Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault (2000)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
SCHMIDT, Tome Mauro e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2000). Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. Resumos. 2000 ;[citado 2024 mar. 28 ] -
Vancouver
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