Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages (2004)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Programação
- Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica
-
ABNT
ANJOS, V et al. Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages. 2004, Anais.. Salvador: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0094-1.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024. -
APA
Anjos, V., Leão, S. A., Souza, M. A. R., & Leite, J. R. (2004). Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages. In Programação. Salvador: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0094-1.pdf -
NLM
Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0094-1.pdf -
Vancouver
Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0094-1.pdf - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
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