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Trabalho de evento
Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs (2024)
Souza, Adelcio Marques de; Celino, Daniel Ricardo; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Conference titles: IEEE Latin American Symposium on Circuits and Systems - LASCAS. Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, NANOTECNOLOGIA, ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. 2024, Anais.. Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2024. Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2024). Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. In . Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187
Artigo de periodico
Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs (2019)
Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araújo
Source: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araújo. Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 18, n. 1, p. 762-769, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2019.2926041. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Ragi, R., & Romero, M. A. (2019). Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, 18( 1), 762-769. doi:10.1109/TNANO.2019.2926041
NLM
Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2019 ; 18( 1): 762-769.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2019.2926041
Vancouver
Ragi R, Romero MA. Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2019 ; 18( 1): 762-769.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2019.2926041
Artigo de periodico
An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs (2016)
Ragi, Regiane; Nobrega, Rafael Vinicius Tayette da; Duarte, Ulysses Rondina; Romero, Murilo Araújo
Source: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: EESC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, MODELOS MATEMÁTICOS, MODELOS ANALÍTICOS, SEMICONDUTORES, NANOELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
RAGI, Regiane et al. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 15, n. 4, p. 627-634, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Ragi, R., Nobrega, R. V. T. da, Duarte, U. R., & Romero, M. A. (2016). An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, 15( 4), 627-634. doi:10.1109/TNANO.2016.2567323
NLM
Ragi R, Nobrega RVT da, Duarte UR, Romero MA. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2016 ; 15( 4): 627-634.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323
Vancouver
Ragi R, Nobrega RVT da, Duarte UR, Romero MA. An explicit quantum-mechanical compact model for the I-V characteristics of cylindrical nanowire MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2016 ; 15( 4): 627-634.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2016.2567323
Artigo de periodico
Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas (2015)
Romero, Murilo Araujo; Ragi, Regiane; Manzoli, José Eduardo
Source: Revista Brasileira de Ensino de Física. Unidade: EESC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, TRANSISTORES
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ABNT
ROMERO, Murilo Araujo e RAGI, Regiane e MANZOLI, José Eduardo. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas. Revista Brasileira de Ensino de Física, v. 37, n. 4, p. 4306 (1-15), 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Romero, M. A., Ragi, R., & Manzoli, J. E. (2015). Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas. Revista Brasileira de Ensino de Física, 37( 4), 4306 (1-15). doi:10.1590/S1806-11173741967
NLM
Romero MA, Ragi R, Manzoli JE. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas [Internet]. Revista Brasileira de Ensino de Física. 2015 ; 37( 4): 4306 (1-15).[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967
Vancouver
Romero MA, Ragi R, Manzoli JE. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas [Internet]. Revista Brasileira de Ensino de Física. 2015 ; 37( 4): 4306 (1-15).[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967
Artigo de periodico
A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configuration (2012)
Ragi, Regiane; Nóbrega, Rafael Vinícius Tayette da; Romero, Murilo Araujo
Source: COMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering. Unidade: EESC
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAGI, Regiane e NÓBREGA, Rafael Vinícius Tayette da e ROMERO, Murilo Araujo. A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configuration. COMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering, v. 31, n. 2, p. 460-476, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1108/03321641211200536. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Ragi, R., Nóbrega, R. V. T. da, & Romero, M. A. (2012). A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configuration. COMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering, 31( 2), 460-476. doi:10.1108/03321641211200536
NLM
Ragi R, Nóbrega RVT da, Romero MA. A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configuration [Internet]. COMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering. 2012 ; 31( 2): 460-476.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1108/03321641211200536
Vancouver
Ragi R, Nóbrega RVT da, Romero MA. A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configuration [Internet]. COMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering. 2012 ; 31( 2): 460-476.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1108/03321641211200536
Trabalho de evento
On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors (2010)
Nobrega, Rafael Vinicius Tayette da; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Source: Proceedings. Conference titles: Argentine School of Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications. Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, EQUAÇÕES NÃO LINEARES, PROCESSOS DE POISSON
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOBREGA, Rafael Vinicius Tayette da e RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araujo. On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors. 2010, Anais.. Montevideo: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2010. Disponível em: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.do?tp=&arnumber=5606376. Acesso em: 14 set. 2024.
APA
Nobrega, R. V. T. da, Ragi, R., & Romero, M. A. (2010). On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors. In Proceedings. Montevideo: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.do?tp=&arnumber=5606376
NLM
Nobrega RVT da, Ragi R, Romero MA. On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors [Internet]. Proceedings. 2010 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.do?tp=&arnumber=5606376
Vancouver
Nobrega RVT da, Ragi R, Romero MA. On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistors [Internet]. Proceedings. 2010 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.do?tp=&arnumber=5606376

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