First-principles calculations of effective-mass parameters of silicon and group-III nitrides (1998)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Física
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1998
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
TELES, L. K. et al. First-principles calculations of effective-mass parameters of silicon and group-III nitrides. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 18 set. 2024. -
APA
Teles, L. K., Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Leite, R., & Castineira, J. L. P. (1998). First-principles calculations of effective-mass parameters of silicon and group-III nitrides. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. -
NLM
Teles LK, Rosa AL, Scolfaro LMR, Leite R, Castineira JLP. First-principles calculations of effective-mass parameters of silicon and group-III nitrides. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 18 ] -
Vancouver
Teles LK, Rosa AL, Scolfaro LMR, Leite R, Castineira JLP. First-principles calculations of effective-mass parameters of silicon and group-III nitrides. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 18 ] - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
- Current research on semiconductor physics
- Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon
- Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p
- Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy
- Semiconductor physics: procedings of the 3 rd brazilian school of semiconductor physics
- Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 3d transition-atom impurities in diamond and germanium
- Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond
- Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces
- Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
