1016/s0022-0248(01)01473-7
NLM
Fernandez JRL, Araujo CM, Silva AF da, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Abramog E, Chitta VA, Persson C, Ahuja R, Pepe I, As DJ, Frey T, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 231( 3): 420-427.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7
Vancouver
Fernandez JRL, Araujo CM, Silva AF da, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Abramog E, Chitta VA, Persson C, Ahuja R, Pepe I, As DJ, Frey T, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 231( 3): 420-427.[citado 2024 jun. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7
Trabalho de evento-anais periodico
Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N (2000)
Lemos, V; Silveira, E; Leite, J. R.; Tabata, A; Trentin, R.; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Materials Science Forum. Conference titles: Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEMOS, V et al. Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications. . Acesso em: 14 jun. 2024. , 2000
APA
Lemos, V., Silveira, E., Leite, J. R., Tabata, A., Trentin, R., Frey, T., et al. (2000). Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications.
NLM
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342 1595-1598.[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342 1595-1598.[citado 2024 jun. 14 ]
Trabalho de evento
Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy (2000)
Fernandez, J R L; Tabata, A; Chitta, V A; As, D J; Frey, T; Noriega, O C; Silva, M T O; Abramof, E; Schikora, D; Lischka, K; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: International Workshop on Nitride Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. 2000, Anais.. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP, 2000. . Acesso em: 14 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Tabata, A., Chitta, V. A., As, D. J., Frey, T., Noriega, O. C., et al. (2000). Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. In Proceedings. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP.
NLM
Fernandez JRL, Tabata A, Chitta VA, As DJ, Frey T, Noriega OC, Silva MTO, Abramof E, Schikora D, Lischka K, Leite JR. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 jun. 14 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Tabata A, Chitta VA, As DJ, Frey T, Noriega OC, Silva MTO, Abramof E, Schikora D, Lischka K, Leite JR. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 jun. 14 ]

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