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Trabalho de evento-resumo
Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IFSC, IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic and optical properties of p-doped hexagonal nitrides. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Tese (Doutorado)
Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos (2002)
Ramos, Luis Eugenio; Leite, J. R. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
RAMOS, Luis Eugenio. Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos. 2002. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Ramos, L. E. (2002). Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Ramos LE. Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Ramos LE. Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Evolution of commensurability oscillations as a function of electric field in arrays antidots (2002)
Choque, Nilo Mauricio Sotomayor; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Bykov, A A; Ltvin, L V; Moshegov, N T; Toropov, A I; Estibals, O; Portal, J C
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
CHOQUE, Nilo Mauricio Sotomayor et al. Evolution of commensurability oscillations as a function of electric field in arrays antidots. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Choque, N. M. S., Gusev, G. M., Leite, J. R., Bykov, A. A., Ltvin, L. V., Moshegov, N. T., et al. (2002). Evolution of commensurability oscillations as a function of electric field in arrays antidots. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Choque NMS, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Ltvin LV, Moshegov NT, Toropov AI, Estibals O, Portal JC. Evolution of commensurability oscillations as a function of electric field in arrays antidots. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Choque NMS, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Ltvin LV, Moshegov NT, Toropov AI, Estibals O, Portal JC. Evolution of commensurability oscillations as a function of electric field in arrays antidots. Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Behavior of the P interstitial in Si (2002)
Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marília Junqueira
Source: Program e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose e CALDAS, Marília Junqueira. Behavior of the P interstitial in Si. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Baierle, R. J., & Caldas, M. J. (2002). Behavior of the P interstitial in Si. In Program e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Baierle RJ, Caldas MJ. Behavior of the P interstitial in Si. Program e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Baierle RJ, Caldas MJ. Behavior of the P interstitial in Si. Program e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Characterization of a new amorphous mixed iron-vanadium oxides thin films (2002)
Lourenço, A; Gorenstein, A; Tabacniks, Manfredo Harri
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS
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ABNT
LOURENÇO, A e GORENSTEIN, A e TABACNIKS, Manfredo Harri. Characterization of a new amorphous mixed iron-vanadium oxides thin films. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Lourenço, A., Gorenstein, A., & Tabacniks, M. H. (2002). Characterization of a new amorphous mixed iron-vanadium oxides thin films. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Lourenço A, Gorenstein A, Tabacniks MH. Characterization of a new amorphous mixed iron-vanadium oxides thin films. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Lourenço A, Gorenstein A, Tabacniks MH. Characterization of a new amorphous mixed iron-vanadium oxides thin films. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Artigo de periodico
Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties (2002)
Mota, F de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MOTA, F de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 436-438, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 436-438. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Artigo de periodico
Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides (2002)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 448-451, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 448-451. doi:10.1590/s0103-97332002000200059
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 448-451.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 448-451.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059
Artigo de periodico
First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H (2002)
Justo Filho, João Francisco ; Mota, F de Brito; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NÃO METAIS
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MOTA, F de Brito e FAZZIO, Adalberto. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 73202/1-73202/4, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Mota, F. de B., & Fazzio, A. (2002). First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, 65( 7), 73202/1-73202/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
NLM
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Vancouver
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface (2002)
Tutor-Sanchez, Joaquín; Hernandez-Calderon, Isaac; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TUTOR-SANCHEZ, Joaquín e HERNANDEZ-CALDERON, Isaac e LEITE, J. R. Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 311, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Tutor-Sanchez, J., Hernandez-Calderon, I., & Leite, J. R. (2002). Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface. Microelectronics Journal, 33( 4), 311. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Tutor-Sanchez J, Hernandez-Calderon I, Leite JR. Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 311.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Tutor-Sanchez J, Hernandez-Calderon I, Leite JR. Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 311.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures (2002)
Leite, J. R.
Source: Microeletronics Journal. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MUDANÇA DE FASE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures. Microeletronics Journal, v. 33, n. 4, p. 323-329, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Leite, J. R. (2002). Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures. Microeletronics Journal, 33( 4), 323-329. doi:10.1016/s0026-2692(01)00126-4
NLM
Leite JR. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33( 4): 323-329.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4
Vancouver
Leite JR. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33( 4): 323-329.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4
Dissertação (Mestrado)
Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados (2002)
Zevallos Marques, Angela Maria Ortiz de; Leite, J. R. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, EFEITO MOSSBAUER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZEVALLOS MARQUES, Angela Maria Ortiz de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Zevallos Marques, A. M. O. de. (2002). Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Zevallos Marques AMO de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Zevallos Marques AMO de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Artigo de periodico
Magnetic dynamics of (Zn'Fe IND.2' 'O IND.4')-Fe-57 nanoparticles dispersed in a ZnO matrix (2002)
Goya, Gerardo Fabían
Source: IEEE Transactions on Magnetics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MATERIAIS MAGNÉTICOS, EFEITO MOSSBAUER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOYA, Gerardo Fabían. Magnetic dynamics of (Zn'Fe IND.2' 'O IND.4')-Fe-57 nanoparticles dispersed in a ZnO matrix. IEEE Transactions on Magnetics, v. 38, n. 5, p. 2610-2612, 2002Tradução . . Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Goya, G. F. (2002). Magnetic dynamics of (Zn'Fe IND.2' 'O IND.4')-Fe-57 nanoparticles dispersed in a ZnO matrix. IEEE Transactions on Magnetics, 38( 5), 2610-2612.
NLM
Goya GF. Magnetic dynamics of (Zn'Fe IND.2' 'O IND.4')-Fe-57 nanoparticles dispersed in a ZnO matrix. IEEE Transactions on Magnetics. 2002 ; 38( 5): 2610-2612.[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Goya GF. Magnetic dynamics of (Zn'Fe IND.2' 'O IND.4')-Fe-57 nanoparticles dispersed in a ZnO matrix. IEEE Transactions on Magnetics. 2002 ; 38( 5): 2610-2612.[citado 2024 ago. 03 ]
Artigo de periodico
Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F; Leite, J. R.
Source: Physica Status Solidi B-Basic Research. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research, v. 234, n. 3, p. 956-960, 2002Tradução . . Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Leite, J. R. (2002). Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research, 234( 3), 956-960.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Leite JR. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 3): 956-960.[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Leite JR. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 3): 956-960.[citado 2024 ago. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes (2002)
Fagan, Solange Binotto; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Baierle, Rogerio Jose
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Fagan, S. B., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Baierle, R. J. (2002). Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fagan SB, Silva AJR da, Fazzio A, Baierle RJ. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Fagan SB, Silva AJR da, Fazzio A, Baierle RJ. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Aggregation effects on transport properties of polymer crystals: a first-principles investigation (2002)
Ferretti, Andrea; Bussi, Giovanni; Ruini, Alice; Caldas, Marilia Junqueira; Molinari, Elisa
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRETTI, Andrea et al. Aggregation effects on transport properties of polymer crystals: a first-principles investigation. 2002, Anais.. London: IOP Publishing, 2002. . Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Ferretti, A., Bussi, G., Ruini, A., Caldas, M. J., & Molinari, E. (2002). Aggregation effects on transport properties of polymer crystals: a first-principles investigation. In Abstracts. London: IOP Publishing.
NLM
Ferretti A, Bussi G, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. Aggregation effects on transport properties of polymer crystals: a first-principles investigation. Abstracts. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Ferretti A, Bussi G, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. Aggregation effects on transport properties of polymer crystals: a first-principles investigation. Abstracts. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of semiconducting conjugated polymers: ab initio study of interchain interaction effects (2002)
Ruini, Alice; Bussi, Giovanni; Caldas, Marília Junqueira; Molinari, Elisa
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RUINI, Alice et al. Optical properties of semiconducting conjugated polymers: ab initio study of interchain interaction effects. 2002, Anais.. London: IOP Publishing, 2002. . Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Ruini, A., Bussi, G., Caldas, M. J., & Molinari, E. (2002). Optical properties of semiconducting conjugated polymers: ab initio study of interchain interaction effects. In Abstracts. London: IOP Publishing.
NLM
Ruini A, Bussi G, Caldas MJ, Molinari E. Optical properties of semiconducting conjugated polymers: ab initio study of interchain interaction effects. Abstracts. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Ruini A, Bussi G, Caldas MJ, Molinari E. Optical properties of semiconducting conjugated polymers: ab initio study of interchain interaction effects. Abstracts. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors (2002)
Ayres, F; Assali, L. V. C.
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, F e ASSALI, L. V. C. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Ayres, F., & Assali, L. V. C. (2002). Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. In Livro de Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Ayres F, Assali LVC. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Ayres F, Assali LVC. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Artigo de periodico
K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices (2002)
Rodrigues, Sara C P; Scolfaro, L M R; Sipahi, Guilherme Matos; Noriega, O C; Leite, Jose Roberto
Source: Physica Status Solidi B. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Sara C P et al. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices. Physica Status Solidi B, v. 234, n. 3, p. 906-910, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2002). K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices. Physica Status Solidi B, 234( 3), 906-910. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Noriega OC, Leite JR. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 234( 3): 906-910.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Noriega OC, Leite JR. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 234( 3): 906-910.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field (2002)
Bykov, A A; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Goran, A V; Kudryashev, V M; Toropov, A I
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BYKOV, A A et al. Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field. Physical Review B, v. 65, n. 3, p. 35302/1-35302/7, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.035302. Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Bykov, A. A., Gusev, G. M., Leite, J. R., Bakarov, A. K., Goran, A. V., Kudryashev, V. M., & Toropov, A. I. (2002). Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field. Physical Review B, 65( 3), 35302/1-35302/7. doi:10.1103/physrevb.65.035302
NLM
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Bakarov AK, Goran AV, Kudryashev VM, Toropov AI. Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 3): 35302/1-35302/7.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.035302
Vancouver
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Bakarov AK, Goran AV, Kudryashev VM, Toropov AI. Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 3): 35302/1-35302/7.[citado 2024 ago. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.035302
Trabalho de evento-resumo
Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods (2002)
Caetanos, E W S; Pereira, T; Freire, V N (Departmento de Física, Unversidade Federal do Ceará, Fortalexa, CE, Brasil); Farias, G A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Silva Junior, E. F
Source: Program e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
CAETANOS, E W S et al. Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 03 ago. 2024.
APA
Caetanos, E. W. S., Pereira, T., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Silva Junior, E. F. (2002). Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods. In Program e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Caetanos EWS, Pereira T, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF. Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods. Program e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]
Vancouver
Caetanos EWS, Pereira T, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF. Exciton based luminescence characteristics from 'SI/SRTIO IND.3' nanotods. Program e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 ago. 03 ]

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