Filtros : "Journal of Applied Physics" "Chambouleyron, I" Limpar

Filtros



Limitar por data


  • Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SANTOS, P V et al. Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 5, p. 2575-2581, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1390312. Acesso em: 08 nov. 2025.
    • APA

      Santos, P. V., Trampert, A., Dondeo, F., Comedi, D., Zhu, H. J., Ploog, K. H., et al. (2001). Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs. Journal of Applied Physics, 90( 5), 2575-2581. doi:10.1063/1.1390312
    • NLM

      Santos PV, Trampert A, Dondeo F, Comedi D, Zhu HJ, Ploog KH, Zanatta AR, Chambouleyron I. Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ;90( 5): 2575-2581.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1390312
    • Vancouver

      Santos PV, Trampert A, Dondeo F, Comedi D, Zhu HJ, Ploog KH, Zanatta AR, Chambouleyron I. Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ;90( 5): 2575-2581.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1390312
  • Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ZANATTA, Antonio Ricardo e MULATO, M e CHAMBOULEYRON, I. Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors. Journal of Applied Physics, v. 84, n. 9, p. 5184-5190, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.368768. Acesso em: 08 nov. 2025.
    • APA

      Zanatta, A. R., Mulato, M., & Chambouleyron, I. (1998). Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors. Journal of Applied Physics, 84( 9), 5184-5190. doi:10.1063/1.368768
    • NLM

      Zanatta AR, Mulato M, Chambouleyron I. Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 9): 5184-5190.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.368768
    • Vancouver

      Zanatta AR, Mulato M, Chambouleyron I. Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 9): 5184-5190.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.368768
  • Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      CHAMBOULEYRON, I e ZANATTA, Antonio Ricardo. Nitrogen in germanium. Journal of Applied Physics, v. 84, n. 1, p. 1-30, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.368612. Acesso em: 08 nov. 2025.
    • APA

      Chambouleyron, I., & Zanatta, A. R. (1998). Nitrogen in germanium. Journal of Applied Physics, 84( 1), 1-30. doi:10.1063/1.368612
    • NLM

      Chambouleyron I, Zanatta AR. Nitrogen in germanium [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 1): 1-30.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.368612
    • Vancouver

      Chambouleyron I, Zanatta AR. Nitrogen in germanium [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 1): 1-30.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.368612

Biblioteca Digital de Produção Intelectual da Universidade de São Paulo     2012 - 2025