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Artigo de periodico
Daphnia magna and mixture toxicity with nanomaterials - Current status and perspectives in data-driven risk prediction (2022)
Martinez, Diego Stéfani T.; Fazzio, Adalberto
Source: Nano Today. Unidade: IF
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
MARTINEZ, Diego Stéfani T. e FAZZIO, Adalberto. Daphnia magna and mixture toxicity with nanomaterials - Current status and perspectives in data-driven risk prediction. Nano Today, v. 43, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.nantod.2022.101430. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Martinez, D. S. T., & Fazzio, A. (2022). Daphnia magna and mixture toxicity with nanomaterials - Current status and perspectives in data-driven risk prediction. Nano Today, 43. doi:10.1016/j.nantod.2022.101430
NLM
Martinez DST, Fazzio A. Daphnia magna and mixture toxicity with nanomaterials - Current status and perspectives in data-driven risk prediction [Internet]. Nano Today. 2022 ; 43[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.nantod.2022.101430
Vancouver
Martinez DST, Fazzio A. Daphnia magna and mixture toxicity with nanomaterials - Current status and perspectives in data-driven risk prediction [Internet]. Nano Today. 2022 ; 43[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.nantod.2022.101430
Artigo de jornal-dep/entr
Adalberto Fazzio, o pioneiro do grafeno que quer reinventar o microchip [Depoimento] (2021)
Fazzio, Adalberto
Source: UOL- Universo Online. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, ISOLAMENTO TÉRMICO, MATERIAIS, DIVULGAÇÃO CIENTÍFICA
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ABNT
FAZZIO, Adalberto. Adalberto Fazzio, o pioneiro do grafeno que quer reinventar o microchip [Depoimento]. UOL- Universo Online. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://www.uol.com.br/tilt/noticias/redacao/2021/08/29/adalberto-fazzio-o-pioneiro-do-grafeno-que-quer-reinventar-o-microchip.htm. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2021
APA
Fazzio, A. (2021). Adalberto Fazzio, o pioneiro do grafeno que quer reinventar o microchip [Depoimento]. UOL- Universo Online. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://www.uol.com.br/tilt/noticias/redacao/2021/08/29/adalberto-fazzio-o-pioneiro-do-grafeno-que-quer-reinventar-o-microchip.htm
NLM
Fazzio A. Adalberto Fazzio, o pioneiro do grafeno que quer reinventar o microchip [Depoimento] [Internet]. UOL- Universo Online. 2021 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://www.uol.com.br/tilt/noticias/redacao/2021/08/29/adalberto-fazzio-o-pioneiro-do-grafeno-que-quer-reinventar-o-microchip.htm
Vancouver
Fazzio A. Adalberto Fazzio, o pioneiro do grafeno que quer reinventar o microchip [Depoimento] [Internet]. UOL- Universo Online. 2021 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://www.uol.com.br/tilt/noticias/redacao/2021/08/29/adalberto-fazzio-o-pioneiro-do-grafeno-que-quer-reinventar-o-microchip.htm
Trabalho de evento-resumo
Heme B-like defects in N-doped carbon nanotubes (2009)
Almeida, J M; Rocha, A R; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: International Conference on Advanced Materials. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
ALMEIDA, J M et al. Heme B-like defects in N-doped carbon nanotubes. 2009, Anais.. Rio de Janeiro: ICAM, 2009. Disponível em: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/C556.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Almeida, J. M., Rocha, A. R., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2009). Heme B-like defects in N-doped carbon nanotubes. In Resumos. Rio de Janeiro: ICAM. Recuperado de http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/C556.pdf
NLM
Almeida JM, Rocha AR, Fazzio A, Silva AJR da. Heme B-like defects in N-doped carbon nanotubes [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/C556.pdf
Vancouver
Almeida JM, Rocha AR, Fazzio A, Silva AJR da. Heme B-like defects in N-doped carbon nanotubes [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/C556.pdf
Trabalho de evento-resumo
Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals (2009)
Schoenhalz, A L; Arantes, José Tadeu; Fazzio, Adalberto ; Dalpian, Gustavo Martini
Source: Resumos. Conference titles: International Conference on Advanced Materias. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SCHOENHALZ, A L et al. Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals. 2009, Anais.. Rio de Janeiro: ICAM, 2009. Disponível em: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Y537.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schoenhalz, A. L., Arantes, J. T., Fazzio, A., & Dalpian, G. M. (2009). Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals. In Resumos. Rio de Janeiro: ICAM. Recuperado de http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Y537.pdf
NLM
Schoenhalz AL, Arantes JT, Fazzio A, Dalpian GM. Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Y537.pdf
Vancouver
Schoenhalz AL, Arantes JT, Fazzio A, Dalpian GM. Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Y537.pdf
Artigo de periodico
Bundling up carbon nanotubes through Wigner (2005)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Antonelli, Alex
Source: Nano Letters. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto e ANTONELLI, Alex. Bundling up carbon nanotubes through Wigner. Nano Letters, v. 5, n. 6, p. 1045-1049, 2005Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2005/5/i06/pdf/nl050457c.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Antonelli, A. (2005). Bundling up carbon nanotubes through Wigner. Nano Letters, 5( 6), 1045-1049. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2005/5/i06/pdf/nl050457c.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. Bundling up carbon nanotubes through Wigner [Internet]. Nano Letters. 2005 ; 5( 6): 1045-1049.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2005/5/i06/pdf/nl050457c.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. Bundling up carbon nanotubes through Wigner [Internet]. Nano Letters. 2005 ; 5( 6): 1045-1049.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2005/5/i06/pdf/nl050457c.pdf
Artigo de periodico
Computer simulations in the study of gold nanowires: the effect of impurities (2005)
Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics A-materials Science & Processing. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA, ÁTOMOS
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ABNT
FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Computer simulations in the study of gold nanowires: the effect of impurities. Applied Physics A-materials Science & Processing, v. 81, n. 8, p. 1551-1558, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s00339-005-3394-y. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2005). Computer simulations in the study of gold nanowires: the effect of impurities. Applied Physics A-materials Science & Processing, 81( 8), 1551-1558. doi:10.1007/s00339-005-3394-y
NLM
Fazzio A, Silva AJR da, Fazzio A. Computer simulations in the study of gold nanowires: the effect of impurities [Internet]. Applied Physics A-materials Science & Processing. 2005 ; 81( 8): 1551-1558.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00339-005-3394-y
Vancouver
Fazzio A, Silva AJR da, Fazzio A. Computer simulations in the study of gold nanowires: the effect of impurities [Internet]. Applied Physics A-materials Science & Processing. 2005 ; 81( 8): 1551-1558.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00339-005-3394-y
Artigo de periodico
Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach (2005)
Rossato, Jussane; Baierle, Rogerio Jose; Fazzio, Adalberto ; Mota, R
Source: Nano Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSSATO, Jussane et al. Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach. Nano Letters, v. 5, n. 1, p. 197-200, 2005Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/sample.cgi/nalefd/2005/5/i01/pdf/nl048226d.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Rossato, J., Baierle, R. J., Fazzio, A., & Mota, R. (2005). Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach. Nano Letters, 5( 1), 197-200. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/sample.cgi/nalefd/2005/5/i01/pdf/nl048226d.pdf
NLM
Rossato J, Baierle RJ, Fazzio A, Mota R. Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach [Internet]. Nano Letters. 2005 ; 5( 1): 197-200.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/sample.cgi/nalefd/2005/5/i01/pdf/nl048226d.pdf
Vancouver
Rossato J, Baierle RJ, Fazzio A, Mota R. Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach [Internet]. Nano Letters. 2005 ; 5( 1): 197-200.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/sample.cgi/nalefd/2005/5/i01/pdf/nl048226d.pdf
Artigo de periodico
Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study (2005)
Piquini, P; Baierle, Rogerio Jose; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Nanotechnology. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P et al. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study. Nanotechnology, v. 16, n. 6, p. 827-831, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Piquini, P., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2005). Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study. Nanotechnology, 16( 6), 827-831. doi:10.1088/0957-4484/16/6/035
NLM
Piquini P, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2005 ; 16( 6): 827-831.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035
Vancouver
Piquini P, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2005 ; 16( 6): 827-831.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035
Trabalho de evento-resumo
Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces (2004)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Program. Conference titles: Encontro da SBPMat. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_a.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2004). Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_a.pdf
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_a.pdf
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_a.pdf
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces (2004)
Fazzio, Adalberto ; Fazzio, Adalberto
Source: Program. Conference titles: Encontro da SBPMat. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
FAZZIO, Adalberto e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., & Fazzio, A. (2004). Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
NLM
Fazzio A, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Vancouver
Fazzio A, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Relatorio tecnico
Comparative study of defect energetics in 'HfO IND. 2' and 'SiO IND. 2' (2003)
Scopel, Wanderla Luis; Silva, Antonio Jose Roque da ; Orellana, Walter; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS
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ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Comparative study of defect energetics in 'HfO IND. 2' and 'SiO IND. 2'. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0310/0310747.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2003
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, Orellana, W., & Fazzio, A. (2003). Comparative study of defect energetics in 'HfO IND. 2' and 'SiO IND. 2'. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0310/0310747.pdf
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Orellana W, Fazzio A. Comparative study of defect energetics in 'HfO IND. 2' and 'SiO IND. 2' [Internet]. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0310/0310747.pdf
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Orellana W, Fazzio A. Comparative study of defect energetics in 'HfO IND. 2' and 'SiO IND. 2' [Internet]. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0310/0310747.pdf
Relatorio tecnico
On nature of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Santos, Raimundo R dos; Oliveira, Luiz E
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. On nature of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0307/0307714.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2003
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2003). On nature of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0307/0307714.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. On nature of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0307/0307714.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. On nature of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0307/0307714.pdf
Relatorio tecnico
A possible route to grow a (Mn:'Si IND. (1-x)'Ge IND. x')-based diluted magnetic semiconductor (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Antonelli, Alex
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto e ANTONELLI, Alex. A possible route to grow a (Mn:'Si IND. (1-x)'Ge IND. x')-based diluted magnetic semiconductor. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://snsbf2.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0310/0310770.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2003
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Antonelli, A. (2003). A possible route to grow a (Mn:'Si IND. (1-x)'Ge IND. x')-based diluted magnetic semiconductor. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://snsbf2.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0310/0310770.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. A possible route to grow a (Mn:'Si IND. (1-x)'Ge IND. x')-based diluted magnetic semiconductor [Internet]. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://snsbf2.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0310/0310770.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. A possible route to grow a (Mn:'Si IND. (1-x)'Ge IND. x')-based diluted magnetic semiconductor [Internet]. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://snsbf2.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0310/0310770.pdf
Trabalho de evento-resumo
On the nature of Mn in semiconductors (2003)
Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto. On the nature of Mn in semiconductors. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A. (2003). On the nature of Mn in semiconductors. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fazzio A. On the nature of Mn in semiconductors. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A. On the nature of Mn in semiconductors. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Relatorio tecnico
Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' (2003)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2'. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0311/0311634.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2003
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2'. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0311/0311634.pdf
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' [Internet]. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0311/0311634.pdf
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' [Internet]. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0311/0311634.pdf
Trabalho de evento-resumo
The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition (2002)
Peripolli, Suzana B; Silva, Cesar S R da; Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERIPOLLI, Suzana B e SILVA, Cesar S R da e FAZZIO, Adalberto. The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Peripolli, S. B., Silva, C. S. R. da, & Fazzio, A. (2002). The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Peripolli SB, Silva CSR da, Fazzio A. The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Peripolli SB, Silva CSR da, Fazzio A. The role played by vacances on the silicon crystal-amorphous transition. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes (2002)
Fagan, Solange Binotto; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Baierle, Rogerio Jose
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fagan, S. B., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Baierle, R. J. (2002). Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fagan SB, Silva AJR da, Fazzio A, Baierle RJ. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fagan SB, Silva AJR da, Fazzio A, Baierle RJ. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface (2002)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Livros de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. In Programa e Livros de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. Programa e Livros de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. Programa e Livros de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Computer simulations of gold nanowires (2002)
Novaes, F D; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Silva, Edison Z da
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, COMPUTADORES (SIMULAÇÃO)
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ABNT
NOVAES, F D et al. Computer simulations of gold nanowires. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Novaes, F. D., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Silva, E. Z. da. (2002). Computer simulations of gold nanowires. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A, Silva EZ da. Computer simulations of gold nanowires. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A, Silva EZ da. Computer simulations of gold nanowires. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 05 ]

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