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Artigo de periodico
Design of spin-orbital texture in ferromagnetic/topological insulator interfaces (2024)
Araújo, Augusto de Lelis ; Lima, Felipe Crasto de ; Lewenkopf, Caio Henrique ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Phys. Rev. B. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
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ABNT
ARAÚJO, Augusto de Lelis et al. Design of spin-orbital texture in ferromagnetic/topological insulator interfaces. Phys. Rev. B, v. 109, n. 8, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.085142. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Araújo, A. de L., Lima, F. C. de, Lewenkopf, C. H., & Fazzio, A. (2024). Design of spin-orbital texture in ferromagnetic/topological insulator interfaces. Phys. Rev. B, 109( 8). doi:10.1103/PhysRevB.109.085142
NLM
Araújo A de L, Lima FC de, Lewenkopf CH, Fazzio A. Design of spin-orbital texture in ferromagnetic/topological insulator interfaces [Internet]. Phys. Rev. B. 2024 ; 109( 8):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.085142
Vancouver
Araújo A de L, Lima FC de, Lewenkopf CH, Fazzio A. Design of spin-orbital texture in ferromagnetic/topological insulator interfaces [Internet]. Phys. Rev. B. 2024 ; 109( 8):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.085142
Relatorio tecnico
Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors (2020)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Santos, Raimundo R. dos; Oliveira, Luiz E.; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2020
APA
Silva, A. J. R. da, Santos, R. R. dos, Oliveira, L. E., & Fazzio, A. (2020). Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
NLM
Silva AJR da, Santos RR dos, Oliveira LE, Fazzio A. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Santos RR dos, Oliveira LE, Fazzio A. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
Relatorio tecnico
Band structure model of magnetic coupling in semiconductors (2020)
Dalpian, Gustavo Martini ; Wei, Su-Huai; Gong, X. G.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025. , 2020
APA
Dalpian, G. M., Wei, S. -H., Gong, X. G., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Band structure model of magnetic coupling in semiconductors. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
NLM
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XG, Fazzio A, Silva AJR da. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
Vancouver
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XG, Fazzio A, Silva AJR da. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
Artigo de periodico
Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation (2015)
Miwa, R. H.; Kagimura, R.; Lima, Matheus P.; Fazzio, Adalberto
Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assuntos: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, R. H. et al. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 91, n. 20, p. 205442, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Miwa, R. H., Kagimura, R., Lima, M. P., & Fazzio, A. (2015). Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 91( 20), 205442. doi:10.1103/physrevb.91.205442
NLM
Miwa RH, Kagimura R, Lima MP, Fazzio A. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( 20): 205442.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442
Vancouver
Miwa RH, Kagimura R, Lima MP, Fazzio A. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( 20): 205442.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442
Artigo de periodico
Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors (2015)
Seixas, L.; West, D.; Zhang, S. B.; Fazzio, Adalberto
Fonte: NATURE COMMUNICATIONS. Unidade: IF
Assuntos: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SEIXAS, L. et al. Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors. NATURE COMMUNICATIONS, v. 6, p. 7630, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1038/ncomms8630. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Seixas, L., West, D., Zhang, S. B., & Fazzio, A. (2015). Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors. NATURE COMMUNICATIONS, 6, 7630. doi:10.1038/ncomms8630
NLM
Seixas L, West D, Zhang SB, Fazzio A. Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors [Internet]. NATURE COMMUNICATIONS. 2015 ; 6 7630.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1038/ncomms8630
Vancouver
Seixas L, West D, Zhang SB, Fazzio A. Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors [Internet]. NATURE COMMUNICATIONS. 2015 ; 6 7630.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1038/ncomms8630
Artigo de periodico
Graphene nanoribbon intercalated with hexagonal boron nitride: electronic transport properties from ab initio calculations (2013)
Padilha, Jose Eduardo; Pontes, Renato Borges; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: SOLID STATE COMMUNICATIONS. Unidade: IF
Assuntos: FERROMAGNETISMO, SPIN
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ABNT
PADILHA, Jose Eduardo et al. Graphene nanoribbon intercalated with hexagonal boron nitride: electronic transport properties from ab initio calculations. SOLID STATE COMMUNICATIONS, v. no2013, p. 24-29, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2013.08.022. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Padilha, J. E., Pontes, R. B., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2013). Graphene nanoribbon intercalated with hexagonal boron nitride: electronic transport properties from ab initio calculations. SOLID STATE COMMUNICATIONS, no2013, 24-29. doi:10.1016/j.ssc.2013.08.022
NLM
Padilha JE, Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A. Graphene nanoribbon intercalated with hexagonal boron nitride: electronic transport properties from ab initio calculations [Internet]. SOLID STATE COMMUNICATIONS. 2013 ; no2013 24-29.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2013.08.022
Vancouver
Padilha JE, Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A. Graphene nanoribbon intercalated with hexagonal boron nitride: electronic transport properties from ab initio calculations [Internet]. SOLID STATE COMMUNICATIONS. 2013 ; no2013 24-29.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2013.08.022
Artigo de periodico
Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes (2012)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Fonte: IEEE Transactions on Nanotechnology. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, Adalberto. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, v. 11, n. 1, p. 71-76, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2012). Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes. IEEE Transactions on Nanotechnology, 11( 1), 71-76. doi:10.1109/TNANO.2011.2150760
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Tuning low-spin to high-spin 'MN' pairs in 2-D 'ZN''O' by injecting holes [Internet]. IEEE Transactions on Nanotechnology. 2012 ;11( 1): 71-76.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TNANO.2011.2150760
Artigo de periodico
Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons (2011)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, Adalberto. Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 15, p. 155309, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.155309. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2011). Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons. PHYSICAL REVIEW B, 84( 15), 155309. doi:10.1103/PhysRevB.84.155309
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 15): 155309.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.155309
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Piezomagnetic behavior of Co-doped 'ZN'O nanoribbons [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 15): 155309.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.155309
Artigo de periodico
Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet (2010)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, v. 81, n. 19, p. 195413/1-195413/4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195413. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2010). Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, 81( 19), 195413/1-195413/4. doi:10.1103/PhysRevB.81.195413
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413/1-195413/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195413
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413/1-195413/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195413
Artigo de periodico
Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet (2010)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, v. 81, n. 19, p. 195413-1-195413-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2010). Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, 81( 19), 195413-1-195413-4. doi:10.1103/physrevb.81.195413
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413-1-195413-4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413-1-195413-4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413
Artigo de periodico
Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure (2007)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, v. 75, n. 4, p. 075316/1-075316/4, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Arantes Junior, J. T., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, 75( 4), 075316/1-075316/4. doi:10.1103/physrevb.75.075316
NLM
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316
Vancouver
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316
Artigo de periodico
Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors (2006)
Dalpian, Gustavo Martini ; Wei, Su-Huai; Gong, X Z; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Solid State Communications. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors. Solid State Communications, v. 138, n. 7, p. 353-358, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2006.03.002. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Wei, S. -H., Gong, X. Z., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2006). Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors. Solid State Communications, 138( 7), 353-358. doi:10.1016/j.ssc.2006.03.002
NLM
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XZ, Silva AJR da, Fazzio A. Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 2006 ; 138( 7): 353-358.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2006.03.002
Vancouver
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XZ, Silva AJR da, Fazzio A. Phenomenological band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 2006 ; 138( 7): 353-358.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2006.03.002
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles (2006)
Schmidt, T M; Venezuela, P; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M et al. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330
NLM
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Artigo de periodico
Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors (2005)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Santos, R R; Oliveira, L E
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, v. 72, n. 12, p. 125208/1-125208/8, 2005Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=PRBMDO000072000012125208000001&idtype=cvips&gifs=yes. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R., & Oliveira, L. E. (2005). Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, 72( 12), 125208/1-125208/8. Recuperado de http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=PRBMDO000072000012125208000001&idtype=cvips&gifs=yes
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR, Oliveira LE. Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 12): 125208/1-125208/8.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=PRBMDO000072000012125208000001&idtype=cvips&gifs=yes
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR, Oliveira LE. Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 12): 125208/1-125208/8.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=PRBMDO000072000012125208000001&idtype=cvips&gifs=yes
Artigo de periodico
First principles study of the ferromagnetism in "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" As semiconductors (2004)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Santos, Raimundo R dos; Oliveira, Luiz E
Fonte: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IF
Assuntos: FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. First principles study of the ferromagnetism in "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" As semiconductors. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 16, n. 46, p. 8243-8250, 2004Tradução . . Disponível em: http://ej.iop.org/links/r6ofVVAZj/YCL9xwad2xGWskWKav5vpA/cm4_46_011.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2004). First principles study of the ferromagnetism in "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" As semiconductors. Journal of Physics: Condensed Matter, 16( 46), 8243-8250. Recuperado de http://ej.iop.org/links/r6ofVVAZj/YCL9xwad2xGWskWKav5vpA/cm4_46_011.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First principles study of the ferromagnetism in "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" As semiconductors [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2004 ; 16( 46): 8243-8250.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ej.iop.org/links/r6ofVVAZj/YCL9xwad2xGWskWKav5vpA/cm4_46_011.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First principles study of the ferromagnetism in "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" As semiconductors [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2004 ; 16( 46): 8243-8250.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ej.iop.org/links/r6ofVVAZj/YCL9xwad2xGWskWKav5vpA/cm4_46_011.pdf
Trabalho de evento-resumo
First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Santos, R R dos; Oliveira, L E
Fonte: Books Abstracts I (Oral). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2003). First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. In Books Abstracts I (Oral). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. Books Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. First-principles study of Mn interstitial and nature of hole-mediated ferromagnetism in 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' As. Books Abstracts I (Oral). 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface (2003)
Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts II (Poster). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn impurities in Si: stability on bulk and on surface. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ]

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