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Artigo de periodico
Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes (2012)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Fonte: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
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ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, Adalberto. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 11, n. 1, p. 71-76, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2012). Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, 11( 1), 71-76. doi:10.1109/TNANO.2011.2150760
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760
Trabalho de evento-resumo
The Flatland of the Topological Insulator (2012)
Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumo. Nome do evento: XXX Encontro de Físicos do Norte e Nordeste / ID: 34-1 [EST]. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
FAZZIO, Adalberto. The Flatland of the Topological Insulator. 2012, Anais.. São Paulo: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0209-1.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A. (2012). The Flatland of the Topological Insulator. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0209-1.pdf
NLM
Fazzio A. The Flatland of the Topological Insulator [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0209-1.pdf
Vancouver
Fazzio A. The Flatland of the Topological Insulator [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0209-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Effect of stacking order on the transport properties of few-layer graphene (2012)
Pontes, Renato Borges; Padilha, José Eduardo; Lima, Matheus Paes; Silva, Antônio J. R. da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumo. Nome do evento: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PONTES, Renato Borges et al. Effect of stacking order on the transport properties of few-layer graphene. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0381-1.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Pontes, R. B., Padilha, J. E., Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2012). Effect of stacking order on the transport properties of few-layer graphene. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0381-1.pdf
NLM
Pontes RB, Padilha JE, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Effect of stacking order on the transport properties of few-layer graphene [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0381-1.pdf
Vancouver
Pontes RB, Padilha JE, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Effect of stacking order on the transport properties of few-layer graphene [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0381-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Palestra 9: Inovação "e pur si muove" com nanotecnologia (2012)
Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumo. Nome do evento: Curso de Verão. Unidade: IF
Assunto: NANOCIÊNCIA
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ABNT
FAZZIO, Adalberto. Palestra 9: Inovação "e pur si muove" com nanotecnologia. 2012, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, 2012. Disponível em: http://web.if.usp.br/pesquisa/node/330. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A. (2012). Palestra 9: Inovação "e pur si muove" com nanotecnologia. In Resumo. São Paulo: Instituto de Física. Recuperado de http://web.if.usp.br/pesquisa/node/330
NLM
Fazzio A. Palestra 9: Inovação "e pur si muove" com nanotecnologia [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://web.if.usp.br/pesquisa/node/330
Vancouver
Fazzio A. Palestra 9: Inovação "e pur si muove" com nanotecnologia [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://web.if.usp.br/pesquisa/node/330
Artigo de periodico
Bilayer graphene on h-BN substrate: investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field (2012)
Padilha, José Eduardo ; Pontes, Renato Borges ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IF
Assuntos: ELETRICIDADE E ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
PADILHA, José Eduardo e PONTES, Renato Borges e FAZZIO, Adalberto. Bilayer graphene on h-BN substrate: investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field. Journal of Physics: Condensed Matter, v. fe2012, n. 7, p. 075301, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/24/7/075301. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Padilha, J. E., Pontes, R. B., & Fazzio, A. (2012). Bilayer graphene on h-BN substrate: investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field. Journal of Physics: Condensed Matter, fe2012( 7), 075301. doi:10.1088/0953-8984/24/7/075301
NLM
Padilha JE, Pontes RB, Fazzio A. Bilayer graphene on h-BN substrate: investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2012 ; fe2012( 7): 075301.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/24/7/075301
Vancouver
Padilha JE, Pontes RB, Fazzio A. Bilayer graphene on h-BN substrate: investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2012 ; fe2012( 7): 075301.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/24/7/075301
Artigo de periodico
Ab-initio calculations for a realistic sensor: a study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes (2012)
Souza, Amaury de Melo; Rocha, A R; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Fonte: AIP Advances. Unidade: IF
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Amaury de Melo et al. Ab-initio calculations for a realistic sensor: a study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes. AIP Advances, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4739280. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Souza, A. de M., Rocha, A. R., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2012). Ab-initio calculations for a realistic sensor: a study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes. AIP Advances. doi:10.1063/1.4739280
NLM
Souza A de M, Rocha AR, Fazzio A, Silva AJR da. Ab-initio calculations for a realistic sensor: a study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes [Internet]. AIP Advances. 2012 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4739280
Vancouver
Souza A de M, Rocha AR, Fazzio A, Silva AJR da. Ab-initio calculations for a realistic sensor: a study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes [Internet]. AIP Advances. 2012 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4739280
Artigo de periodico
Ab-initio calculations for a realistic sensor: A study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes (2012)
Souza, A M; Rocha, A R; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Fonte: AIP Advances. Unidade: IF
Assunto: MECÂNICA QUÂNTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, A M et al. Ab-initio calculations for a realistic sensor: A study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes. AIP Advances, v. 2, n. 3, p. 032115/1-032115/8, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4739280. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Souza, A. M., Rocha, A. R., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2012). Ab-initio calculations for a realistic sensor: A study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes. AIP Advances, 2( 3), 032115/1-032115/8. doi:10.1063/1.4739280
NLM
Souza AM, Rocha AR, Fazzio A, Silva AJR da. Ab-initio calculations for a realistic sensor: A study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes [Internet]. AIP Advances. 2012 ;2( 3): 032115/1-032115/8.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4739280
Vancouver
Souza AM, Rocha AR, Fazzio A, Silva AJR da. Ab-initio calculations for a realistic sensor: A study of CO sensors based on nitrogen-rich carbon nanotubes [Internet]. AIP Advances. 2012 ;2( 3): 032115/1-032115/8.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4739280

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