Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation (2013)
- Authors:
- USP affiliated authors: FAZZIO, ADALBERTO - IF ; ABDALLA, LEONARDO BATONI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/PhysRevB.88.045312
- Subjects: MAGNETISMO; ÁTOMOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: College PK
- Date published: 2013
- Source:
- Título do periódico: PHYSICAL REVIEW B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 88, n. 4, p. 045312, jul.2013
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni et al. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 88, n. 4, p. 045312, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Abdalla, L. B., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2013). Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 88( 4), 045312. doi:10.1103/PhysRevB.88.045312 -
NLM
Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 4): 045312.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312 -
Vancouver
Abdalla LB, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological insulator 'BI' IND.2''SE' IND. 3'(111) surface doped with transition metals: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 4): 045312.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.045312 - Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory
- Topological states ruled by stacking faults in 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' and 'BI' IND. 2''TE' IND. 3'
- Propriedades eletrônicas dos isolantes topológicos
- Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
- Terras raras em gap
- Estrutura eletronica e geometrica dos clusters de 'GA IND.N' 'AS IND.M' (n,m = 1-3)
- Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'
- Role played by n and n-n impurities in type-'IV' semiconductors
- Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7'
- Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS'
Informações sobre o DOI: 10.1103/PhysRevB.88.045312 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 | PhysRevB.88.045312.pdf | Direct link |
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