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  • Artigo de periodico

    Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide (2025)

    Souza, Adelcio Marques de ; Celino, Daniel Ricardo ; Ragi, Regiane ; Romero, Murilo Araujo

    Source: IEEE Access. Unidade: EESC

    Subjects: TRANSISTORES, NANOELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, ENGENHARIA ELÉTRICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SOUZA, Adelcio Marques de et al. Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide. IEEE Access, v. 13, p. 138112-138124, 2025Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2025.3595055. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2025). Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide. IEEE Access, 13, 138112-138124. doi:10.1109/ACCESS.2025.3595055

    • NLM

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide [Internet]. IEEE Access. 2025 ; 13 138112-138124.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2025.3595055

    • Vancouver

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide [Internet]. IEEE Access. 2025 ; 13 138112-138124.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2025.3595055

  • Trabalho de evento

    Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET (2022)

    Carvalho, Henrique Lanfredi; Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio

    Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, ALUMÍNIO, NANOELETRÔNICA, CIRCUITOS ANALÓGICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CARVALHO, Henrique Lanfredi et al. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Carvalho, H. L., Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., Agopian, P. G. D., Yojo, L. S., & Martino, J. A. (2022). Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960

    • NLM

      Carvalho HL, Rangel RC, Sasaki KRA, Agopian PGD, Yojo LS, Martino JA. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960

    • Vancouver

      Carvalho HL, Rangel RC, Sasaki KRA, Agopian PGD, Yojo LS, Martino JA. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960

  • Trabalho de evento

    Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices (2021)

    Unigarro, Andres David Peña; Faria, Gregório Couto ; Günther, Florian Steffen

    Source: Livro de resumos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), NANOELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      UNIGARRO, Andres David Peña e FARIA, Gregório Couto e GÜNTHER, Florian Steffen. Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices. 2021, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2021. Disponível em: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2021/paper/view/3451/2329. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Unigarro, A. D. P., Faria, G. C., & Günther, F. S. (2021). Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices. In Livro de resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2021/paper/view/3451/2329

    • NLM

      Unigarro ADP, Faria GC, Günther FS. Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices [Internet]. Livro de resumos. 2021 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2021/paper/view/3451/2329

    • Vancouver

      Unigarro ADP, Faria GC, Günther FS. Implementation and simulation of drift-diffusion models for organic mixed conductor devices [Internet]. Livro de resumos. 2021 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2021/paper/view/3451/2329

  • Dissertação (Mestrado)

    A universal platform for fabricating organic electrochemical transistors and application in biosensing technology (2019)

    Cavassin, Priscila; Faria, Gregório Couto (Orientador)

    Unidade: IFSC

    Subjects: ANESTÉSICOS LOCAIS, POLÍMEROS (MATERIAIS), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, NANOELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAVASSIN, Priscila. A universal platform for fabricating organic electrochemical transistors and application in biosensing technology. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2019. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-18052020-152706/. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Cavassin, P. (2019). A universal platform for fabricating organic electrochemical transistors and application in biosensing technology (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-18052020-152706/

    • NLM

      Cavassin P. A universal platform for fabricating organic electrochemical transistors and application in biosensing technology [Internet]. 2019 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-18052020-152706/

    • Vancouver

      Cavassin P. A universal platform for fabricating organic electrochemical transistors and application in biosensing technology [Internet]. 2019 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-18052020-152706/

  • Trabalho de evento-resumo

    A universal platform for fabricating organic electrochemical devices (2018)

    Cavassin, Priscila; Colucci, Renan; Tuchman, Yaakov; Duong, Duc T.; Salleo, Alberto; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, NANOELETRÔNICA, SINAPSE

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAVASSIN, Priscila et al. A universal platform for fabricating organic electrochemical devices. 2018, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2018. Disponível em: https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4FHB. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Cavassin, P., Colucci, R., Tuchman, Y., Duong, D. T., Salleo, A., & Faria, G. C. (2018). A universal platform for fabricating organic electrochemical devices. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4FHB

    • NLM

      Cavassin P, Colucci R, Tuchman Y, Duong DT, Salleo A, Faria GC. A universal platform for fabricating organic electrochemical devices [Internet]. Program. 2018 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4FHB

    • Vancouver

      Cavassin P, Colucci R, Tuchman Y, Duong DT, Salleo A, Faria GC. A universal platform for fabricating organic electrochemical devices [Internet]. Program. 2018 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4FHB

  • Artigo de jornal-dep/entr

    Artefato que imita sinapse pode contribuir para a criação do computador neuromórfico. [Depoimento a José Tadeu Arantes] (2017)

    Faria, Gregório Couto

    Source: Agência FAPESP. Unidade: IFSC

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, NANOELETRÔNICA, SINAPSE

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FARIA, Gregório Couto. Artefato que imita sinapse pode contribuir para a criação do computador neuromórfico. [Depoimento a José Tadeu Arantes]. Agência FAPESP. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://agencia.fapesp.br/print/artefato-que-imita-sinapse-pode-contribuir-para-a-criacao-do-computador-neuromorfico/25532/. Acesso em: 27 nov. 2025. , 2017

    • APA

      Faria, G. C. (2017). Artefato que imita sinapse pode contribuir para a criação do computador neuromórfico. [Depoimento a José Tadeu Arantes]. Agência FAPESP. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://agencia.fapesp.br/print/artefato-que-imita-sinapse-pode-contribuir-para-a-criacao-do-computador-neuromorfico/25532/

    • NLM

      Faria GC. Artefato que imita sinapse pode contribuir para a criação do computador neuromórfico. [Depoimento a José Tadeu Arantes] [Internet]. Agência FAPESP. 2017 ;(22 ju 2017):[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://agencia.fapesp.br/print/artefato-que-imita-sinapse-pode-contribuir-para-a-criacao-do-computador-neuromorfico/25532/

    • Vancouver

      Faria GC. Artefato que imita sinapse pode contribuir para a criação do computador neuromórfico. [Depoimento a José Tadeu Arantes] [Internet]. Agência FAPESP. 2017 ;(22 ju 2017):[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://agencia.fapesp.br/print/artefato-que-imita-sinapse-pode-contribuir-para-a-criacao-do-computador-neuromorfico/25532/
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