Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso (1994)
- Autores:
- Autores USP: GALEAZZO, ELISABETE - EP ; FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMÍREZ - EP ; SALCEDO, WALTER JAIMES - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: Sbmicro/Ufrj
- Local: Rio de Janeiro
- Data de publicação: 1994
- Fonte:
- Título do periódico: Anais
- Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e GALEAZZO, Elisabete. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Galeazzo, E. (1994). Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj. -
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2024 set. 19 ] -
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2024 set. 19 ] - Morphological parameter of porous silicon obtained by anodization in 'HF'
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