Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos (1986)
- Autores:
- Autores USP: FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMÍREZ - EP ; JEAN ALBERT BODINAUD - IEE
- Unidades: EP; IEE
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: Sbmicro/Telebras
- Local: Campinas
- Data de publicação: 1986
- Fonte:
- Título: Anais
- Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
BODINAUD, Jean Albert e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos. 1986, Anais.. Campinas: Sbmicro/Telebras, 1986. . Acesso em: 28 out. 2024. -
APA
Bodinaud, J. A., & Ramírez Fernandez, F. J. (1986). Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos. In Anais. Campinas: Sbmicro/Telebras. -
NLM
Bodinaud JA, Ramírez Fernandez FJ. Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos. Anais. 1986 ;[citado 2024 out. 28 ] -
Vancouver
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