ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento-resumo
Simulação da formação de CSi amorfo mediante resfriamento da fase cristalina por Monte Carlo contínuo (2000)
Silva, Cesar Renato Simenes da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Cesar Renato Simenes da e FAZZIO, Adalberto. Simulação da formação de CSi amorfo mediante resfriamento da fase cristalina por Monte Carlo contínuo. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, C. R. S. da, & Fazzio, A. (2000). Simulação da formação de CSi amorfo mediante resfriamento da fase cristalina por Monte Carlo contínuo. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva CRS da, Fazzio A. Simulação da formação de CSi amorfo mediante resfriamento da fase cristalina por Monte Carlo contínuo. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Silva CRS da, Fazzio A. Simulação da formação de CSi amorfo mediante resfriamento da fase cristalina por Monte Carlo contínuo. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Self-interstitial defect in germanium (2000)
Silva, Antonio J R da; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto ; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio J R da et al. Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, v. 61, n. 15, p. 9903-9906, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Janotti, A., Fazzio, A., Baierle, R. J., & Mota, R. (2000). Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, 61( 15), 9903-9906. doi:10.1103/physrevb.62.9903
NLM
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9903-9906.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Vancouver
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9903-9906.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Trabalho de evento-resumo
The formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nano-Si system (2000)
Silva, Cesar Renato Simenes da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Cesar Renato Simenes da e FAZZIO, Adalberto. The formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nano-Si system. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, C. R. S. da, & Fazzio, A. (2000). The formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nano-Si system. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva CRS da, Fazzio A. The formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nano-Si system. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Silva CRS da, Fazzio A. The formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nano-Si system. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletrônicas e estruturais de junções metal-semiconductor em nanotubos de carbono (2000)
Machado, Marcelo Pereira; Piquini, Paulo Cesar; Mota, Ronaldo; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACHADO, Marcelo Pereira et al. Propriedades eletrônicas e estruturais de junções metal-semiconductor em nanotubos de carbono. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Machado, M. P., Piquini, P. C., Mota, R., & Fazzio, A. (2000). Propriedades eletrônicas e estruturais de junções metal-semiconductor em nanotubos de carbono. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Machado MP, Piquini PC, Mota R, Fazzio A. Propriedades eletrônicas e estruturais de junções metal-semiconductor em nanotubos de carbono. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Machado MP, Piquini PC, Mota R, Fazzio A. Propriedades eletrônicas e estruturais de junções metal-semiconductor em nanotubos de carbono. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of intrinsic defects in germanium (2000)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e JANOTTI, A. e FAZZIO, Adalberto. Study of intrinsic defects in germanium. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Janotti, A., & Fazzio, A. (2000). Study of intrinsic defects in germanium. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A. Study of intrinsic defects in germanium. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A. Study of intrinsic defects in germanium. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Microscopic picture of the single vacancy in germanium (2000)
Fazzio, Adalberto ; Janotti, A.; Silva, Antonio Jose Roque da ; Mota, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Microscopic picture of the single vacancy in germanium. Physical Review B, v. 61. n. 4, p. R2401-R2404, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.r2401. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., Janotti, A., Silva, A. J. R. da, & Mota, R. (2000). Microscopic picture of the single vacancy in germanium. Physical Review B, 61. n. 4, R2401-R2404. doi:10.1103/physrevb.61.r2401
NLM
Fazzio A, Janotti A, Silva AJR da, Mota R. Microscopic picture of the single vacancy in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61. n. 4 R2401-R2404.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.r2401
Vancouver
Fazzio A, Janotti A, Silva AJR da, Mota R. Microscopic picture of the single vacancy in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61. n. 4 R2401-R2404.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.r2401
Artigo de periodico
Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes (2000)
Fagan, Solange B; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.; Silva, Antonio J R da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange B et al. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes. Physical Review B, v. 61, n. 15, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.9994. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fagan, S. B., Baierle, R. J., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2000). Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes. Physical Review B, 61( 15). doi:10.1103/physrevb.61.9994
NLM
Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.9994
Vancouver
Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.9994
Artigo de periodico
The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide (2000)
Schmidt, T M; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 12, n. 49, p. 10235-10239, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/323. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2000). The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide. Journal of Physics-Condensed Matter, 12( 49), 10235-10239. doi:10.1088/0953-8984/12/49/323
NLM
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2000 ; 12( 49): 10235-10239.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/323
Vancouver
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2000 ; 12( 49): 10235-10239.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/323
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault (2000)
Schmidt, Tome Mauro; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, Tome Mauro e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2000). Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Self-interstitial defect in germanium (2000)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto ; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, v. 62, n. 15, p. 9903-9906, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Janotti, A., Fazzio, A., Baierle, R. J., & Mota, R. (2000). Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, 62( 15), 9903-9906. doi:10.1103/physrevb.62.9903
NLM
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 62( 15): 9903-9906.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Vancouver
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 62( 15): 9903-9906.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Artigo de periodico
Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes (2000)
Fagan, Solange B; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange B et al. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes. Physical Review B, v. 61, n. 15, p. 9994-9996, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.9994. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fagan, S. B., Baierle, R. J., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2000). Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes. Physical Review B, 61( 15), 9994-9996. doi:10.1103/physrevb.61.9994
NLM
Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9994-9996.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.9994
Vancouver
Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9994-9996.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.9994
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of Si nanostructures deposited on the Si(100) (2000)
Silveira, Marcilei Aparecida Guazzelli da; Fazzio, Adalberto ; Kintop, Jorge Alberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVEIRA, Marcilei Aparecida Guazzelli da et al. Theoretical study of Si nanostructures deposited on the Si(100). 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silveira, M. A. G. da, Fazzio, A., Kintop, J. A., & Silva, A. J. R. da. (2000). Theoretical study of Si nanostructures deposited on the Si(100). In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silveira MAG da, Fazzio A, Kintop JA, Silva AJR da. Theoretical study of Si nanostructures deposited on the Si(100). Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Silveira MAG da, Fazzio A, Kintop JA, Silva AJR da. Theoretical study of Si nanostructures deposited on the Si(100). Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface (2000)
Dalpian, Gustavo Martini ; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Janotti, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2000). Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation (2000)
Mota, Fernando de Brito; Fazzio, Adalberto ; Justo Filho, João Francisco
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Fernando de Brito e FAZZIO, Adalberto e JUSTO FILHO, João Francisco. Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Mota, F. de B., Fazzio, A., & Justo Filho, J. F. (2000). Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Fazzio A, Justo Filho JF. Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Mota F de B, Fazzio A, Justo Filho JF. Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. Resumos. 2000 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Dislocation core reconstruction in zinc-blende semiconductors (2000)
Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto ; Antonelli, Alex
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto e ANTONELLI, Alex. Dislocation core reconstruction in zinc-blende semiconductors. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 12, n. 49, p. 10039-10044, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/303. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Fazzio, A., & Antonelli, A. (2000). Dislocation core reconstruction in zinc-blende semiconductors. Journal of Physics-Condensed Matter, 12( 49), 10039-10044. doi:10.1088/0953-8984/12/49/303
NLM
Justo Filho JF, Fazzio A, Antonelli A. Dislocation core reconstruction in zinc-blende semiconductors [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2000 ; 12( 49): 10039-10044.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/303
Vancouver
Justo Filho JF, Fazzio A, Antonelli A. Dislocation core reconstruction in zinc-blende semiconductors [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2000 ; 12( 49): 10039-10044.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/303

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

Non normalized affiliation