Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation (2013)
- Authors:
- USP affiliated authors: FAZZIO, ADALBERTO - IF ; ABDALLA, LEONARDO BATONI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/PhysRevB.88.045312
- Subjects: MAGNETISMO; ÁTOMOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: College PK
- Date published: 2013
- Source:
- Título: PHYSICAL REVIEW B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 88, n. 4, p. 045312, jul.2013
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni et al. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 88, n. 4, p. 045312, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312. Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Abdalla, L. B., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2013). Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 88( 4), 045312. doi:10.1103/PhysRevB.88.045312 -
NLM
Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 4): 045312.[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312 -
Vancouver
Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 4): 045312.[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312 - Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory
- Topological states ruled by stacking faults in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' and 'BI' IND. 2''TE' IND. 3'
- Propriedades eletrônicas dos isolantes topológicos
- Characteristic temperature of 2D materials
- Theoretical study of "NH IND.3" sensors based on "CN IND.x" nanotubes
- Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation
- Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs
- Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors
- Theory of interstitial transition atoms in gaas
- Correcao de auto-interacao na aproximacao da densidade funcional: ms-x'ALFA'
Informações sobre o DOI: 10.1103/PhysRevB.88.045312 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
PhysRevB.88.045312.pdf | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
