Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) (2002)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.1494456
- Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA; MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Applied Physics Letters
- ISSN: 0003-6951
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 81, n. 3, p. 481-483, 2002
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110). Applied Physics Letters, v. 81, n. 3, p. 481-483, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1494456. Acesso em: 18 set. 2024. -
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110). Applied Physics Letters, 81( 3), 481-483. doi:10.1063/1.1494456 -
NLM
Miotto R, Ferraz AC. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 3): 481-483.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1494456 -
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. Zn-induced features at the GaAs(110) surface and its importance in the growth of ZnSe on GaAs(110) [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 3): 481-483.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1494456 - Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices
- Self-consistent variational celular schene applied to semiconductors of group iv and iii-v compounds
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1494456 (Fonte: oaDOI API)
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