A simple phenomenological account for the metal-induced crystallization of amorphous Ge and Si films (2024)
- Autor:
- Autor USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1038/s41598-024-81981-z
- Subjects: FILMES FINOS; INDUÇÃO DE METAIS
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Scientific Reports
- ISSN: 2045-2322
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 14, p. 31009-1-31009-13 + supplementary material, Jan. 2024
- Status:
- Artigo publicado em periódico de acesso aberto (Gold Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
ZANATTA, Antonio Ricardo. A simple phenomenological account for the metal-induced crystallization of amorphous Ge and Si films. Scientific Reports, v. 14, n. Ja 2024, p. 31009-1-31009-13 + supplementary material, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1038/s41598-024-81981-z. Acesso em: 07 maio 2026. -
APA
Zanatta, A. R. (2024). A simple phenomenological account for the metal-induced crystallization of amorphous Ge and Si films. Scientific Reports, 14( Ja 2024), 31009-1-31009-13 + supplementary material. doi:10.1038/s41598-024-81981-z -
NLM
Zanatta AR. A simple phenomenological account for the metal-induced crystallization of amorphous Ge and Si films [Internet]. Scientific Reports. 2024 ; 14( Ja 2024): 31009-1-31009-13 + supplementary material.[citado 2026 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-024-81981-z -
Vancouver
Zanatta AR. A simple phenomenological account for the metal-induced crystallization of amorphous Ge and Si films [Internet]. Scientific Reports. 2024 ; 14( Ja 2024): 31009-1-31009-13 + supplementary material.[citado 2026 maio 07 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-024-81981-z - Técnicas de espectroscopia óptica 1: espalhamento Raman
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