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Relatorio tecnico
Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors (2020)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Santos, Raimundo R. dos; Oliveira, Luiz E.; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2020
APA
Silva, A. J. R. da, Santos, R. R. dos, Oliveira, L. E., & Fazzio, A. (2020). Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
NLM
Silva AJR da, Santos RR dos, Oliveira LE, Fazzio A. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Santos RR dos, Oliveira LE, Fazzio A. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
Relatorio tecnico
A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor (2020)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e ANTONELLI, Alex e FAZZIO, Adalberto. A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2020
APA
Silva, A. J. R. da, Antonelli, A., & Fazzio, A. (2020). A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf
NLM
Silva AJR da, Antonelli A, Fazzio A. A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Antonelli A, Fazzio A. A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf
Relatorio tecnico
Band structure model of magnetic coupling in semiconductors (2020)
Dalpian, Gustavo Martini ; Wei, Su-Huai; Gong, X. G.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2020
APA
Dalpian, G. M., Wei, S. -H., Gong, X. G., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Band structure model of magnetic coupling in semiconductors. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
NLM
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XG, Fazzio A, Silva AJR da. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
Vancouver
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XG, Fazzio A, Silva AJR da. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
Relatorio tecnico
Comparative study of defect energetics in 'HF' IND. 2' and 'SI' IND. 2' (2020)
Scopel, W. L.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
SCOPEL, W. L. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Comparative study of defect energetics in 'HF' IND. 2' and 'SI' IND. 2'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310747.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2020
APA
Scopel, W. L., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Comparative study of defect energetics in 'HF' IND. 2' and 'SI' IND. 2'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310747.pdf
NLM
Scopel WL, Fazzio A, Silva AJR da. Comparative study of defect energetics in 'HF' IND. 2' and 'SI' IND. 2' [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310747.pdf
Vancouver
Scopel WL, Fazzio A, Silva AJR da. Comparative study of defect energetics in 'HF' IND. 2' and 'SI' IND. 2' [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310747.pdf
Relatorio tecnico
Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in 'SI''O IND. 2' (2020)
W. Orellana, W; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
W. ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in 'SI''O IND. 2'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0311634.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2020
APA
W. Orellana, W., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in 'SI''O IND. 2'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0311634.pdf
NLM
W. Orellana W, Fazzio A, Silva AJR da. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in 'SI''O IND. 2' [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0311634.pdf
Vancouver
W. Orellana W, Fazzio A, Silva AJR da. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in 'SI''O IND. 2' [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0311634.pdf
Artigo de periodico
Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene (2017)
Padilha, J. E.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PADILHA, J. E. et al. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, v. 95, n. 19, p. 195143, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Padilha, J. E., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2017). Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene. PHYSICAL REVIEW B, 95( 19), 195143. doi:10.1103/PhysRevB.95.195143
NLM
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 95( 19): 195143.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143
Vancouver
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Two-dimensional van der Waals p-n junction of 'IN''SE'/phosphorene [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 95( 19): 195143.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195143
Trabalho de evento-resumo periodico
First principles electronic transport simulations of spin coherence length in disordered graphene nanoribbons due to spin-orbit interaction (2014)
Rocha, Alexandre R.; Rojas, Wudmir; Sanvito, Stefano; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Bulletin of the American Physical Society. Nome do evento: APS March Meeting. Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROCHA, Alexandre R. et al. First principles electronic transport simulations of spin coherence length in disordered graphene nanoribbons due to spin-orbit interaction. Bulletin of the American Physical Society. College Park.: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 05 dez. 2025. , 2014
APA
Rocha, A. R., Rojas, W., Sanvito, S., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2014). First principles electronic transport simulations of spin coherence length in disordered graphene nanoribbons due to spin-orbit interaction. Bulletin of the American Physical Society. College Park.: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Rocha AR, Rojas W, Sanvito S, Silva AJR da, Fazzio A. First principles electronic transport simulations of spin coherence length in disordered graphene nanoribbons due to spin-orbit interaction. Bulletin of the American Physical Society. 2014 ;( 1):[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Rocha AR, Rojas W, Sanvito S, Silva AJR da, Fazzio A. First principles electronic transport simulations of spin coherence length in disordered graphene nanoribbons due to spin-orbit interaction. Bulletin of the American Physical Society. 2014 ;( 1):[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Triangular lattices of transition metals adsorbed on graphene (2014)
Lima, Matheus P.; Acosta, Carlos M.; Miwa, Roberto H.; Renosto, Sergio Tuan; Lima, Bruno Sanches de; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Bulletin of the American Physical Society. Nome do evento: APS March Meeting. Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Matheus P. et al. Triangular lattices of transition metals adsorbed on graphene. Bulletin of the American Physical Society. College Park.: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 05 dez. 2025. , 2014
APA
Lima, M. P., Acosta, C. M., Miwa, R. H., Renosto, S. T., Lima, B. S. de, Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2014). Triangular lattices of transition metals adsorbed on graphene. Bulletin of the American Physical Society. College Park.: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Lima MP, Acosta CM, Miwa RH, Renosto ST, Lima BS de, Silva AJR da, Fazzio A. Triangular lattices of transition metals adsorbed on graphene. Bulletin of the American Physical Society. 2014 ;( 1):[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Lima MP, Acosta CM, Miwa RH, Renosto ST, Lima BS de, Silva AJR da, Fazzio A. Triangular lattices of transition metals adsorbed on graphene. Bulletin of the American Physical Society. 2014 ;( 1):[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Size-effect induced high thermoelectric figure of merit in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires (2014)
Wrasse, Ernesto O.; Torres, Alberto ; Baierle, Rogerio J.; Schmidt, Tome M.; Fazzio, Adalberto
Fonte: PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, TERMOELETRICIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WRASSE, Ernesto O. et al. Size-effect induced high thermoelectric figure of merit in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, v. 16, n. 17, p. 8114-8118, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/C3CP55233K. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Wrasse, E. O., Torres, A., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2014). Size-effect induced high thermoelectric figure of merit in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 16( 17), 8114-8118. doi:10.1039/C3CP55233K
NLM
Wrasse EO, Torres A, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Size-effect induced high thermoelectric figure of merit in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires [Internet]. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. 2014 ; 16( 17): 8114-8118.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1039/C3CP55233K
Vancouver
Wrasse EO, Torres A, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Size-effect induced high thermoelectric figure of merit in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires [Internet]. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. 2014 ; 16( 17): 8114-8118.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1039/C3CP55233K
Relatorio tecnico
Splitting of the topologically-protected dirac cone without breaking time reversal symmetry. (2014)
Seixas, L.; West, D.; Zhang, B.; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SEIXAS, L. et al. Splitting of the topologically-protected dirac cone without breaking time reversal symmetry. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1410.1897v1.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2014
APA
Seixas, L., West, D., Zhang, B., & Fazzio, A. (2014). Splitting of the topologically-protected dirac cone without breaking time reversal symmetry. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1410.1897v1.pdf
NLM
Seixas L, West D, Zhang B, Fazzio A. Splitting of the topologically-protected dirac cone without breaking time reversal symmetry. [Internet]. 2014 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1410.1897v1.pdf
Vancouver
Seixas L, West D, Zhang B, Fazzio A. Splitting of the topologically-protected dirac cone without breaking time reversal symmetry. [Internet]. 2014 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1410.1897v1.pdf
Artigo de periodico
Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator (2013)
Schmidt, Tome M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Fonte: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, Tome M. e MIWA, R. H. e FAZZIO, Adalberto. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. no 2013, n. 44, p. 445003, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2013). Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, no 2013( 44), 445003. doi:10.1088/0953-8984/25/44/445003
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2013 ; no 2013( 44): 445003.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2013 ; no 2013( 44): 445003.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003
Artigo de periodico
First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire (2013)
Wrasse, E O; Baierle, R. J.; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto
Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WRASSE, E O et al. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, v. fe2013, n. 8, p. 085428, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Wrasse, E. O., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2013). First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, fe2013( 8), 085428. doi:10.1103/PhysRevB.87.085428
NLM
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428
Vancouver
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428
Trabalho de evento-resumo
The Flatland of the Topological Insulator (2012)
Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumo. Nome do evento: XXX Encontro de Físicos do Norte e Nordeste / ID: 34-1 [EST]. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto. The Flatland of the Topological Insulator. 2012, Anais.. São Paulo: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0209-1.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A. (2012). The Flatland of the Topological Insulator. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0209-1.pdf
NLM
Fazzio A. The Flatland of the Topological Insulator [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0209-1.pdf
Vancouver
Fazzio A. The Flatland of the Topological Insulator [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0209-1.pdf
Artigo de periodico
Bilayer graphene on h-BN substrate: investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field (2012)
Padilha, José Eduardo ; Pontes, Renato Borges ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IF
Assuntos: ELETRICIDADE E ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PADILHA, José Eduardo e PONTES, Renato Borges e FAZZIO, Adalberto. Bilayer graphene on h-BN substrate: investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field. Journal of Physics: Condensed Matter, v. fe2012, n. 7, p. 075301, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/24/7/075301. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Padilha, J. E., Pontes, R. B., & Fazzio, A. (2012). Bilayer graphene on h-BN substrate: investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field. Journal of Physics: Condensed Matter, fe2012( 7), 075301. doi:10.1088/0953-8984/24/7/075301
NLM
Padilha JE, Pontes RB, Fazzio A. Bilayer graphene on h-BN substrate: investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2012 ; fe2012( 7): 075301.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/24/7/075301
Vancouver
Padilha JE, Pontes RB, Fazzio A. Bilayer graphene on h-BN substrate: investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2012 ; fe2012( 7): 075301.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/24/7/075301
Artigo de periodico
Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation (2011)
Wrasse, E O; Baierle, R. J; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WRASSE, E O et al. Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 24, p. 245324, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245324. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Wrasse, E. O., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2011). Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation. PHYSICAL REVIEW B, 84( 24), 245324. doi:10.1103/PhysRevB.84.245324
NLM
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245324.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245324
Vancouver
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Quantum conﬁnement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245324.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245324
Relatorio tecnico
Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface (2011)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Scopel, W L; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H et al. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.0830v1.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2011
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., Scopel, W. L., & Fazzio, A. (2011). Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.0830v1.pdf
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface [Internet]. 2011 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.0830v1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface [Internet]. 2011 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1106/1106.0830v1.pdf
Artigo de periodico
Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface (2011)
Miwa, R H; Schmidt, Tome M; Scopel, W L; Fazzio, Adalberto
Fonte: APPLIED PHYSICS LETTERS. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H et al. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. 99, n. 16, p. 163108, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3653261. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., Scopel, W. L., & Fazzio, A. (2011). Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface. APPLIED PHYSICS LETTERS, 99( 16), 163108. doi:10.1063/1.3653261
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2011 ;99( 16): 163108.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3653261
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Doping of graphene adsorbed on the a-'SI''O IND.2' surface [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2011 ;99( 16): 163108.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3653261
Relatorio tecnico
Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation (2011)
Padilha, J E; Lima, Matheus P; Silva, Antonio J R da; Fazzio, Adalberto
Unidades: IF, IEB
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PADILHA, J E et al. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2011
APA
Padilha, J. E., Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf
NLM
Padilha JE, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation [Internet]. 2011 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf
Vancouver
Padilha JE, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation [Internet]. 2011 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Defects in amorphous hafnium silicate (2011)
Scopel, Wanderlã Luis; Silva, Antônio J.R. da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumo. Nome do evento: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderlã Luis e SILVA, Antônio J.R. da e FAZZIO, Adalberto. Defects in amorphous hafnium silicate. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2272-1.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Defects in amorphous hafnium silicate. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2272-1.pdf
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Defects in amorphous hafnium silicate [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2272-1.pdf
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Defects in amorphous hafnium silicate [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2272-1.pdf
Artigo de periodico
Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study (2009)
Arantes, José Tadeu; Lima, M P; Fazzio, Adalberto ; Xiang, H; Wei, Su-Huai; Dalpian, Gustavo Martini
Fonte: Journal of Physical Chemistry B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES, José Tadeu et al. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study. Journal of Physical Chemistry B, v. 113, n. 16, p. 5376-5380, 2009Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Arantes, J. T., Lima, M. P., Fazzio, A., Xiang, H., Wei, S. -H., & Dalpian, G. M. (2009). Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study. Journal of Physical Chemistry B, 113( 16), 5376-5380. Recuperado de http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
NLM
Arantes JT, Lima MP, Fazzio A, Xiang H, Wei S-H, Dalpian GM. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study [Internet]. Journal of Physical Chemistry B. 2009 ; 113( 16): 5376-5380.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
Vancouver
Arantes JT, Lima MP, Fazzio A, Xiang H, Wei S-H, Dalpian GM. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study [Internet]. Journal of Physical Chemistry B. 2009 ; 113( 16): 5376-5380.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018

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