Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
ABNT
PACHECO, Vinicius Heltai. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado. 2011. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/. Acesso em: 16 out. 2024.APA
Pacheco, V. H. (2011). Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/NLM
Pacheco VH. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado [Internet]. 2011 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/Vancouver
Pacheco VH. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado [Internet]. 2011 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/