A simple phenomenological account for the metal-induced crystallization of amorphous Ge and Si films (2024)
- Autor:
- Autor USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1038/s41598-024-81981-z
- Subjects: FILMES FINOS; INDUÇÃO DE METAIS
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Scientific Reports
- ISSN: 2045-2322
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 14, p. 31009-1-31009-13 + supplementary material, Jan. 2024
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
ZANATTA, Antonio Ricardo. A simple phenomenological account for the metal-induced crystallization of amorphous Ge and Si films. Scientific Reports, v. 14, n. Ja 2024, p. 31009-1-31009-13 + supplementary material, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1038/s41598-024-81981-z. Acesso em: 03 mar. 2026. -
APA
Zanatta, A. R. (2024). A simple phenomenological account for the metal-induced crystallization of amorphous Ge and Si films. Scientific Reports, 14( Ja 2024), 31009-1-31009-13 + supplementary material. doi:10.1038/s41598-024-81981-z -
NLM
Zanatta AR. A simple phenomenological account for the metal-induced crystallization of amorphous Ge and Si films [Internet]. Scientific Reports. 2024 ; 14( Ja 2024): 31009-1-31009-13 + supplementary material.[citado 2026 mar. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-024-81981-z -
Vancouver
Zanatta AR. A simple phenomenological account for the metal-induced crystallization of amorphous Ge and Si films [Internet]. Scientific Reports. 2024 ; 14( Ja 2024): 31009-1-31009-13 + supplementary material.[citado 2026 mar. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-024-81981-z - Técnicas de espectroscopia óptica 1: espalhamento Raman
- Desenvolvimento de microcavidades ópticas com janelas de transmissão no visível e infravermelho próximo
- Infrared photoluminescence from Er-doped a-GaAsN alloys
- Propriedades estruturais de filmes finos de silicio amorfo hidrogenado tratados termicamente
- Growth, structure and morphology of Mn-containing amorphous silicon films deposited by sputtering
- Estudo da fase 'BETA'-Fe'Si IND.2' em filmes de silício amorfo dopado com ferro
- An alternative experimental approach to produce rare-earth-doped SiOx films
- Influence of the temperature and time of thermal annealing in the optical properties of a-SiN doped with rare-earth ions
- Optical characterization of Fe-doped amorphous SiNx films
- Filmes de silício amorfo dopados com níquel
Informações sobre o DOI: 10.1038/s41598-024-81981-z (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
PROD036551_3228403.pdf | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
