Gold-induced crystallization of amorphous Si and Ge films: content, temperature, and disorder aspects (2025)
- Autor:
- Autor USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/j.nxmate.2025.101201
- Subjects: FILMES FINOS; ESPECTROSCOPIA RAMAN
- Keywords: Amorphous semiconductors; Amorphous-to-crystalline transformation; Gold-induced crystallization; Raman spectroscopy
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Next Materials
- ISSN: 2949-8228
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 9, p. 101201-1-101201-8 + supplementary material, Oct. 2025
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
ZANATTA, Antonio Ricardo. Gold-induced crystallization of amorphous Si and Ge films: content, temperature, and disorder aspects. Next Materials, v. 9, p. 101201-1-101201-8 + supplementary material, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.nxmate.2025.101201. Acesso em: 02 mar. 2026. -
APA
Zanatta, A. R. (2025). Gold-induced crystallization of amorphous Si and Ge films: content, temperature, and disorder aspects. Next Materials, 9, 101201-1-101201-8 + supplementary material. doi:10.1016/j.nxmate.2025.101201 -
NLM
Zanatta AR. Gold-induced crystallization of amorphous Si and Ge films: content, temperature, and disorder aspects [Internet]. Next Materials. 2025 ; 9 101201-1-101201-8 + supplementary material.[citado 2026 mar. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.nxmate.2025.101201 -
Vancouver
Zanatta AR. Gold-induced crystallization of amorphous Si and Ge films: content, temperature, and disorder aspects [Internet]. Next Materials. 2025 ; 9 101201-1-101201-8 + supplementary material.[citado 2026 mar. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.nxmate.2025.101201 - Técnicas de espectroscopia óptica 1: espalhamento Raman
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.nxmate.2025.101201 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
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