Annealing crystallization of a-Ge/Al/Si thin films (2005)
- Authors:
- Autor USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: FILMES FINOS; CRISTALIZAÇÃO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Wiley-VCH Verlag GmbH
- Publisher place: Weinheim
- Date published: 2005
- Source:
- Título: Physica Status Solidi B
- ISSN: 0370-1972
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 242, n. 9, p. 1906-1909, Jul. 2005
- Conference titles: Latin American Symposium on Solid State Physics
-
ABNT
FAJARDO, F. e ZANATTA, Antonio Ricardo e CHAMBOULEYRON, I. Annealing crystallization of a-Ge/Al/Si thin films. Physica Status Solidi B. Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH. . Acesso em: 14 fev. 2026. , 2005 -
APA
Fajardo, F., Zanatta, A. R., & Chambouleyron, I. (2005). Annealing crystallization of a-Ge/Al/Si thin films. Physica Status Solidi B. Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH. -
NLM
Fajardo F, Zanatta AR, Chambouleyron I. Annealing crystallization of a-Ge/Al/Si thin films. Physica Status Solidi B. 2005 ; 242( 9): 1906-1909.[citado 2026 fev. 14 ] -
Vancouver
Fajardo F, Zanatta AR, Chambouleyron I. Annealing crystallization of a-Ge/Al/Si thin films. Physica Status Solidi B. 2005 ; 242( 9): 1906-1909.[citado 2026 fev. 14 ] - Técnicas de espectroscopia óptica 1: espalhamento Raman
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