Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1) (2000)
- Autores:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Surface Science
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 454, p. 152-156, 2000
-
ABNT
MIOTTO, R. e FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G P. Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1). Surface Science, v. 454, p. 152-156, 2000Tradução . . Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v454i0006&article=152_daonos&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 25 set. 2024. -
APA
Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2000). Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1). Surface Science, 454, 152-156. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v454i0006&article=152_daonos&form=pdf&file=file.pdf -
NLM
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1) [Internet]. Surface Science. 2000 ; 454 152-156.[citado 2024 set. 25 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v454i0006&article=152_daonos&form=pdf&file=file.pdf -
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1) [Internet]. Surface Science. 2000 ; 454 152-156.[citado 2024 set. 25 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v454i0006&article=152_daonos&form=pdf&file=file.pdf - Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices
- Self-consistent variational celular schene applied to semiconductors of group iv and iii-v compounds
- Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices
- Electronic structure of ' ('ga'P) IND.N' ' ('i ind.N'P) IND.N' and ' ('ga''as') IND.N'' ('i ind.N''as') IND. N' superlattices with n'< OU ='7
- Propriedades eletronicas das super-redes semicondutoras
- Estabilidade em super-redes iii-v
- Adsorcao de 'TE' em superficies de 'GA''AS' e 'IN''AS'
- Descontinuidade das faixas de valencia das interfaces 'AI''AS': 'SI' : 'GA''AS'e'AI''AS' : 'GE' : 'GA''AS'
- Estrutura eletrônica das superfícies GaAs:Te e InAs:Te
- Estrutura eletrônica de superfícies e super-redes de semicondutores
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas