Sensibilidade versus linearização em sensores de campo magnético integráveis (1994)
- Authors:
- USP affiliated authors: GALEAZZO, ELISABETE - EP ; FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMIREZ - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CONTROLE (TEORIA DE SISTEMAS E CONTROLE)
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sba
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 1994
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Congresso Brasileiro de Automatica
-
ABNT
GALEAZZO, Elisabete e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Sensibilidade versus linearização em sensores de campo magnético integráveis. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sba, 1994. . Acesso em: 23 jan. 2026. -
APA
Galeazzo, E., & Ramírez Fernandez, F. J. (1994). Sensibilidade versus linearização em sensores de campo magnético integráveis. In Anais. Rio de Janeiro: Sba. -
NLM
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ. Sensibilidade versus linearização em sensores de campo magnético integráveis. Anais. 1994 ;[citado 2026 jan. 23 ] -
Vancouver
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ. Sensibilidade versus linearização em sensores de campo magnético integráveis. Anais. 1994 ;[citado 2026 jan. 23 ] - Modelo simplificado da sensibilidade de sensores de campo magnetico integraveis
- Analise da sensibilidade de magneto-transistores pnp laterais na tecnologia cmos
- Caracterização elétrica de camadas de silício poroso
- Silicon micromechanical structures fabricated by electrochemical process
- Analysis of porous silicon devices for gas sensors
- Sensores magneticos compativeis com circuitos integrados
- Caracterizacao da magneto-concentracao em transistores pnp bipolares laterais
- Porous silicon masking by silicon oxide and hydrogen ion implantation
- The influence of chemical species on photoluminiscence of porous silicon. (em CD-Rom)
- Magneto-transistor split-collector
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
