Pavanello, Marcelo Antonio 
; Martino, João Antonio
Fonte: Anais. Nome do evento: Seminario Brasileiro de Caracterizacao em Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio. Anomalia na tensao de limiar de transistores soi mosfet induzida pelo efeito do substrato em baixa temperatura. 1995, Anais.. Curitiba: Copel, 1995. . Acesso em: 23 nov. 2025.APA
Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (1995). Anomalia na tensao de limiar de transistores soi mosfet induzida pelo efeito do substrato em baixa temperatura. In Anais. Curitiba: Copel.NLM
Pavanello MA, Martino JA. Anomalia na tensao de limiar de transistores soi mosfet induzida pelo efeito do substrato em baixa temperatura. Anais. 1995 ;[citado 2025 nov. 23 ]Vancouver
Pavanello MA, Martino JA. Anomalia na tensao de limiar de transistores soi mosfet induzida pelo efeito do substrato em baixa temperatura. Anais. 1995 ;[citado 2025 nov. 23 ]
