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  • Artigo de periodico

    Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

  • Trabalho de evento

    Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms (2023)

    Canales, Bruno Godoy; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Canales, B. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • NLM

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • Vancouver

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

  • Trabalho de evento-resumo

    Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage (2023)

    Seidel, Keli Fabiana; Lucas Junior, Hélio José; Patrzyk, Jéssica Nayara; Luginieski, Marcos ; Serbena, José Pedro Mansueto

    Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, FÍSICA TEÓRICA

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    • ABNT

      SEIDEL, Keli Fabiana et al. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Seidel, K. F., Lucas Junior, H. J., Patrzyk, J. N., Luginieski, M., & Serbena, J. P. M. (2023). Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

    • NLM

      Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

    • Vancouver

      Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally (2023)

    Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA

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    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Luginieski, M., & Faria, G. C. (2023). Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf

    • NLM

      Luginieski M, Faria GC. Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf

    • Vancouver

      Luginieski M, Faria GC. Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf

  • Tese (Doutorado)

    Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)

    Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • NLM

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • Vancouver

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

  • Trabalho de evento-resumo

    Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors (2022)

    Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA

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    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Luginieski, M., & Faria, G. C. (2022). Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf

    • NLM

      Luginieski M, Faria GC. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf

    • Vancouver

      Luginieski M, Faria GC. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf

  • Tese (Doutorado)

    Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. (2021)

    Eirez Izquierdo, José Enrique ; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      EIREZ IZQUIERDO, José Enrique. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Eirez Izquierdo, J. E. (2021). Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/

    • NLM

      Eirez Izquierdo JE. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/

    • Vancouver

      Eirez Izquierdo JE. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/

  • Trabalho de evento-resumo

    Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices (2021)

    Unigarro, Andres David Peña; Günther, Florian Steffen ; Faria, Gregório Couto

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), NANOELETRÔNICA

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    • ABNT

      UNIGARRO, Andres David Peña e GÜNTHER, Florian Steffen e FARIA, Gregório Couto. Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6906c38-f8b0-4118-8bde-fd5a7cec6d8d/3056070.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Unigarro, A. D. P., Günther, F. S., & Faria, G. C. (2021). Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6906c38-f8b0-4118-8bde-fd5a7cec6d8d/3056070.pdf

    • NLM

      Unigarro ADP, Günther FS, Faria GC. Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6906c38-f8b0-4118-8bde-fd5a7cec6d8d/3056070.pdf

    • Vancouver

      Unigarro ADP, Günther FS, Faria GC. Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6906c38-f8b0-4118-8bde-fd5a7cec6d8d/3056070.pdf

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (2020)

    Gonçalves, Guilherme Vieira; Martino, João Antonio (Orientador) ; Oliveira, Alberto Vinicius de (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES

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    • ABNT

      GONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Gonçalves, G. V. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

    • NLM

      Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

    • Vancouver

      Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

  • Artigo de periodico

    Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak (2020)

    Santos, A. O.; Komatsu, Wilson ; Canal, Gustavo Paganini ; Severo, Jose Helder F. ; Sá, W. P. de; Kassab Junior, Fuad ; Ferreira, J. G.; Andrade, M. C. R. de; Piqueira, José Roberto Castilho ; Nascimento, Ivan Cunha ; Galvão, R. M. O.

    Source: Fusion Engineering and Design. Unidades: EP, IF

    Subjects: FÍSICA DE PLASMAS, FUSÃO NUCLEAR, TOKAMAKS, ELETRÔNICA DE POTÊNCIA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, BOBINAS ELÉTRICAS, PLASMA (MICROELETRÔNICA)

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, A. O. et al. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak. Fusion Engineering and Design, v. 159, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Santos, A. O., Komatsu, W., Canal, G. P., Severo, J. H. F., Sá, W. P. de, Kassab Junior, F., et al. (2020). Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak. Fusion Engineering and Design, 159. doi:10.1016/j.fusengdes.2020.111698

    • NLM

      Santos AO, Komatsu W, Canal GP, Severo JHF, Sá WP de, Kassab Junior F, Ferreira JG, Andrade MCR de, Piqueira JRC, Nascimento IC, Galvão RMO. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak [Internet]. Fusion Engineering and Design. 2020 ; 159[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698

    • Vancouver

      Santos AO, Komatsu W, Canal GP, Severo JHF, Sá WP de, Kassab Junior F, Ferreira JG, Andrade MCR de, Piqueira JRC, Nascimento IC, Galvão RMO. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak [Internet]. Fusion Engineering and Design. 2020 ; 159[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698

  • Artigo de periodico

    Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors (2020)

    García, Dennis Cabrera; Eirez Izquierdo, José Enrique ; Cavallari, Marco Roberto ; Quivy, Alain André; Fonseca, Fernando Josepetti

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: IF, EP

    Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, CAPACITORES, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GARCÍA, Dennis Cabrera et al. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 15, n. 2, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      García, D. C., Eirez Izquierdo, J. E., Cavallari, M. R., Quivy, A. A., & Fonseca, F. J. (2020). Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 15( 2). doi:10.29292/jics.v15i2.170

    • NLM

      García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170

    • Vancouver

      García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170

  • Trabalho de evento-resumo

    Traditional conjugated polymer as efficient mixed conductors for high-performing electrochemical transistors (2018)

    Cavassin, Priscila; Faria, Gregório Couto

    Source: Abstracts. Conference titles: Materials Research Society Fall Meeting and Exhibit. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAVASSIN, Priscila e FARIA, Gregório Couto. Traditional conjugated polymer as efficient mixed conductors for high-performing electrochemical transistors. 2018, Anais.. Warrendale: Materials Research Society - MRS, 2018. Disponível em: https://www.mrs.org/technical-programs/programs_abstracts/2018_mrs_fall_meeting/bm07/bm07_05_113/bm07_05_11_157. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Cavassin, P., & Faria, G. C. (2018). Traditional conjugated polymer as efficient mixed conductors for high-performing electrochemical transistors. In Abstracts. Warrendale: Materials Research Society - MRS. Recuperado de https://www.mrs.org/technical-programs/programs_abstracts/2018_mrs_fall_meeting/bm07/bm07_05_113/bm07_05_11_157

    • NLM

      Cavassin P, Faria GC. Traditional conjugated polymer as efficient mixed conductors for high-performing electrochemical transistors [Internet]. Abstracts. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.mrs.org/technical-programs/programs_abstracts/2018_mrs_fall_meeting/bm07/bm07_05_113/bm07_05_11_157

    • Vancouver

      Cavassin P, Faria GC. Traditional conjugated polymer as efficient mixed conductors for high-performing electrochemical transistors [Internet]. Abstracts. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.mrs.org/technical-programs/programs_abstracts/2018_mrs_fall_meeting/bm07/bm07_05_113/bm07_05_11_157

  • Artigo de periodico

    A pattern recognition approach to transistor array parameter variance (2018)

    Costa, Luciano da Fontoura ; Silva, Filipi N.; Comin, Cesar H.

    Source: Physica A. Unidade: IFSC

    Subjects: RECONHECIMENTO DE PADRÕES, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      COSTA, Luciano da Fontoura e SILVA, Filipi N. e COMIN, Cesar H. A pattern recognition approach to transistor array parameter variance. Physica A, v. 499, n. Ju 2018, p. 176-185, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physa.2018.02.011. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Costa, L. da F., Silva, F. N., & Comin, C. H. (2018). A pattern recognition approach to transistor array parameter variance. Physica A, 499( Ju 2018), 176-185. doi:10.1016/j.physa.2018.02.011

    • NLM

      Costa L da F, Silva FN, Comin CH. A pattern recognition approach to transistor array parameter variance [Internet]. Physica A. 2018 ; 499( Ju 2018): 176-185.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physa.2018.02.011

    • Vancouver

      Costa L da F, Silva FN, Comin CH. A pattern recognition approach to transistor array parameter variance [Internet]. Physica A. 2018 ; 499( Ju 2018): 176-185.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physa.2018.02.011

  • Trabalho de evento-resumo

    Guidelines for optimal OECT operation as learned by fundamental studies on its electrical output characteristics (2018)

    Colucci, Renan; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      COLUCCI, Renan e FARIA, Gregório Couto. Guidelines for optimal OECT operation as learned by fundamental studies on its electrical output characteristics. 2018, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2018. Disponível em: https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4FEW. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Colucci, R., & Faria, G. C. (2018). Guidelines for optimal OECT operation as learned by fundamental studies on its electrical output characteristics. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4FEW

    • NLM

      Colucci R, Faria GC. Guidelines for optimal OECT operation as learned by fundamental studies on its electrical output characteristics [Internet]. Program. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4FEW

    • Vancouver

      Colucci R, Faria GC. Guidelines for optimal OECT operation as learned by fundamental studies on its electrical output characteristics [Internet]. Program. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4FEW

  • Artigo de periodico

    Negative feedback, linearity and parameter invariance in linear electronics (2018)

    Costa, Luciano da Fontoura ; Silva, Filipi N.; Comin, Cesar H.

    Source: Electrical Engineering. Unidade: IFSC

    Subjects: RECONHECIMENTO DE PADRÕES, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      COSTA, Luciano da Fontoura e SILVA, Filipi N. e COMIN, Cesar H. Negative feedback, linearity and parameter invariance in linear electronics. Electrical Engineering, v. 100, n. 2, p. 1159-1181, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s00202-017-0573-8. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Costa, L. da F., Silva, F. N., & Comin, C. H. (2018). Negative feedback, linearity and parameter invariance in linear electronics. Electrical Engineering, 100( 2), 1159-1181. doi:10.1007/s00202-017-0573-8

    • NLM

      Costa L da F, Silva FN, Comin CH. Negative feedback, linearity and parameter invariance in linear electronics [Internet]. Electrical Engineering. 2018 ; 100( 2): 1159-1181.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00202-017-0573-8

    • Vancouver

      Costa L da F, Silva FN, Comin CH. Negative feedback, linearity and parameter invariance in linear electronics [Internet]. Electrical Engineering. 2018 ; 100( 2): 1159-1181.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00202-017-0573-8

  • Trabalho de evento

    Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates (2018)

    Matos, João Henrique Rocha; Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça

    Source: Livro de resumos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      MATOS, João Henrique Rocha e STEFANELO, Josiani Cristina e FARIA, Roberto Mendonça. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2018. Disponível em: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Matos, J. H. R., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2018). Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. In Livro de resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918

    • NLM

      Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Livro de resumos. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918

    • Vancouver

      Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p- and n-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Livro de resumos. 2018 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2018/paper/view/1223/918

  • Trabalho de evento

    Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates (2017)

    Matos, J. H. R.; Stefanelo, J. C.; Faria, Roberto Mendonça

    Source: Anais eletrônicos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MATOS, J. H. R. e STEFANELO, J. C. e FARIA, Roberto Mendonça. Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2017. Disponível em: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Matos, J. H. R., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2017). Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates. In Anais eletrônicos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469

    • NLM

      Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Anais eletrônicos. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469

    • Vancouver

      Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Production of p-channel OFETs using the inkjet printing technique aiming the application at logic gates [Internet]. Anais eletrônicos. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://eventos.eesc.usp.br/index.php/SICEM/xviiisicem/paper/view/872/469

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)

    Nascimento, Vinicius Mesquita do; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Nascimento, V. M. do. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

    • NLM

      Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

    • Vancouver

      Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/

  • Artigo de periodico

    Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures (2017)

    Martino, Márcio Dalla Valle; Claeys, Cor ; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Vandooren, A; Martino, João Antonio

    Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, v. 32, n. 5, p. 055015, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Martino, M. D. V., Claeys, C., Rooyackers, R., Simoen, E., Agopian, P. G. D., Vandooren, A., & Martino, J. A. (2017). Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, 32( 5), 055015. doi:10.1088/1361-6641/aa6764

    • NLM

      Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764

    • Vancouver

      Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764

  • Trabalho de evento-resumo

    Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors (2017)

    Matos, João Henrique Rocha; Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça

    Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MATOS, João Henrique Rocha e STEFANELO, Josiani Cristina e FARIA, Roberto Mendonça. Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors. 2017, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2017. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BQDE. Acesso em: 16 out. 2024.

    • APA

      Matos, J. H. R., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2017). Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BQDE

    • NLM

      Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BQDE

    • Vancouver

      Matos JHR, Stefanelo JC, Faria RM. Using the inkjet printing technique to improve the performance of p-channel organic field-effect transistors [Internet]. Program Book. 2017 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=BQDE

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