Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs (2002)
- Authors:
- Autor USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Elsevier Science
- Publisher place: Amsterdam
- Date published: 2002
- Source:
- Título do periódico: Journal of Non-Crystalline Solids
- ISSN: 0022-3093
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.299-302, p.137-142, Apr. 2002
- Conference titles: International Conference on Amorphous and Microcystalline Semiconductors - Science and Technology
-
ABNT
SANTOS, Paulo V. et al. Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids. Amsterdam: Elsevier Science. . Acesso em: 19 set. 2024. , 2002 -
APA
Santos, P. V., Zanatta, A. R., Dondeo, F., Trampert, A., Jahn, U., Comedi, D., et al. (2002). Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids. Amsterdam: Elsevier Science. -
NLM
Santos PV, Zanatta AR, Dondeo F, Trampert A, Jahn U, Comedi D, Pudenzi MAA, Chambouleyron I. Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids. 2002 ;299-302 137-142.[citado 2024 set. 19 ] -
Vancouver
Santos PV, Zanatta AR, Dondeo F, Trampert A, Jahn U, Comedi D, Pudenzi MAA, Chambouleyron I. Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids. 2002 ;299-302 137-142.[citado 2024 set. 19 ] - Magnetic properties of rare-earth doped a-Si films
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