Adsorcao de 'TE' em superficies de 'GA''AS' e 'IN''AS' (1995)
- Autores:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: Sociedade Brasileira de Fisica
- Local: São Paulo
- Data de publicação: 1995
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
SILVA, R C e FERRAZ, A. C. Adsorcao de 'TE' em superficies de 'GA''AS' e 'IN''AS'. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 20 set. 2024. -
APA
Silva, R. C., & Ferraz, A. C. (1995). Adsorcao de 'TE' em superficies de 'GA''AS' e 'IN''AS'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Silva RC, Ferraz AC. Adsorcao de 'TE' em superficies de 'GA''AS' e 'IN''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2024 set. 20 ] -
Vancouver
Silva RC, Ferraz AC. Adsorcao de 'TE' em superficies de 'GA''AS' e 'IN''AS'. Resumos. 1995 ;[citado 2024 set. 20 ] - Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices
- Self-consistent variational celular schene applied to semiconductors of group iv and iii-v compounds
- Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices
- Electronic structure of ' ('ga'P) IND.N' ' ('i ind.N'P) IND.N' and ' ('ga''as') IND.N'' ('i ind.N''as') IND. N' superlattices with n'< OU ='7
- Propriedades eletronicas das super-redes semicondutoras
- Estabilidade em super-redes iii-v
- Descontinuidade das faixas de valencia das interfaces 'AI''AS': 'SI' : 'GA''AS'e'AI''AS' : 'GE' : 'GA''AS'
- Estrutura eletrônica das superfícies GaAs:Te e InAs:Te
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