Caracterização de filmes de silício amorfo depositados por sputtering e dopados com fósforo para a fabricação de transistor de filme fino (2008)
- Authors:
- USP affiliated authors: MANSANO, RONALDO DOMINGUES - EP ; TABACNIKS, MANFREDO HARRI - IF
- Unidades: EP; IF
- Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA; FILMES FINOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Resumo
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
NUNES, Carolina Carvalho Previdi et al. Caracterização de filmes de silício amorfo depositados por sputtering e dopados com fósforo para a fabricação de transistor de filme fino. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0829-1.pdf. Acesso em: 05 out. 2024. -
APA
Nunes, C. C. P., Mansano, R. D., Zambon, L. da S., & Tabacniks, M. H. (2008). Caracterização de filmes de silício amorfo depositados por sputtering e dopados com fósforo para a fabricação de transistor de filme fino. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0829-1.pdf -
NLM
Nunes CCP, Mansano RD, Zambon L da S, Tabacniks MH. Caracterização de filmes de silício amorfo depositados por sputtering e dopados com fósforo para a fabricação de transistor de filme fino [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0829-1.pdf -
Vancouver
Nunes CCP, Mansano RD, Zambon L da S, Tabacniks MH. Caracterização de filmes de silício amorfo depositados por sputtering e dopados com fósforo para a fabricação de transistor de filme fino [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0829-1.pdf - Deposition and characterization of indium-tin oxide thin films deposited by RF sputtering
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