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Trabalho de evento-anais periodico
Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon (1998)
Rosa, A L; Scolfaro, L M R; Sipahi, Guilherme Matos ; Enderlein, R; Leite, J. R.
Fonte: Microelectronic Engineering. Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidades: IF, IME
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ENGENHARIA AUTOMOBILÍSTICA
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ABNT
ROSA, A L et al. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1998
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento-anais periodico
First principles studies of point defects and impurities in cubic boron nitride (1998)
Castineira, J L P; Leite, J. R.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Alves, J L A; Leite Alves, H W
Fonte: Materials Science & Engineering B. Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA AUTOMOBILÍSTICA
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ABNT
CASTINEIRA, J L P et al. First principles studies of point defects and impurities in cubic boron nitride. Materials Science & Engineering B. Lausanne: Elsevier Sequoia. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1998
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Alves, J. L. A., & Leite Alves, H. W. (1998). First principles studies of point defects and impurities in cubic boron nitride. Materials Science & Engineering B. Lausanne: Elsevier Sequoia.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves JLA, Leite Alves HW. First principles studies of point defects and impurities in cubic boron nitride. Materials Science & Engineering B. 1998 ; 51( 1-3): 53-57.[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves JLA, Leite Alves HW. First principles studies of point defects and impurities in cubic boron nitride. Materials Science & Engineering B. 1998 ; 51( 1-3): 53-57.[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Comparative studies of photoluminescence from n- and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS' (1996)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Dias, I E L
Fonte: Materials Science and Engineering B 35. Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ENDERLEIN, R et al. Comparative studies of photoluminescence from n- and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. 1996, Anais.. Cingapura: Elsevier, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Dias, I. E. L. (1996). Comparative studies of photoluminescence from n- and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. In Materials Science and Engineering B 35. Cingapura: Elsevier.
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IEL. Comparative studies of photoluminescence from n- and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science and Engineering B 35. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IEL. Comparative studies of photoluminescence from n- and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science and Engineering B 35. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres (1995)
Soares, J A N T; Beliaev, D; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Materials Science and Engeneering B. Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1995
APA
Soares, J. A. N. T., Beliaev, D., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction (1995)
Leite, J. R.; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Beliaev, D; Quivy, A. A.
Fonte: Materials Science and Engeneering B. Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 15 nov. 2025. , 1995
APA
Leite, J. R., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Beliaev, D., & Quivy, A. A. (1995). Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Leite JR, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Beliaev D, Quivy AA. Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 250-5.[citado 2025 nov. 15 ]

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