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  • Artigo de periodico

    Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX (2016)

    Aoulaiche, Marc; Bourdelle, K. K.; Witters, Liesbeth J; Caillat, Christian; Simoen, Eddy ; Martino, João Antonio

    Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP

    Assunto: TRANSISTORES

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    • ABNT

      AOULAICHE, Marc et al. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX. Solid-State Electronics, v. 117, p. 123-129, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Aoulaiche, M., Bourdelle, K. K., Witters, L. J., Caillat, C., Simoen, E., & Martino, J. A. (2016). Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX. Solid-State Electronics, 117, 123-129. doi:10.1016/j.sse.2015.11.021

    • NLM

      Aoulaiche M, Bourdelle KK, Witters LJ, Caillat C, Simoen E, Martino JA. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 117 123-129.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021

    • Vancouver

      Aoulaiche M, Bourdelle KK, Witters LJ, Caillat C, Simoen E, Martino JA. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 117 123-129.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021

  • Trabalho de evento-resumo

    Organic bioelectronics: from materials characterization to devices development (2016)

    Colucci, R.; Faria, Gregório Couto

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), SEMICONDUTORES, ÍONS

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    • ABNT

      COLUCCI, R. e FARIA, Gregório Couto. Organic bioelectronics: from materials characterization to devices development. 2016, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016. Disponível em: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Colucci, R., & Faria, G. C. (2016). Organic bioelectronics: from materials characterization to devices development. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf

    • NLM

      Colucci R, Faria GC. Organic bioelectronics: from materials characterization to devices development [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf

    • Vancouver

      Colucci R, Faria GC. Organic bioelectronics: from materials characterization to devices development [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf

  • Artigo de periodico

    Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit (2016)

    Cardoso, Lilian Soares; Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça

    Source: Synthetic Metals. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, SOLVENTE, DIELÉTRICOS

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    • ABNT

      CARDOSO, Lilian Soares e STEFANELO, Josiani Cristina e FARIA, Roberto Mendonça. Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit. Synthetic Metals, v. 220, p. 286-291, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2016.06.023. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Cardoso, L. S., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2016). Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit. Synthetic Metals, 220, 286-291. doi:10.1016/j.synthmet.2016.06.023

    • NLM

      Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM. Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit [Internet]. Synthetic Metals. 2016 ; 220 286-291.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2016.06.023

    • Vancouver

      Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM. Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit [Internet]. Synthetic Metals. 2016 ; 220 286-291.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2016.06.023

  • Tese (Doutorado)

    Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais (2016)

    Cardoso, Lilian Soares; Faria, Roberto Mendonça (Orientador)

    Unidade: EESC

    Assunto: TRANSISTORES

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CARDOSO, Lilian Soares. Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Cardoso, L. S. (2016). Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/

    • NLM

      Cardoso LS. Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/

    • Vancouver

      Cardoso LS. Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (2016)

    Oliveira, Alberto Vinicius de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO, GERMÂNIO

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    • ABNT

      OLIVEIRA, Alberto Vinicius de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Oliveira, A. V. de. (2016). Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/

    • NLM

      Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/

    • Vancouver

      Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/

  • Trabalho de evento-resumo

    N-channel organic field-effect transistors fabricated by the inkjet printing technique (2016)

    Stefanelo, Josiani Cristina; Cardoso, Lilian Soares; Faria, Roberto Mendonça

    Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES

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    • ABNT

      STEFANELO, Josiani Cristina e CARDOSO, Lilian Soares e FARIA, Roberto Mendonça. N-channel organic field-effect transistors fabricated by the inkjet printing technique. 2016, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6GB. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Stefanelo, J. C., Cardoso, L. S., & Faria, R. M. (2016). N-channel organic field-effect transistors fabricated by the inkjet printing technique. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6GB

    • NLM

      Stefanelo JC, Cardoso LS, Faria RM. N-channel organic field-effect transistors fabricated by the inkjet printing technique [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6GB

    • Vancouver

      Stefanelo JC, Cardoso LS, Faria RM. N-channel organic field-effect transistors fabricated by the inkjet printing technique [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B6GB

  • Trabalho de evento-resumo

    Top gated graphene field effect transistors for sensing applications (2016)

    Santos, F. A.; Vieira, N. C. S.; Zambianco, N.; Zucolotto, Valtencir

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, NANOTECNOLOGIA, SENSOR

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, F. A. et al. Top gated graphene field effect transistors for sensing applications. 2016, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016. Disponível em: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Santos, F. A., Vieira, N. C. S., Zambianco, N., & Zucolotto, V. (2016). Top gated graphene field effect transistors for sensing applications. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf

    • NLM

      Santos FA, Vieira NCS, Zambianco N, Zucolotto V. Top gated graphene field effect transistors for sensing applications [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf

    • Vancouver

      Santos FA, Vieira NCS, Zambianco N, Zucolotto V. Top gated graphene field effect transistors for sensing applications [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf

  • Trabalho de evento

    Using sum-frequency generation (SFG) to probe electric-fields within organic field-effect transistors (2016)

    Gomes, Douglas J. C.; Motti, Silvia G.; Miranda, Paulo Barbeitas

    Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on Photonics, Optics and Laser Technology - PHOTOPTICS. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, CAMPO ELETROMAGNÉTICO

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GOMES, Douglas J. C. e MOTTI, Silvia G. e MIRANDA, Paulo Barbeitas. Using sum-frequency generation (SFG) to probe electric-fields within organic field-effect transistors. 2016, Anais.. Setúbal: Science and Technology Publications - SCITEPRESS, 2016. Disponível em: https://doi.org/10.5220/0005812801920196. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Gomes, D. J. C., Motti, S. G., & Miranda, P. B. (2016). Using sum-frequency generation (SFG) to probe electric-fields within organic field-effect transistors. In Proceedings. Setúbal: Science and Technology Publications - SCITEPRESS. doi:10.5220/0005812801920196

    • NLM

      Gomes DJC, Motti SG, Miranda PB. Using sum-frequency generation (SFG) to probe electric-fields within organic field-effect transistors [Internet]. Proceedings. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.5220/0005812801920196

    • Vancouver

      Gomes DJC, Motti SG, Miranda PB. Using sum-frequency generation (SFG) to probe electric-fields within organic field-effect transistors [Internet]. Proceedings. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.5220/0005812801920196

  • Artigo de periodico

    Structure-property relationship of new polyimide-organically modified silicate-phosphotungstic acid hybrid material system (2016)

    Ferreira, Fábio A. S.; Amaral, Thiago; Ysnaga, Orlando Armando Elguera; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Lopes, José H.; Lewicki, James P.; Worsley, Marcus A.; Schneider, José Fabian ; Tremiliosi Filho, Germano ; Rodrigues Filho, Ubirajara Pereira

    Source: Journal of Materials Science. Unidades: IFSC, IQSC

    Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FERREIRA, Fábio A. S. et al. Structure-property relationship of new polyimide-organically modified silicate-phosphotungstic acid hybrid material system. Journal of Materials Science, v. 51, n. 10, p. 4815-4824, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s10853-016-9773-2. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Ferreira, F. A. S., Amaral, T., Ysnaga, O. A. E., Silva, M. de A. P. da, Lopes, J. H., Lewicki, J. P., et al. (2016). Structure-property relationship of new polyimide-organically modified silicate-phosphotungstic acid hybrid material system. Journal of Materials Science, 51( 10), 4815-4824. doi:10.1007/s10853-016-9773-2

    • NLM

      Ferreira FAS, Amaral T, Ysnaga OAE, Silva M de AP da, Lopes JH, Lewicki JP, Worsley MA, Schneider JF, Tremiliosi Filho G, Rodrigues Filho UP. Structure-property relationship of new polyimide-organically modified silicate-phosphotungstic acid hybrid material system [Internet]. Journal of Materials Science. 2016 ; 51( 10): 4815-4824.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s10853-016-9773-2

    • Vancouver

      Ferreira FAS, Amaral T, Ysnaga OAE, Silva M de AP da, Lopes JH, Lewicki JP, Worsley MA, Schneider JF, Tremiliosi Filho G, Rodrigues Filho UP. Structure-property relationship of new polyimide-organically modified silicate-phosphotungstic acid hybrid material system [Internet]. Journal of Materials Science. 2016 ; 51( 10): 4815-4824.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s10853-016-9773-2

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio (2016)

    Sivieri, Victor de Bodt; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SIVIERI, Victor de Bodt. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio. 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Sivieri, V. de B. (2016). Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/

    • NLM

      Sivieri V de B. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/

    • Vancouver

      Sivieri V de B. Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062016-074906/

  • Dissertação (Mestrado)

    Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (2016)

    Bertoldo, Marcelo; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, RADIAÇÃO IONIZANTE, TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BERTOLDO, Marcelo. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET). 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Bertoldo, M. (2016). Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/

    • NLM

      Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/

    • Vancouver

      Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (2016)

    Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SASAKI, Kátia Regina Akemi. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Sasaki, K. R. A. (2016). Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

    • NLM

      Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

    • Vancouver

      Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

  • Artigo de periodico

    Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective (2016)

    Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Claeys, Cor ; Thean, Aaron; Simoen, Eddy ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Agopian, Paula Ghedini Der ; Sivieri, Victor de Bodt; Martino, João Antonio

    Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 63, n. 7, p. 2930-2935, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2559580. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Bordallo, C. C. M., Claeys, C., Thean, A., Simoen, E., Vandooren, A., Rooyackers, R., et al. (2016). Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective. IEEE Transactions on Electron Devices, 63( 7), 2930-2935. doi:10.1109/ted.2016.2559580

    • NLM

      Bordallo CCM, Claeys C, Thean A, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Agopian PGD, Sivieri V de B, Martino JA. Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 7): 2930-2935.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2559580

    • Vancouver

      Bordallo CCM, Claeys C, Thean A, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Agopian PGD, Sivieri V de B, Martino JA. Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 7): 2930-2935.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2559580

  • Artigo de periodico

    Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs (2016)

    Oliveira, Alberto Vinicius de; Simoen, Eddy ; Thean, Aaron; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Claeys, Cor ; Mertens, Hans; Collaert, Nadine

    Source: ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314. Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314, v. 66, n. 5, p. 309-314, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/06605.0309ecst. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Oliveira, A. V. de, Simoen, E., Thean, A., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Claeys, C., et al. (2016). Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314, 66( 5), 309-314. doi:10.1149/06605.0309ecst

    • NLM

      Oliveira AV de, Simoen E, Thean A, Agopian PGD, Martino JA, Claeys C, Mertens H, Collaert N. Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs [Internet]. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314. 2016 ; 66( 5): 309-314.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1149/06605.0309ecst

    • Vancouver

      Oliveira AV de, Simoen E, Thean A, Agopian PGD, Martino JA, Claeys C, Mertens H, Collaert N. Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs [Internet]. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314. 2016 ; 66( 5): 309-314.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1149/06605.0309ecst

  • Artigo de periodico

    An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs (2016)

    Ragi, Regiane; Nobrega, Rafael Vinicius Tayette da; Duarte, Ulysses Rondina; Romero, Murilo Araújo

    Source: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: EESC

    Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, MODELOS MATEMÁTICOS, MODELOS ANALÍTICOS, SEMICONDUTORES, NANOELETRÔNICA, TRANSISTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RAGI, Regiane et al. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 15, n. 4, p. 627-634, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Ragi, R., Nobrega, R. V. T. da, Duarte, U. R., & Romero, M. A. (2016). An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, 15( 4), 627-634. doi:10.1109/TNANO.2016.2567323

    • NLM

      Ragi R, Nobrega RVT da, Duarte UR, Romero MA. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2016 ; 15( 4): 627-634.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323

    • Vancouver

      Ragi R, Nobrega RVT da, Duarte UR, Romero MA. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2016 ; 15( 4): 627-634.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323

  • Trabalho de evento-resumo

    All-integrated electrolyte-gated graphene field-effect transistors as chemical and biological sensors (2016)

    Vieira, Nirton C. S.; Zambianco, Naiara; Borme, Jérôme; Junior, George M.; Cerqueira, Fátima; Freitas, Paulo P.; Zucolotto, Valtencir ; Peres, Nuno M. R.; Alpuim, Pedro

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Física. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, SENSOR

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      VIEIRA, Nirton C. S. et al. All-integrated electrolyte-gated graphene field-effect transistors as chemical and biological sensors. 2016, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2016. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1003-1.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Vieira, N. C. S., Zambianco, N., Borme, J., Junior, G. M., Cerqueira, F., Freitas, P. P., et al. (2016). All-integrated electrolyte-gated graphene field-effect transistors as chemical and biological sensors. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1003-1.pdf

    • NLM

      Vieira NCS, Zambianco N, Borme J, Junior GM, Cerqueira F, Freitas PP, Zucolotto V, Peres NMR, Alpuim P. All-integrated electrolyte-gated graphene field-effect transistors as chemical and biological sensors [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1003-1.pdf

    • Vancouver

      Vieira NCS, Zambianco N, Borme J, Junior GM, Cerqueira F, Freitas PP, Zucolotto V, Peres NMR, Alpuim P. All-integrated electrolyte-gated graphene field-effect transistors as chemical and biological sensors [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1003-1.pdf

  • Artigo de periodico

    Graphene field-effect transistor array with integrated electrolytic gates scaled to 200 mm (2016)

    Vieira, N. C. S.; Borme, J.; Machado Junior, G.; Cerqueira, F.; Freitas, P. P.; Zucolotto, Valtencir ; Peres, N. M. R.; Alpuim, P.

    Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, SENSORES QUÍMICOS, FOTOLITOGRAFIA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      VIEIRA, N. C. S. et al. Graphene field-effect transistor array with integrated electrolytic gates scaled to 200 mm. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 28, n. 8, p. 085302-1-085302-9, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/8/085302. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Vieira, N. C. S., Borme, J., Machado Junior, G., Cerqueira, F., Freitas, P. P., Zucolotto, V., et al. (2016). Graphene field-effect transistor array with integrated electrolytic gates scaled to 200 mm. Journal of Physics: Condensed Matter, 28( 8), 085302-1-085302-9. doi:10.1088/0953-8984/28/8/085302

    • NLM

      Vieira NCS, Borme J, Machado Junior G, Cerqueira F, Freitas PP, Zucolotto V, Peres NMR, Alpuim P. Graphene field-effect transistor array with integrated electrolytic gates scaled to 200 mm [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 8): 085302-1-085302-9.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/8/085302

    • Vancouver

      Vieira NCS, Borme J, Machado Junior G, Cerqueira F, Freitas PP, Zucolotto V, Peres NMR, Alpuim P. Graphene field-effect transistor array with integrated electrolytic gates scaled to 200 mm [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 8): 085302-1-085302-9.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/8/085302
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