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Trabalho de evento
Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
Trabalho de evento
Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE' (1985)
Fazzio, Adalberto ; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto e IIKAWA, F e MOTISUKE, P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1985). Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
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Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
Trabalho de evento
Group-ib impurities in 'SI' (1985)
Fazzio, Adalberto ; Caldas, Marilia Junqueira ; Zunger, A
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, Adalberto e CALDAS, Marilia Junqueira e ZUNGER, A. Group-ib impurities in 'SI'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., Caldas, M. J., & Zunger, A. (1985). Group-ib impurities in 'SI'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Group-ib impurities in 'SI'. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
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Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Group-ib impurities in 'SI'. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
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Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon (1985)
Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
LEITE, J. R. Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Leite, J. R. (1985). Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR. Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
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Leite JR. Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
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Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors (1985)
Fazzio, Adalberto
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, Adalberto. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Fazzio, A. (1985). Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
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Fazzio A. Transition-metal impurities in iii-v and ii-vi semiconductors. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
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Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon (1985)
Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
LEITE, J. R. e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Leite, J. R., & Assali, L. V. C. (1985). Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
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Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
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Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy (1985)
Leite, J. R.; Alves, H W L; Alves, J L A
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
LEITE, J. R. e ALVES, H W L e ALVES, J L A. Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Leite, J. R., Alves, H. W. L., & Alves, J. L. A. (1985). Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR, Alves HWL, Alves JLA. Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
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Leite JR, Alves HWL, Alves JLA. Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
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Self-consistent band structure calculations by the variational cellular method (1985)
Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
LEITE, J. R. Self-consistent band structure calculations by the variational cellular method. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Leite, J. R. (1985). Self-consistent band structure calculations by the variational cellular method. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR. Self-consistent band structure calculations by the variational cellular method. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]
Vancouver
Leite JR. Self-consistent band structure calculations by the variational cellular method. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 dez. 01 ]

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