ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento
Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM) (1997)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Rubim, Joel Camargo; Matz, M
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidades: EP, IQ
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes et al. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 15 ago. 2024.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., Rubim, J. C., & Matz, M. (1997). Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC, Matz M. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 15 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC, Matz M. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Morphological parameter of porous silicon obtained by anodization in 'HF' (1996)
Salcedo, Walter Jaimes ; Galeazzo, Elisabete ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Libro de Resumenes. Nome do evento: Congreso Iberoamericano de Electroquimica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e GALEAZZO, Elisabete e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Morphological parameter of porous silicon obtained by anodization in 'HF'. 1996, Anais.. Merida: Universidad de los Andes, 1996. . Acesso em: 15 ago. 2024.
APA
Salcedo, W. J., Galeazzo, E., & Ramírez Fernandez, F. J. (1996). Morphological parameter of porous silicon obtained by anodization in 'HF'. In Libro de Resumenes. Merida: Universidad de los Andes.
NLM
Salcedo WJ, Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ. Morphological parameter of porous silicon obtained by anodization in 'HF'. Libro de Resumenes. 1996 ;[citado 2024 ago. 15 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ. Morphological parameter of porous silicon obtained by anodization in 'HF'. Libro de Resumenes. 1996 ;[citado 2024 ago. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Structural characterization of photoluminescent porous silicon (1995)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Galeazzo, Elisabete
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e GALEAZZO, Elisabete. Structural characterization of photoluminescent porous silicon. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 15 ago. 2024.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Galeazzo, E. (1995). Structural characterization of photoluminescent porous silicon. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Structural characterization of photoluminescent porous silicon. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 ago. 15 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Structural characterization of photoluminescent porous silicon. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 ago. 15 ]
Trabalho de evento
Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso (1994)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Galeazzo, Elisabete
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e GALEAZZO, Elisabete. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 15 ago. 2024.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Galeazzo, E. (1994). Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2024 ago. 15 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2024 ago. 15 ]
Trabalho de evento
Sensor de umidade implementado com diodo schottky sobre silicio poroso (1994)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Sensor de umidade implementado com diodo schottky sobre silicio poroso. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 15 ago. 2024.
APA
Salcedo, W. J., & Ramírez Fernandez, F. J. (1994). Sensor de umidade implementado com diodo schottky sobre silicio poroso. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Sensor de umidade implementado com diodo schottky sobre silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2024 ago. 15 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ. Sensor de umidade implementado com diodo schottky sobre silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2024 ago. 15 ]

Unidades USP

ReP

Filtros