Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices (1986)
- Autores:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Idioma: Português
- Fonte:
- Título do periódico: Semiconductors Science Technology
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.1 , n.3 , p.169-71, 1986
-
ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology, v. 1 , n. 3 , p. 169-71, 1986Tradução . . Acesso em: 06 maio 2024. -
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1986). Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology, 1 ( 3 ), 169-71. -
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology. 1986 ;1 ( 3 ): 169-71.[citado 2024 maio 06 ] -
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology. 1986 ;1 ( 3 ): 169-71.[citado 2024 maio 06 ] - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
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