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Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica (2006)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RODRIGUES, Michele. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Rodrigues, M. (2006). Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
NLM
Rodrigues M. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
Vancouver
Rodrigues M. Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19092006-142354/
Dissertação (Mestrado)
Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico (2006)
Souza, Ricardo de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, FILMES FINOS
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ABNT
SOUZA, Ricardo de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Souza, R. de. (2006). Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/
NLM
Souza R de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/
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Souza R de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico [Internet]. 2006 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/
Dissertação (Mestrado)
Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio (1987)
Pires, Renato Guedes; Swart, Jacobus Willibrordus (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
PIRES, Renato Guedes. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio. 1987. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Pires, R. G. (1987). Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Pires RG. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio. 1987 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Pires RG. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio. 1987 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Interpretacao do transitorio c-t do capacitor mos (1985)
Waldman, Bernard; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: Anais. Nome do evento: Simposio Brasileiro de Microeletronica. Unidade: EP
Assuntos: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
WALDMAN, Bernard e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Interpretacao do transitorio c-t do capacitor mos. 1985, Anais.. São Paulo: Lme-Usp, 1985. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Waldman, B., & Santos Filho, S. G. dos. (1985). Interpretacao do transitorio c-t do capacitor mos. In Anais. São Paulo: Lme-Usp.
NLM
Waldman B, Santos Filho SG dos. Interpretacao do transitorio c-t do capacitor mos. Anais. 1985 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Waldman B, Santos Filho SG dos. Interpretacao do transitorio c-t do capacitor mos. Anais. 1985 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo teorico-experimental do sistema 'SI'-'SI' 'O IND.2' utilizando capacitores mos (1978)
Goncalves, Nelson Fontella; Charry Rodriguez, Edgar (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
GONCALVES, Nelson Fontella. Estudo teorico-experimental do sistema 'SI'-'SI' 'O IND.2' utilizando capacitores mos. 1978. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1978. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Goncalves, N. F. (1978). Estudo teorico-experimental do sistema 'SI'-'SI' 'O IND.2' utilizando capacitores mos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Goncalves NF. Estudo teorico-experimental do sistema 'SI'-'SI' 'O IND.2' utilizando capacitores mos. 1978 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Goncalves NF. Estudo teorico-experimental do sistema 'SI'-'SI' 'O IND.2' utilizando capacitores mos. 1978 ;[citado 2025 nov. 16 ]

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