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Artigo de periodico
Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions (1988)
Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Source: Surface Science. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions. Surface Science, v. 196, n. 1-3, p. 459-65, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90726-1. Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Degani, M. H., & Hipólito, O. (1988). Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions. Surface Science, 196( 1-3), 459-65. doi:10.1016/0039-6028(88)90726-1
NLM
Degani MH, Hipólito O. Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions [Internet]. Surface Science. 1988 ;196( 1-3): 459-65.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90726-1
Vancouver
Degani MH, Hipólito O. Electro-interface-phonon interaction in 'GA''AS' / alas and inas / gasb heterojunctions [Internet]. Surface Science. 1988 ;196( 1-3): 459-65.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90726-1
Artigo de periodico
Bound magnetic polaron in semimagnetic semiconductor heterostructures (1988)
Marques, G E; Chitta, Valmir Antonio ; Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Source: Surface Science. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUES, G E et al. Bound magnetic polaron in semimagnetic semiconductor heterostructures. Surface Science, v. 196, n. 1-3, p. 659-64, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90757-1. Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Marques, G. E., Chitta, V. A., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1988). Bound magnetic polaron in semimagnetic semiconductor heterostructures. Surface Science, 196( 1-3), 659-64. doi:10.1016/0039-6028(88)90757-1
NLM
Marques GE, Chitta VA, Degani MH, Hipólito O. Bound magnetic polaron in semimagnetic semiconductor heterostructures [Internet]. Surface Science. 1988 ;196( 1-3): 659-64.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90757-1
Vancouver
Marques GE, Chitta VA, Degani MH, Hipólito O. Bound magnetic polaron in semimagnetic semiconductor heterostructures [Internet]. Surface Science. 1988 ;196( 1-3): 659-64.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(88)90757-1
Artigo de periodico
Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices (1987)
Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
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ABNT
SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices. Surface Science, v. 189-90, n. 1-3, p. 913-8, 1987Tradução . . Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1987). Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices. Surface Science, 189-90( 1-3), 913-8.
NLM
Srivastava GP, Ferraz AC. Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices. Surface Science. 1987 ;189-90( 1-3): 913-8.[citado 2025 nov. 28 ]
Vancouver
Srivastava GP, Ferraz AC. Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices. Surface Science. 1987 ;189-90( 1-3): 913-8.[citado 2025 nov. 28 ]
Artigo de periodico
Determination of the surface geometry of gaas(110) by the total energy and force methods (1987)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Surface Science. Unidade: IF
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ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Determination of the surface geometry of gaas(110) by the total energy and force methods. Surface Science, v. 182, n. 1-2, p. 161-78, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0167-2584(87)90092-2. Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1987). Determination of the surface geometry of gaas(110) by the total energy and force methods. Surface Science, 182( 1-2), 161-78. doi:10.1016/0167-2584(87)90092-2
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Determination of the surface geometry of gaas(110) by the total energy and force methods [Internet]. Surface Science. 1987 ;182( 1-2): 161-78.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0167-2584(87)90092-2
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Determination of the surface geometry of gaas(110) by the total energy and force methods [Internet]. Surface Science. 1987 ;182( 1-2): 161-78.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0167-2584(87)90092-2
Artigo de periodico
Ground impurity level in 'GA''AS'-'AL''GA''AS' superlattices (1986)
Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Tsu, R
Source: Surface Science. Unidade: IFSC
Assunto: EQUAÇÕES ALGÉBRICAS DIFERENCIAIS
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ABNT
IORIATTI JÚNIOR, Lidério Citrângulo e TSU, R. Ground impurity level in 'GA''AS'-'AL''GA''AS' superlattices. Surface Science, v. 174, n. 1-3, p. 420-4, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0039-6028(86)90445-0. Acesso em: 28 nov. 2025.
APA
Ioriatti Júnior, L. C., & Tsu, R. (1986). Ground impurity level in 'GA''AS'-'AL''GA''AS' superlattices. Surface Science, 174( 1-3), 420-4. doi:10.1016/0039-6028(86)90445-0
NLM
Ioriatti Júnior LC, Tsu R. Ground impurity level in 'GA''AS'-'AL''GA''AS' superlattices [Internet]. Surface Science. 1986 ;174( 1-3): 420-4.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(86)90445-0
Vancouver
Ioriatti Júnior LC, Tsu R. Ground impurity level in 'GA''AS'-'AL''GA''AS' superlattices [Internet]. Surface Science. 1986 ;174( 1-3): 420-4.[citado 2025 nov. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(86)90445-0

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