ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Optical transitions in ruby across the corundum to 'Rh IND.2''O IND.3' (II) phase transformation (1998)
Duan, W. H.; Paiva, G.; Wentzcovitch, R. M.; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUAN, W. H. et al. Optical transitions in ruby across the corundum to 'Rh IND.2''O IND.3' (II) phase transformation. Physical Review Letters, v. 81, n. 15, p. 3267-3270, 1998Tradução . . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Duan, W. H., Paiva, G., Wentzcovitch, R. M., & Fazzio, A. (1998). Optical transitions in ruby across the corundum to 'Rh IND.2''O IND.3' (II) phase transformation. Physical Review Letters, 81( 15), 3267-3270.
NLM
Duan WH, Paiva G, Wentzcovitch RM, Fazzio A. Optical transitions in ruby across the corundum to 'Rh IND.2''O IND.3' (II) phase transformation. Physical Review Letters. 1998 ; 81( 15): 3267-3270.[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Duan WH, Paiva G, Wentzcovitch RM, Fazzio A. Optical transitions in ruby across the corundum to 'Rh IND.2''O IND.3' (II) phase transformation. Physical Review Letters. 1998 ; 81( 15): 3267-3270.[citado 2025 dez. 04 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Ab initio study of group V elements in amorphous silicon (1998)
Fazzio, Adalberto ; Venezuela, P
Source: Journal Non-Crystalline Solids. Conference titles: International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology - ICAMS. Unidade: IF
Assunto: QUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto e VENEZUELA, P. Ab initio study of group V elements in amorphous silicon. Journal Non-Crystalline Solids. Amsterdam: North-Holland. . Acesso em: 04 dez. 2025. , 1998
APA
Fazzio, A., & Venezuela, P. (1998). Ab initio study of group V elements in amorphous silicon. Journal Non-Crystalline Solids. Amsterdam: North-Holland.
NLM
Fazzio A, Venezuela P. Ab initio study of group V elements in amorphous silicon. Journal Non-Crystalline Solids. 1998 ; 227-230 372-375.[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Fazzio A, Venezuela P. Ab initio study of group V elements in amorphous silicon. Journal Non-Crystalline Solids. 1998 ; 227-230 372-375.[citado 2025 dez. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
First principles calculations of ultra high pressure ruby spectroscopy (1998)
Paiva, G.; Fazzio, Adalberto ; Duan, W.; Wentzcovitch, R. M.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, G. et al. First principles calculations of ultra high pressure ruby spectroscopy. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Paiva, G., Fazzio, A., Duan, W., & Wentzcovitch, R. M. (1998). First principles calculations of ultra high pressure ruby spectroscopy. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Paiva G, Fazzio A, Duan W, Wentzcovitch RM. First principles calculations of ultra high pressure ruby spectroscopy. Resumos. 1998 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Paiva G, Fazzio A, Duan W, Wentzcovitch RM. First principles calculations of ultra high pressure ruby spectroscopy. Resumos. 1998 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, Adalberto ; Piquini, P; Mota, R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 04 dez. 2025. , 1998
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1998). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Structural properties of amorphous silicon nitride (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, v. 58, n. 3, p. 8323-8328, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, 58( 3), 8323-8328. doi:10.1103/physrevb.58.8323
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323
Artigo de periodico
Electronic and structural trends in small 'GaAs' clusters (1998)
Piquini, P; Canuto, Sylvio Roberto Accioly ; Fazzio, Adalberto
Source: Nanostructured Materials. Unidade: IF
Assunto: METALURGIA FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P e CANUTO, Sylvio Roberto Accioly e FAZZIO, Adalberto. Electronic and structural trends in small 'GaAs' clusters. Nanostructured Materials, v. 10, n. 4, p. 635-647, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0965-9773(98)00091-9. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Piquini, P., Canuto, S. R. A., & Fazzio, A. (1998). Electronic and structural trends in small 'GaAs' clusters. Nanostructured Materials, 10( 4), 635-647. doi:10.1016/s0965-9773(98)00091-9
NLM
Piquini P, Canuto SRA, Fazzio A. Electronic and structural trends in small 'GaAs' clusters [Internet]. Nanostructured Materials. 1998 ; 10( 4): 635-647.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0965-9773(98)00091-9
Vancouver
Piquini P, Canuto SRA, Fazzio A. Electronic and structural trends in small 'GaAs' clusters [Internet]. Nanostructured Materials. 1998 ; 10( 4): 635-647.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0965-9773(98)00091-9
Trabalho de evento-resumo
Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, Adalberto ; Mota, R.; Piquini, P
Source: resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. In resumos. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of a-SiN (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Structural and electronic properties of a-SiN. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of a-SiN. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs (1998)
Fazzio, Adalberto ; Janotti, A.; Mota, R.; Piquini, P
Source: Radiation Effects and Defect in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers. . Acesso em: 04 dez. 2025. , 1998
APA
Fazzio, A., Janotti, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers.
NLM
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of silicon nitride materials (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, FÍSICO-QUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, v. 70, p. 973-980, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, 70, 973-980. doi:10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Monografia/livro
Introdução à teoria de grupos com aplicações em moléculas e sólidos (1998)
Fazzio, Adalberto ; Watari, K.
Unidade: IF
Assunto: MECÂNICA QUÂNTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto e WATARI, K. Introdução à teoria de grupos com aplicações em moléculas e sólidos. . Santa Maria: UFSM. . Acesso em: 04 dez. 2025. , 1998
APA
Fazzio, A., & Watari, K. (1998). Introdução à teoria de grupos com aplicações em moléculas e sólidos. Santa Maria: UFSM.
NLM
Fazzio A, Watari K. Introdução à teoria de grupos com aplicações em moléculas e sólidos. 1998 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Fazzio A, Watari K. Introdução à teoria de grupos com aplicações em moléculas e sólidos. 1998 ;[citado 2025 dez. 04 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

Subjects

Source title

Publisher