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Artigo de periodico
Breaking of gold nanowires (2004)
Silva, Edison Z da; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Computational Materials Science. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, VÁCUO, MICROSCOPIA ELETRÔNICA
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ABNT
SILVA, Edison Z da e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Breaking of gold nanowires. Computational Materials Science, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.011. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, E. Z. da, Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). Breaking of gold nanowires. Computational Materials Science. doi:10.1016/j.commatsci.2004.01.011
NLM
Silva EZ da, Silva AJR da, Fazzio A. Breaking of gold nanowires [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.011
Vancouver
Silva EZ da, Silva AJR da, Fazzio A. Breaking of gold nanowires [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.011
Artigo de periodico
Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects (2001)
Venezuela, P; Silva, Antonio Jose Roque da ; Silva, Cesar da; Dalpian, Gustavo Martini ; Fazzio, Adalberto
Source: Computational Materials Science. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS DINÂMICOS, ESTABILIDADE DE SISTEMAS
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science, v. 22, n. 1-2, p. 62-66, 2001Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, Silva, C. da, Dalpian, G. M., & Fazzio, A. (2001). Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science, 22( 1-2), 62-66.
NLM
Venezuela P, Silva AJR da, Silva C da, Dalpian GM, Fazzio A. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 62-66.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Venezuela P, Silva AJR da, Silva C da, Dalpian GM, Fazzio A. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 62-66.[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) (2001)
Dalpian, Gustavo Martini ; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Computational Materials Science. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, DENSIDADE, SUPERFÍCIE FÍSICA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, ABSORÇÃO
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ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100). Computational Materials Science, v. 22, n. 1-2, p. 19-23, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100). Computational Materials Science, 22( 1-2), 19-23. doi:10.1016/s0927-0256(01)00158-6
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) [Internet]. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 19-23.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100) [Internet]. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 19-23.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0927-0256(01)00158-6

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