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Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry (2021)
Malafronte, A. A.; Petri, A. R.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Maidana, Nora Lía ; Mangiarotti, A. ; Martins, Marcos ; Quivy, Alain André ; Vanin, Vito
Source: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Subjects: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES, DIODOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO GAMA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, SILÍCIO
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ABNT
MALAFRONTE, A. A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, v. 179, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Malafronte, A. A., Petri, A. R., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., Maidana, N. L., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, 179. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109103
NLM
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Vancouver
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations (2021)
Mangiarotti, A. ; Petri, A. R.; Malafronte, A. A.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Fernández-Varea, José M. ; Maidana, Nora Lía ; Martins, Marcos ; Vanin, Vito
Source: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Subjects: FÍSICA DE PARTÍCULAS, FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), DIODOS, SILÍCIO, SIMULAÇÃO (ESTATÍSTICA)
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ABNT
MANGIAROTTI, A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations. Radiation Physics and Chemistry, v. 182, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109102. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Mangiarotti, A., Petri, A. R., Malafronte, A. A., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations. Radiation Physics and Chemistry, 182. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109102
NLM
Mangiarotti A, Petri AR, Malafronte AA, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Fernández-Varea JM, Maidana NL, Martins M, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 182[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109102
Vancouver
Mangiarotti A, Petri AR, Malafronte AA, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Fernández-Varea JM, Maidana NL, Martins M, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 182[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109102
Tese (Doutorado)
Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses (2009)
Camargo, Fábio de; Tobias, Carmen Cecília Bueno (Orientador)
Unidade: IPEN
Subjects: DOSIMETRIA, RADIAÇÃO GAMA (EFEITOS), COBALTO, SILÍCIO, DIODOS
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ABNT
CAMARGO, Fábio de. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses. 2009. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Camargo, F. de. (2009). Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/
NLM
Camargo F de. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/
Vancouver
Camargo F de. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07122009-142809/
Dissertação (Mestrado)
Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência (2006)
Marzano, Fabiana Lodi; Morimoto, Nilton Itiro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, VIDRO, SILÍCIO, DIODOS
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ABNT
MARZANO, Fabiana Lodi. Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Marzano, F. L. (2006). Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/
NLM
Marzano FL. Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência [Internet]. 2006 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/
Vancouver
Marzano FL. Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência [Internet]. 2006 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/
Dissertação (Mestrado)
Construção e caracterização de um fotodiodo de silício (1979)
Pereira, Jose Augusto de Alencar Mendes; Waldman, Bernard (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DIODOS, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, Jose Augusto de Alencar Mendes. Construção e caracterização de um fotodiodo de silício. 1979. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1979. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Pereira, J. A. de A. M. (1979). Construção e caracterização de um fotodiodo de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Pereira JA de AM. Construção e caracterização de um fotodiodo de silício. 1979 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Pereira JA de AM. Construção e caracterização de um fotodiodo de silício. 1979 ;[citado 2024 out. 17 ]
Tese (Doutorado)
Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício (1968)
Eisencraft, Marcos; Anderson, Richard Louis (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DIODOS, GÁLIO, SILÍCIO
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ABNT
EISENCRAFT, Marcos. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1968. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Eisencraft, M. (1968). Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Eisencraft M. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Eisencraft M. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968 ;[citado 2024 out. 17 ]

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