E-beam direct-write using a chemically amplified negative tone resist (1994)
- Authors:
- Autor USP: SEABRA, ANTONIO CARLOS - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Ufrj
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 1994
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
SEABRA, Antonio Carlos e JONCKHEERE, R e VAN DER HOVE, L. E-beam direct-write using a chemically amplified negative tone resist. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 09 out. 2024. -
APA
Seabra, A. C., Jonckheere, R., & Van der Hove, L. (1994). E-beam direct-write using a chemically amplified negative tone resist. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj. -
NLM
Seabra AC, Jonckheere R, Van der Hove L. E-beam direct-write using a chemically amplified negative tone resist. Anais. 1994 ;[citado 2024 out. 09 ] -
Vancouver
Seabra AC, Jonckheere R, Van der Hove L. E-beam direct-write using a chemically amplified negative tone resist. Anais. 1994 ;[citado 2024 out. 09 ] - Sal601-er7 as a negative tone resist for mask - making
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