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Trabalho de evento
An improved model for the triangular SOI misalignment test structure (2004)
Giacomini, Renato Camargo; Martino, João Antonio
Fonte: Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, ELETROQUÍMICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
GIACOMINI, Renato Camargo e MARTINO, João Antonio. An improved model for the triangular SOI misalignment test structure. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Giacomini, R. C., & Martino, J. A. (2004). An improved model for the triangular SOI misalignment test structure. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Giacomini RC, Martino JA. An improved model for the triangular SOI misalignment test structure. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Giacomini RC, Martino JA. An improved model for the triangular SOI misalignment test structure. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Artigo de periodico
Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77 K (1996)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley et al. Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77 K. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III, v. 6, 1996Tradução . . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (1996). Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77 K. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III, 6.
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77 K. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. 1996 ;6[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77 K. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. 1996 ;6[citado 2025 nov. 16 ]
Artigo de periodico
Parameter extraction of MOSFETs operated at low temperature (1996)
Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Fonte: Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
SIMOEN, Eddy e CLAEYS, Cor e MARTINO, João Antonio. Parameter extraction of MOSFETs operated at low temperature. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III, v. 6, 1996Tradução . . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (1996). Parameter extraction of MOSFETs operated at low temperature. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III, 6.
NLM
Simoen E, Claeys C, Martino JA. Parameter extraction of MOSFETs operated at low temperature. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. 1996 ;6[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Simoen E, Claeys C, Martino JA. Parameter extraction of MOSFETs operated at low temperature. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. 1996 ;6[citado 2025 nov. 16 ]
Artigo de periodico
Theoretical and experimental study of the substrate effect on the fully depleted SOI MOSFET at low temperatures (1996)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; Colinge, Jean-Pierre
Fonte: Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio e COLINGE, Jean-Pierre. Theoretical and experimental study of the substrate effect on the fully depleted SOI MOSFET at low temperatures. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III, v. 6, 1996Tradução . . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Pavanello, M. A., Martino, J. A., & Colinge, J. -P. (1996). Theoretical and experimental study of the substrate effect on the fully depleted SOI MOSFET at low temperatures. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III, 6.
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Theoretical and experimental study of the substrate effect on the fully depleted SOI MOSFET at low temperatures. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. 1996 ;6[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Theoretical and experimental study of the substrate effect on the fully depleted SOI MOSFET at low temperatures. Journal de Physique IV Colloque 3, supplement au Journal de Physique III. 1996 ;6[citado 2025 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Processo CMOS para dimensões de porta de 2'MI'm: projeto e resultados experimentais (1988)
Martino, João Antonio ; Swart, Jacobus Willibrordus
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
MARTINO, João Antonio e SWART, Jacobus Willibrordus. Processo CMOS para dimensões de porta de 2'MI'm: projeto e resultados experimentais. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Martino, J. A., & Swart, J. W. (1988). Processo CMOS para dimensões de porta de 2'MI'm: projeto e resultados experimentais. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Martino JA, Swart JW. Processo CMOS para dimensões de porta de 2'MI'm: projeto e resultados experimentais. Anais. 1988 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Martino JA, Swart JW. Processo CMOS para dimensões de porta de 2'MI'm: projeto e resultados experimentais. Anais. 1988 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Tese (Doutorado)
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm (1988)
Martino, João Antonio ; Swart, Jacobus Willibrordus (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, João Antonio. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm. 1988. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Martino, J. A. (1988). Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
NLM
Martino JA. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm [Internet]. 1988 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
Vancouver
Martino JA. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm [Internet]. 1988 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/

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