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Artigo de periodico
Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well (2019)
Patricio, M. A. Tito; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PATRICIO, M. A. Tito e LAPIERRE, R. R. e PUSEP, Yuri A. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, v. 125, n. 15, p. 155703-01-155703-06, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5085493. Acesso em: 18 nov. 2025.
APA
Patricio, M. A. T., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2019). Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, 125( 15), 155703-01-155703-06. doi:10.1063/1.5085493
NLM
Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
Vancouver
Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
Artigo de periodico
Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A ; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
TITO, M. A. et al. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 9, p. 094301-1-094301-8, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4942854. Acesso em: 18 nov. 2025.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, 119( 9), 094301-1-094301-8. doi:10.1063/1.4942854
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Artigo de periodico
Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers (2016)
Tavares, B. G. M.; Tito, M. A.; Pusep, Yuri A
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
TAVARES, B. G. M. e TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 23, p. 234305-1-234305-4, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4954161. Acesso em: 18 nov. 2025.
APA
Tavares, B. G. M., Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2016). Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, 119( 23), 234305-1-234305-4. doi:10.1063/1.4954161
NLM
Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 23): 234305-1-234305-4.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4954161
Vancouver
Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 23): 234305-1-234305-4.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4954161
Artigo de periodico
Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires (2013)
Pusep, Yuri A ; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Rodrigues, A. D.; Haapamaki, C. M.; LaPierre, R. R.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, v. 113, n. 16, p. 164311-1-164311-4, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4803494. Acesso em: 18 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Rodrigues, A. D., Haapamaki, C. M., & LaPierre, R. R. (2013). Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, 113( 16), 164311-1-164311-4. doi:10.1063/1.4803494
NLM
Pusep YA, Arakaki H, Souza CA de, Rodrigues AD, Haapamaki CM, LaPierre RR. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 16): 164311-1-164311-4.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4803494
Vancouver
Pusep YA, Arakaki H, Souza CA de, Rodrigues AD, Haapamaki CM, LaPierre RR. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 16): 164311-1-164311-4.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4803494
Artigo de periodico
Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well (2012)
Santos, L. Fernandes dos; Pusep, Yuri A ; Bakarov, A. K.; Toropov, A. I.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SANTOS, L. Fernandes dos et al. Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well. Journal of Applied Physics, v. 111, n. 12, p. 123523-1-123523-6, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4730769. Acesso em: 18 nov. 2025.
APA
Santos, L. F. dos, Pusep, Y. A., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2012). Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well. Journal of Applied Physics, 111( 12), 123523-1-123523-6. doi:10.1063/1.4730769
NLM
Santos LF dos, Pusep YA, Bakarov AK, Toropov AI. Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ; 111( 12): 123523-1-123523-6.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4730769
Vancouver
Santos LF dos, Pusep YA, Bakarov AK, Toropov AI. Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ; 111( 12): 123523-1-123523-6.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4730769
Artigo de periodico
Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices (2011)
Pusep, Yuri A ; Gold, A.; Mamani, N. C.; Godoy, M. P. F.; Gobato, Y. Galvão; LaPierre, R. R.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, v. 110, n. 7, p. 073706-1-073706-6, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3646365. Acesso em: 18 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Gold, A., Mamani, N. C., Godoy, M. P. F., Gobato, Y. G., & LaPierre, R. R. (2011). Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, 110( 7), 073706-1-073706-6. doi:10.1063/1.3646365
NLM
Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365
Vancouver
Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365
Artigo de periodico
Magnetotransport in a wide parabolic well superimposed with a superlattice (2011)
Pusep, Yuri A ; Gusev, Guennadii Michailovich ; Bakarov, A. K.; Toropov, A. I.; Portal, J. C.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO HALL, SEMICONDUTORES (SISTEMAS), FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Magnetotransport in a wide parabolic well superimposed with a superlattice. Journal of Applied Physics, v. 109, n. 10, p. 102403-1-102403-3, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3576134. Acesso em: 18 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Gusev, G. M., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., & Portal, J. C. (2011). Magnetotransport in a wide parabolic well superimposed with a superlattice. Journal of Applied Physics, 109( 10), 102403-1-102403-3. doi:10.1063/1.3576134
NLM
Pusep YA, Gusev GM, Bakarov AK, Toropov AI, Portal JC. Magnetotransport in a wide parabolic well superimposed with a superlattice [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 109( 10): 102403-1-102403-3.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3576134
Vancouver
Pusep YA, Gusev GM, Bakarov AK, Toropov AI, Portal JC. Magnetotransport in a wide parabolic well superimposed with a superlattice [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 109( 10): 102403-1-102403-3.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3576134
Artigo de periodico
Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure (2010)
Berengue, O. M.; Simon, R. A.; Chiquito, A. J.; Dalmaschio, C. J.; Leite, E. R.; Guerreiro, H. A.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, OXIDAÇÃO, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BERENGUE, O. M. et al. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 3, p. 033717-1-033717-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3294613. Acesso em: 18 nov. 2025.
APA
Berengue, O. M., Simon, R. A., Chiquito, A. J., Dalmaschio, C. J., Leite, E. R., Guerreiro, H. A., & Guimarães, F. E. G. (2010). Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, 107( 3), 033717-1-033717-4. doi:10.1063/1.3294613
NLM
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Vancouver
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Artigo de periodico
Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires (2009)
Mohseni, P. K.; Rodrigues, A. D.; Galzerani, J. C.; Pusep, Yuri A ; LaPierre, R. R.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
MOHSENI, P. K. et al. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, v. 106, n. 12, p. 124306-1-124306-7, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3269724. Acesso em: 18 nov. 2025.
APA
Mohseni, P. K., Rodrigues, A. D., Galzerani, J. C., Pusep, Y. A., & LaPierre, R. R. (2009). Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, 106( 12), 124306-1-124306-7. doi:10.1063/1.3269724
NLM
Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724
Vancouver
Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724
Artigo de periodico
Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence (2009)
Castelano, L. K.; Hai, Guo-Qiang ; Partoens, B; Peeters, F. M.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, ENERGIA
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ABNT
CASTELANO, L. K. et al. Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence. Journal of Applied Physics, v. 106, n. 7, p. 073702-1-073702-8, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3223360. Acesso em: 18 nov. 2025.
APA
Castelano, L. K., Hai, G. -Q., Partoens, B., & Peeters, F. M. (2009). Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence. Journal of Applied Physics, 106( 7), 073702-1-073702-8. doi:10.1063/1.3223360
NLM
Castelano LK, Hai G-Q, Partoens B, Peeters FM. Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 7): 073702-1-073702-8.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3223360
Vancouver
Castelano LK, Hai G-Q, Partoens B, Peeters FM. Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 7): 073702-1-073702-8.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3223360
Artigo de periodico
Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers (2008)
Pusep, Yuri A ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: EFEITO HALL, POÇOS QUÂNTICOS (ESTRUTURA), SEMICONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, v. 104, p. 063702-1-063702-6, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.036. Acesso em: 18 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Guimarães, F. E. G., Arakaki, H., & Souza, C. A. de. (2008). Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, 104, 063702-1-063702-6. doi:10.1016/j.physe.2007.09.036
NLM
Pusep YA, Guimarães FEG, Arakaki H, Souza CA de. Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104 063702-1-063702-6.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.036
Vancouver
Pusep YA, Guimarães FEG, Arakaki H, Souza CA de. Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104 063702-1-063702-6.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.036
Artigo de periodico
Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings (2007)
Piacente, G.; Hai, Guo-Qiang
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: ESPECTROSCOPIA, CAMPO MAGNÉTICO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIACENTE, G. e HAI, Guo-Qiang. Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings. Journal of Applied Physics, v. 101, n. Ju 2007, p. 124308-1-124308-6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2748715. Acesso em: 18 nov. 2025.
APA
Piacente, G., & Hai, G. -Q. (2007). Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings. Journal of Applied Physics, 101( Ju 2007), 124308-1-124308-6. doi:10.1063/1.2748715
NLM
Piacente G, Hai G-Q. Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( Ju 2007): 124308-1-124308-6.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2748715
Vancouver
Piacente G, Hai G-Q. Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( Ju 2007): 124308-1-124308-6.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2748715
Artigo de periodico
High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices (2006)
Cornet, D. M.; LaPierre, R. R.; Comedi, D.; Pusep, Yuri A
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CORNET, D. M. et al. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 4, p. 043518-1-043518-6, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2335689. Acesso em: 18 nov. 2025.
APA
Cornet, D. M., LaPierre, R. R., Comedi, D., & Pusep, Y. A. (2006). High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, 100( 4), 043518-1-043518-6. doi:10.1063/1.2335689
NLM
Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689
Vancouver
Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2025 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689

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