Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN (2004)
- Authors:
- USP affiliated author: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- School: IF
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference title: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada
-
ABNT
DUARTE, C. A et al. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf. Acesso em: 04 jul. 2022. -
APA
Duarte, C. A., Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf -
NLM
Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2022 jul. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf -
Vancouver
Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2022 jul. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf - Raman spectroscopy of n-GaN in cubic phase
- Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages
- Raman spectroscopy of n-GaN in cubic phase
- Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate
- Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs
- Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping
- Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
- Current research on semiconductor physics
- Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon
- Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
