Exportar registro bibliográfico

Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência (2006)

  • Authors:
  • Autor USP: MARZANO, FABIANA LODI - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: SEMICONDUTORES; VIDRO; SILÍCIO; DIODOS
  • Language: Português
  • Abstract: A busca de melhores características elétricas, acompanhada de crescentes evoluções tecnológicas e novos materiais passivantes para junções semicondutoras vem sendo bastante pesquisados nas últimas décadas. Existem dois tipos de passivação: por filmes finos ou por filmes espessos. No primeiro caso são realizadas deposições de óxido de silício, carbeto de silício, nitreto de silício, enquanto que no segundo caso faz-se uso de materiais como borrachas de silicone ou vidros. A escolha entre filme fino e filme espesso está relacionada diretamente ao custo/benefício e as características do dispositivo final. Na indústria de semicondutores de potência opta-se pelos filmes espessos devido às grandes dimensões dos dispositivos e ao custo do processo empregado nas linhas de produção. Os passivantes mais utilizados em semicondutores de potência são borrachas de silicone e vidros. Os vidros inorgânicos são mais estáveis a temperaturas elevadas do que as borrachas de silicone. Neste trabalho procuramos desenvolver e controlar um processo de passivação a vidro em junções semicondutoras de dispositivos de potência para que seja usado numa linha de produção de diodos retificadores de alta estabilidade. Existem diferentes tipos de vidros para esta aplicação como os vidros de Al-Pb-B-Si e os vidros de Zn-B-Si. No presente trabalho foi realizada uma comparação entre a influência da composição química dos vidros, a granulometria do pó (frita) deste vidro, com a tensão de ruptura e corrente de fuga dos diodos levando em conta o rendimento do processo. Observou-se que fritas de vidro de Al-Pb-B-Si com granulometrias mais finas resultam em tensões de ruptura maiores com um rendimento de produção de até 33% superior aos demais casos. As correntes de fuga, à temperatura ambiente, para fritas de vidro de Zn-B-Si e Al-Pb-B-Si com diferentes granulometrias, se mostrou praticamente a mesma.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 22.08.2006
  • Acesso à fonte
    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARZANO, Fabiana Lodi; MORIMOTO, Nilton Itiro. Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência. 2006.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/ >.
    • APA

      Marzano, F. L., & Morimoto, N. I. (2006). Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/
    • NLM

      Marzano FL, Morimoto NI. Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência [Internet]. 2006 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/
    • Vancouver

      Marzano FL, Morimoto NI. Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência [Internet]. 2006 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06042009-174012/

    Últimas obras dos mesmos autores vinculados com a USP cadastradas na BDPI:

    Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2021