Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos (1986)
- Authors:
- USP affiliated authors: FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMIREZ - EP ; JEAN ALBERT BODINAUD - IEE
- Unidades: EP; IEE
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Ieee/Ceautl/Oe
- Publisher place: Lisboa
- Date published: 1986
- Source:
- Título do periódico: Livro das Comunicacoes
- Conference titles: Simposio de Electronica das Telecomunicacoes
-
ABNT
BODINAUD, Jean Albert e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos. 1986, Anais.. Lisboa: Ieee/Ceautl/Oe, 1986. . Acesso em: 26 jul. 2024. -
APA
Bodinaud, J. A., & Ramírez Fernandez, F. J. (1986). Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos. In Livro das Comunicacoes. Lisboa: Ieee/Ceautl/Oe. -
NLM
Bodinaud JA, Ramírez Fernandez FJ. Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos. Livro das Comunicacoes. 1986 ;[citado 2024 jul. 26 ] -
Vancouver
Bodinaud JA, Ramírez Fernandez FJ. Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos. Livro das Comunicacoes. 1986 ;[citado 2024 jul. 26 ] - Caracterizacao e modelamento de transistores para analise estatistica de circuitos integrados
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