1540 nm light emission from Er-doped amorphous GaAsN films (1999)
- Autor:
- Autor USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.125324
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: College Park
- Date published: 1999
- Source:
- Título do periódico: Applied Physics Letters
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 75, n. 21, p. 3279-3281, 1999
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ZANATTA, Antonio Ricardo. 1540 nm light emission from Er-doped amorphous GaAsN films. Applied Physics Letters, v. 75, n. 21, p. 3279-3281, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.125324. Acesso em: 20 set. 2024. -
APA
Zanatta, A. R. (1999). 1540 nm light emission from Er-doped amorphous GaAsN films. Applied Physics Letters, 75( 21), 3279-3281. doi:10.1063/1.125324 -
NLM
Zanatta AR. 1540 nm light emission from Er-doped amorphous GaAsN films [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 21): 3279-3281.[citado 2024 set. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125324 -
Vancouver
Zanatta AR. 1540 nm light emission from Er-doped amorphous GaAsN films [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 21): 3279-3281.[citado 2024 set. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125324 - Magnetic properties of rare-earth doped a-Si films
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.125324 (Fonte: oaDOI API)
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