Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon (1999)
- Autores:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00528-1
- Assunto: FÍSICA
- Idioma: Inglês
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- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, v. 274, p. 473-475, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1. Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1999). Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, 274, 473-475. doi:10.1016/s0921-4526(99)00528-1 -
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1 -
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1 - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00528-1 (Fonte: oaDOI API)
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